Уперше системно проаналізовано соціально-економічну суть державного бюджету та практику реалізації бюджетної політики. Висвітлено особливості вияву функцій бюджету за допомогою бюджетного механізму. Наведено характеристику підсистем бюджетного механізму, а також їх організаційного забезпечення за умов трансформації національної економіки до ринкових відносин.

Висвітлено питання економічного змісту бюджету, бюджетного устрою та системи, державного кредиту. Обгрунтовано систему доходів і видатків держави. Велику увагу приділено податкам у економічній сфері, наведено їх характеристику, досліджено сутність роботи з бюджетного планування соціально-культурних установ, фінансування науки, різних галузей економіки, соціальної сфери, оборони й управління. Розглянуто проблеми бюджетного процесу, механізм виконання державного бюджету за допомогою органів Держказначейства, питання контролю за виконанням бюджету, здійснення перевірок і нагляду з боку податкових і контрольно-ревізійних органів.

Исследована зависимость раскрытия вершины поверхностной трещины в сварном соединении магистрального газопровода от геометрических и физико-механических параметров трубы. Предположено, что прочностные характеристики материала в зоне термического влияния и основного материала трубы различны. Предложена упрощенная формула для определения раскрытия поверхностной трещины.

Статтю присвячено добору методів навчання таі форм контролю знань та уміння студентів під час вивчення курсу "Основи менеджменту".

Індекс рубрикатора НБУВ: Р458

Рубрики:

Травматологія і ортопедія

Шифр НБУВ: Ж26813 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Запропоновано математичну модель, яка дозволяє звести задачу про напружений стан і граничну рівновагу циліндричної анізотропної пружнопластичної оболонки з внутрішньою тріщиною до системи нелінійних сингулярних інтегральних рівнянь з розривними функціями в правих частинах. Побудовано алгоритм числового розв'язування таких систем сумісно з умовами пластичності та обмеженості напружень біля тріщини. Для трансверсально-ізотропної оболонки виконано числовий аналіз залежності розкриття фронту внутрішньої тріщини вiд навантаження, геометричних і механічних параметрів.

Охарактеризовано вплив температури, оптичного випромінювання, тиску, магнітного поля на напівпровідники. Проаналізовано роботу генератора коливань у лінійному та нелінійному режимах за умов використання від'ємного опору як основного елемента перетворювачів. Основну увагу приділено вольт-амперним характеристикам, чутливості, функціям перетворення частотних перетворювачів температури, оптичному випромінюванню, магнітній індукції та тиску. Проведено експериментальне дослідження основних параметрів мікроелектронних частотних перетворювачів, а також запропоновано їх оптимальні схеми та структури.

Визначено обсяги місцевих бюджетів України, які суттєво відрізняються в розрізі адміністративно-територіальних одиниць. Проаналізовано вплив окремих чинників на розмір середніх видатків на душу населення з місцевих бюджетів, відзначено причини їх регіональних відмінностей.

У роботі з використанням ключових рівнянь для плоского шару з залишковими деформаціями отримано розв'язок осесиметричної задачі у випадку, коли поле високоградієнтних технологічних деформацій описується нульовим тензором. Проведено числовий аналіз і компоненти тензора напружень співставлені з відповідними компонентами напружень, отриманими з використанням рівнянь уточненої теорії пластин.

Розглянуті основні фізичні явища, що складають зміст функціональної мікроелектроніки, такі, як термоелектричні, гальваномагнітні, оптоелектронні, зарядового зв'язку від'ємного диференційного опору, магнітоелектронні, акустоелектронні, індуктивного ефекту, надпровідності, тунельно-резонансні, а також конструкції і принципи роботи різноманітних приладів і пристроїв на основі цих явищ. Показано перспективні напрямки розвитку функціональної мікроелектроніки, а також ті невирішені проблеми, які стоять перед нею.

Наведено результати досліджень індуктивних та ємнісних властивостей транзисторів і транзисторних схем у широкому діапазоні частот. Досліджено залежності параметрів реактивних елементів від режиму експлуатації. Розглянуто схемотехнічні методи реалізації функцій індуктивності та ємності на основі гіраторних схем. Зроблено розрахунки основних параметрів пристроїв мікроелектроніки на підставі реактивних властивостей напівпровідникових приладів.

Визначено напрями формування та основні елементи інфраструктури ринку продукції олійних культур.

На основі числового аналізу двопрольотного ЛПД міліметрового діапазону одержано амплітудні характеристики діода у двочастотному режимі для різних профілей легування та взаємних положень зон генерації (лавинопрольотної та паразитної частот). Базуючись на побудованих характеристиках, порівняно стійкості генераторів на ЛПД у двочастотному режимі для зазначених варіантів, а також зроблено висновки про чутливість двочастотних амплітудних характеристик до варіацій розглянутих параметрів системи.

Розглядаються історико-правові аспекти становлення радянської влади в Україні в 1917-1922 рр., проблеми її легітимності. Аналізується, ким і коли була встановлена радянська влада в Україні, обгрунтовується зв'язок між більшовицьким переворотом у Росії і знищенням української державності, розкривається історія процесу створення на анексованій території радянської державності в Україні в грудні 1917 р. та її відновлення в грудні 1918 р. і січні 1920 р.

Запропоновано використання варіантів міжпородного схрещування, а саме, рейнських гусаків та кубанських гусок для підвищення репродуктивних якостей цих птахів.

З використанням методу узагальнених задач спряження запропоновано розрахункову схему дослідження перерозподілу температурних напружень у кусково-однорідній циліндричній оболонці, зумовленого поздовжньою тріщиною. Основу цієї схеми становлять системи інтегральних рівнянь, частина з яких є сингулярними, для визначення невідомих стрибків інтегральних характеристик збуреного температурного поля та переміщень і їх похідних на лінії тріщини та на поверхні поділу, а також значень похідних цих інтегральних характеристик за поздовжньою координатою на поверхні поділу.

Комплексно досліджуються політико-правові аспекти легітимності утворення Тимчасового робітничо-селянського уряду України та діяльності більшовиків Росії в Україні в 1918-1920 рр. на матеріалах архівних документів і періодики того часу. Аналізується, ким і коли був створений Тимчасовий робітничо-селянський уряд України, розкривається історія процесу створення на анексованій території радянської державності в Україні та діяльність більшовиків. Висвітлюються методи і прийоми, якими була встановлена радянська влада в Україні, а також розглядаються особливості української національної революції.

На основі вивчення архівних та опублікованих документів і матеріалів комплексно розглядаються політико-правові аспекти встановлення радянської влади в Україні в грудні 1917 - квітні 1918 рр., проблеми її легітимності. Аналізується ким і коли була встановлена радянська влада в Україні, обгрунтовується взаємозв'язок між більшовицьким переворотом у Росії і знищенням української державності. Розкривається історія процесу створення на анексованій території радянської державності в Україні в грудні 1917 р.

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.640.9

Рубрики:

Середовища анізотропні. Середовища неоднорідні. Середовища багатошарові < Оболонки >

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Охарактеризовано теоретичні та фізичні принципи роботи волоконно-оптичних систем передачі інформації на підставі оптоелектронних приладів. Розглянуто особливості дослідження відкритої некогерентної лінії зв'язку, роботи фотодіодного оптрона в імпульсному режимі. Наведено статичні характеристики напівпровідникових фоторезисторів і фотодіодів, описано інжекційні світлодіоди, напівпровідникові лазери.

Охарактеризованы теоретические и физические принципы работы волокнисто-оптических систем передачи информации на основе оптоэлектронных устройств. Рассмотрены особенности исследования открытой некогерентной линии связи, работы фотодиодного оптрона в импульсном режиме. Приведены статистические характеристики полупроводниковых фоторезисторов и фотодиодов, описаны инжекционные светодиоды, полупроводниковые лазеры.