Індекс рубрикатора НБУВ: В144.1 + В161.493

Рубрики:

Неперервні дроби (арифметичні)

Екстремальні властивості поліномів та їх узагальнень

Шифр НБУВ: ВС35938 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З85-01

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Повідомлено про підвищення ефективності екситонної люмінесценції квантових точок CdSSe, синтезованих у боросилікатній скляній матриці, й оброблених після цього в низькотемпературній високочастотній водневій плазмі. Одержані результати свідчать про зменшення кількості поверхневих рівнів, через які відбувається ефективна безвипромінювальна рекомбінація носіїв заряду.

Уперше побудовано теорію спектра і хвильових функцій домішкового електрона у сферичних квантових точках (КТ) у середовищі з різною ефективною масою та величинами діелектричної проникливості у різних середовищах. Отримано точні розв'язки рівняння Шредінгера, що добре узгоджуються з експериментальними даними спектрів локалізованого домішкового екситона у малих квантових точок CdS, вміщених в силікатне скло, а також описують спектр електрона, який взаємодіє з донорною домішкою, розташованою в центрі квантової точки довільних розмірів. Показано, що за досить великого радіусу квантової точки енергетичний спектр електрона асимптотично наближається до воднеподібного

The theory of the spectrum and wave functions of the impurity electron in spherical quantum dot (QD) with the different effective masses and dielectric constants in different media is developed for the first time. The exact solutions of Shrodinger equation correlate well with the experimental data for the localized impurity exciton in small quantum dots CdS embedded into silicate glass and also describe the spectrum of electron interacting with the donor impurity embedded into the center of quantum dot with arbitrary sizes. At is shown that for the rather big radius of the quantum dot the electron energy spectrum asymptotically limits to the hydrog enlike

Індекс рубрикатора НБУВ: З845.7

Рубрики:

Хвилевідні лінії передачі. Хвилеводи та об'ємні резонатори

Шифр НБУВ: Ж69398 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: З841-01

Рубрики:

Теоретичні основи радіотехніки

Шифр НБУВ: Ж69121 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: дети раннего возраста, осложнения беременности, нервнопсихическое развитие
Індекс рубрикатора НБУВ: Р733.61/64

Рубрики:

Нервові і психічні хвороби у дітей

Шифр НБУВ: Ж22335 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

An original iterative procedure has been developed to obtain the energy spectrum of neutral and charged excitons (positive and negative trions) in spherical semiconductor quantum dots (QD) imbedded into a dielectric material. Numerical calculations are made using the effective mass approximation and Hartree-Fock method. A combined effect of heterointerface polarization (image force potential) and finite band-off-sets on the energy spectrum of excitons and trions in QDs is considered for the first time. It is shown that binding energies of excitons and trions in such QDs can be substantially larger than those in bulk semiconductors due to spatial and "dielectric" confinement effects.

For a semiconductor quantum dot (QD), the contributions made to the exciton energy spectrum by the electron and hole kinetic energies, the energy of Coulomb interaction between them, and the energy of their polarization interaction with the spherical interface between the QD and the dielectric medium have been analyzed.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3

Рубрики:

Квантова теорія

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В315.7

Рубрики:

Квантова електродинаміка

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Н530.1-01

Рубрики:

Арматура для залізобетонних конструкцій

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В172.6

Рубрики:

Статистика випадкових процесів. Часові ряди

Шифр НБУВ: Ж24036 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В123

Рубрики:

Логічні числення. Числення висловлювань і предикатів

Шифр НБУВ: Ж29144 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В161.627

Рубрики:

Нелінійні рівняння і системи

Шифр НБУВ: Ж16294 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.331

Рубрики:

Фонони

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Heterostructure transistors with quantum dots (QD) are now very perspective devices because of their higher velocities of electrons in the channel. Simulation results for concentration and carrier velocity distributions depending on the QD size, concentration and location were presented in this paper. It is shown that presence of QD in the channel causes a significant increase of current. Also, QD location and concentration influence to the output characteristics of transistor was established.