Розвинуто метод розрахунку квантових станів зарядів, які локалізовані в квантовій точці з урахуванням як самоузгодженої електрон-деформаційної взаємодії, так і неоднорідно-деформованої гетеромежі квантова точка - матриця. Показано, що самоузгоджений електрон-деформаційний потенціал напруженої наногетеросистеми з квантовими точками приводить до формування додаткових квазітрикутних потенціальних ям в квантовій точці і квазітрикутних потенціальних бар'єрів в матриці та до зниження енергії основного та збудженого станів електрона в квантовій точці. Встановлено, що аксіально-симетричне збурення сферичної форми квантової точки InAs і деформація її матеріалу приводять до перерозподілу густини ймовірності локалізації електрона в квантовій точці, а електрон-деформаційна взаємодія квантової точки з матрицею InAs/GaAs приводить до зменшення ймовірності локалізації електрона в квантовій точці.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В372.7,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: РА420765 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: РА421697 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертаційна робота присвячена дослідженню структури й явищ перенесення у тонких плівках Ві[[d]]2[[/d]]Те[[d]]3[[/d]] в залежності від їх товщини d з метою спостереження квантових розмірних ефектів (КРЕ) і виявлення специфіки їх виявлення в 3D-топологічних ізоляторах (ТІ), до яких відноситься Ві[[d]]2[[/d]]Те[[d]]3[[/d]]. Визначено оптимальні склади вихідних кристалів і технологічні параметри для вирощування плівок p- і n-Ві[[d]]2[[/d]]Те[[d]]3[[/d]] з якісною структурою та визначеним типом провідності методом термічного випаровування у вакуумі на скляні підкладки. Одержані плівки мають досконалу структуру та переважну орієнтацію кристалітів, що визначає можливість дослідження КРЕ. Встановлено, що у плівках Ві[[d]]2[[/d]]Те[[d]]3[[/d]] залежності кінетичних властивостей від d мають незгасний коливний характер з великою амплітудою й апроксимуються синусоїдальними функціями. Наявність d - осциляцій пов'язується із квантуванням енергетичного спектра дірок та електронів. Розрахунки періоду осциляцій ∆d з використанням моделі нескінченно глибокої потенціальної ями надають значення ∆d, які добре узгоджуються з експериментом. Висловлено припущення, що незгасний характер і значна амплітуда осциляцій пов'язані зі зміною умов на межах плівки внаслідок існування топологічного шару, який захищає поверхневі стани від розсіювання на дефектах симетрією обернення часу - однією з фундаментальних властивостей ТІ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: РА421810 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено процеси фототермоакустичного перетворення в структурах з шарами нанокомпозитних систем на основі поруватого кремнію, зокрема, у вільних шарах мезопористого кремнію, шаруватих структурах "поруватий кремній / монокристалічна підкладка" та в композитах "поруватий кремній - рідина" (ПКР). Проведено із застосуванням комплексу фотоакустичних методів (газомікрофонних та п'єзоелектричного) вимірювання та порівняння між собою значень коефіцієнтів теплопровідності шарів поруватого кремнію з інкорпорованими в пори рідкими наповнювачами та без них. Встановлено, що величина приросту коефіцієнтів теплопровідності в результаті заповнення пор рідиною вказує на формування значної долі теплового опору мезопористого кремнію міжкристалітними тепловими контактами. Розроблено моделі формування фотоакустичного відгуку в багатошарових структурах зразок/п'єзоперетворювач. Для двошарових структур одержано аналітичні вирази для частотних залежностей параметрів сигналу фотоакустичного відгуку, для багатошарових, включно зі структурами типу ПКР, проведено числовий розрахунок форми сигналу фотоакустичного відгуку. Встановлено, що збільшення величини ефективних коефіцієнтів теплового розширення ПКР до двох порядків та наявність екстремумів у формі сигналу ФА відгуку пов'язано з термоіндукованими тисками рідини в порах та процесами їх релаксації.

Досліджено вплив фізико-технологічних умов осадження плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н методом магнетронного розпилення на їх хімічний склад. Проаналізовано процеси формування морфології та структури ближнього порядку під час осадженя плівок методом магнетронного розпилення. Досліджено вплив умов осадження та подальшої термічної обробки на механічні напруги в шарах плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н осаджених на поверхню кремнієвих пластин. Комплексно проаналізовано фотолюмінесцентні властивості плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н та їх кореляція з хімічним складом, структурою ближнього порядку та густиною парамагнітних центрів. Досліджено механізми окиснення плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x} та а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н. Вивчено фото- та електролюмінесцентні властивості шарів а-SiO{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н(:Tb) одержаних окисненням плівок а-Si{\dn\fs8 1-x}С{\dn\fs8 x}:Н(:Tb). Досліджено механізми струмопереносу в структурах Au/а-SiO{\dn\fs8 x}:C:Tb/p-Si/Al.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.247,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Спектроскопія напівпровідників

Шифр НБУВ: РА421951 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + З251.3

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Електричні акумулятори

Шифр НБУВ: РА425057 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Мета дослідження - вивчення електронного транспорту крізь резонансно-тунельні структури як базові елементи квантових каскадних детекторів у моделях закритого та відкритого каскаду. Вперше побудовано послідовну квантово-механічну теорію електрон-фононної взаємодії. Досліджено та проаналізовано її вплив на перенормування спектральних характеристик (резонансної енергії та ширини) електрона у наноструктурі. Показано, що через слабкість електрон-фононного зв'язку зі зміною температури системи фонони мало змінюють енергії електронних станів, а тому і їх внесок у формування смуги поглинання електромагнітного поля, що виникає у квантовому переході, малий. Встановлено, що довгохвильове зміщення та розширення смуги поглинання з підвищенням температури загалом зумовлене зменшенням висоти потенціальних бар'єрів трьохямної резонансно-тунельної структури, яке спричинене різною величиною температурної зміни ширини заборонених зон ям і бар'єрів наносистеми.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.24,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА426184 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Шифр НБУВ: РА428663 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.24,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА430270 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.273,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА430614 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В371.331,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Фонони

Шифр НБУВ: РА430618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.24,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА445218 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.24,022 + В345.3,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Фотолюмінесценція

Шифр НБУВ: РА444321 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.273,022

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: РА432411 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.24,022 + Г612.4

Рубрики:

Напівпровідникові наноструктури

Оптичні властивості напівпровідників

Оптичні властивості колоїдних систем

Шифр НБУВ: РА432671 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Присвячено цілеспрямованій модифікації оптико-спектральних, електричних, теплопровідних та абсорбційних властивостей оксиду цинку шляхом пониження розмірності системи і змін технологічних процесів для отримання ефективних багатофункціональних матеріалів для оптоелектронних та сенсорних пристроїв. В результаті дослідження теплопровідних властивостей в композитах на основі оксиду цинку виявлено квантовий розмірний ефект, який полягає у збільшенні величини коефіцієнта теплопровідності термопасти при переході від мікропорошків до нанопорошків. Створено світлодіоди на основі гомопереходу, що свідчить про значний прогрес в отриманні ZnO з p-типом провідності. Внаслідок накладання широких смуг люмінесценції, випромінювання світлодіода сприймаються оком як біле світло. У масивах мікропризм і нанодротів на основі ZnO реалізовано лазерну генерацію в УФ області через два основні механізми: шляхом багаторазових відбивань від кінцевих граней мікропризм, як у резонаторі Фабрі-Перо, або багаторазового випадкового розсіяння на бічних поверхнях елементів наноструктур. Створено ефективний резистивний сенсор аміаку на основі наноструктурованого ZnO.