Наведено результати математичного моделювання напівпровідникових сенсорів газу, температури та сонячних елементів, що базуються на класичних уявленнях про природу електронних станів на ідеальній і реальній поверхнях напівпровідникових бінарних сполук типу окислів металів. Запропоновано математичні моделі для аналізу та синтезу даних технічних об'єктів. Увагу приділено проблемам оптимального синтезу напівпровідникових сенсорів.

Изложены результаты математического моделирования полупроводниковых сенсоров газа, температуры и солнечных элементов, базирующиеся на классических представлениях о природе электронных состояний на идеальной и реальной поверхностях полупроводниковых бинарных соединений типа окислов металлов. Предложены математические модели для анализа и синтеза данных технических объектов. Уделено внимание проблемам оптимального синтеза полупроводниковых сенсоров.

Висвітлено технологічні засади очистки та вирощування кристалів. Наведено загальну характеристику технології створення виробів електронної техніки. Розкрито фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників. Розглянуто основні методи очистки напівпровідникових матеріалів (через парову фазу, сублімація, дистиляція, кристалізація). Запропоновано технологію одержання монокристалів напівпровідникових і діелектричних матеріалів. Розглянуто основні технологічні операції виробництва напівпровідникових інтегральних мікросхем. Висвітлено фізико-хімічні основи технологій вирощування монокристалічного кремнію, а також створення напівпровідникових і гібридних інтегральних мікросхем. Описано фізико-хімічні процеси в металевих провідниках і контактах.

Освещены технологические основы очистки и выращивания кристаллов. Дана общая характеристика технологии создания изделий электронной техники. Раскрыты физико-химические основы материаловедения полупроводников. Рассмотрены основные методы очистки полупроводниковых материалов (через паровую фазу, сублимация, дистиляция, кристаллизация). Приведена технология получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов. Рассмотрены основные технологические операции производства полупроводниковых интегральных микросхем. Освещены физико-химические основы технологий выращивания монокристаллического кремния,а также создания полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Описаны физико-химические процессы в металлических проводниках и контактах.

Освещены физические процессы в используемых, перспективных и эксклюзивных объектах прямого преобразования энергии. Рассмотрены физические механизмы превращения энергии в термоэмиссионной, термо- и фотоэлектрической схемах преобразования, предпосылки проектирования данных устройств и прогнозирования их характеристик. Изложены физические механизмы магнитогидродинамического, сегнетоэлектрического, параметрического, пьезоэлектрического и других методов преобразования.