Визначено межі застосування теорії багатошарових шаруватих термоелементів. Показано, що апроксимація шаруватого неоднорідного середовища однорідним анізотропним середовищем завищує значення поперечної ерс термоелементів. У разі товщин термоелементів, сумірних і менших за товщини шарів, похибка теорії різко зростає. Експериментально підтверджено результати комп'ютерної оптимізації двошарових поперечних термоелементів із профільованою поверхнею. Показано, що результати комп'ютерного моделювання є точнішими і не виходять за межі похибки фізичного експерименту. За допомогою комп'ютерного моделювання короткозамкнених термоелементів із металевими закорочуючими смужками, нанесеними на напівпровідниковий шар, показано можливість збільшення вихідної поперечної ерс у 2 - 6 разів.

Представлені принципи теорії нелінійних транзисторних негатронів (кіл з від'ємним дифференціальним опором). Теорія має розвиток на основі нелінійної зарядної моделі. Визначені параметри, що характеризують нелінійний режим динамічних транзисторних негатронів. Нелінійна еквівалентна схема і ряди Вольтерра використані для розрахунку параметрів негатронів. Особлива увага приділена розробці пристроїв систем керування: перетворюючих, автогенераторних, параметричних, комутуючих та фільтруючих. Розроблені кола динамічної й температурної стабілізації негатронних пристроїв. Описані експериментальні перетворювачі, автогенератори, параметричні, комутуючі, фільтруючі пристрої, активні вимірювальні перетворювачі та другі пристрої, що підтверджують теоретичні положення.

Індекс рубрикатора НБУВ: З264.73

Рубрики:

Напівпровідникові опори

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Уменьшение электроизоляционных свойств связующего тензорезистора регистрирующей аппаратурой воспринимается как кажущаяся деформация. Для уменьшения токов утечки в слое связующего между ЧЭ тензорезистора и поверхностью детали вводится экран, совпадающий по конфигурации с ЧЭ тензорезистора. Рассмотрены конструктивные особенности тензорезисторов с антишунтирующим экраном; схемы их включения в измерительные цепи; проведен анализ процесса шунтирования ЧЭ тензорезистора, с использованием аналитического метода; представлены формулы изменения сопротивления ЧЭ при его шунтировании, а также конечно-элементная модель (МКЭ) тензорезистора при различных значениях электросопротивления связующего; получены поля распределения токов утечки. Представлены результаты экспериментальной проверки явления шунтирования высокотемпературного тензорезистора и их соответствие с теоретическими исследованиями.