Розглянуто перспективи використання лампи зворотної хвилі з нахиленим електронним пучком (клінотрона) як джерела електромагнітного випромінювання терагерцевого діапазону частот. Для вивчення пускових умов та стаціонарних коливань клінотрона розроблено самоузгоджену теорію колективної взаємодії електронів з хвилею. Доведено можливість розробки перспективних ламп для терагерцевого діапазону частот і проведено оптимізацію геометрії клінотронів імпульсної та безперервної дії з частотою генерації 1 ТГц.

The tunnel resistance of highly stable, mechanically controlled break junctions of Al, Au, Cu, Pb, Ni, Pt, and Pt -Ir, have been recorded as a function of the electrode spacing over 6-7 decades. Clear deviations from the expected exponential behavior have been observed. Comparison with previous experimental and theoretical studies indicate that the discussed deviations in some cases are most probably due to the shape of, rather than to interactions between, the two electrodes.

Явище електрохемілюмінесценції (ЕХЛ) успішно використовується в електрохемілюмінесцентних випромінювальних приладах для фізико-хімічного аналізу в задачах екології, хімії, біології, медицини та імунного аналізу. Кванти ЕХЛ є продуктами утворення електронно-збуджених часток у процесі гомогенних хімічних реакцій переносу електрона. Кінетика та механізми цих реакцій залежать від складу ЕХЛ-композиції, електроліту та розчинників, конфігурації ЕХЛ-комірки (об'ємна або тонкошарова), а також від прикладеного потенціалу (імпульсний або струм/напруга) тощо. Наведено математичне та числове моделювання для розв'язання задачі масоперенесення в тонкошарових безелектролітних комірках.

Явление электрохемилюминесценции (ЭХЛ) представляет собой излучение света, которое возникает в процессе электролиза сложных органических соединений и успешно применяется в ЭХЛ-излучательных устройствах. ЭХЛ применяется при физико-химическом анализе в задачах экологии, химии, биологии, медицины, в иммунном анализе. Кванты ЭХЛ являются продуктами образования электронно-возбужденных частиц в результате гомогенных химических реакций переноса электрона. Кинетика и механизм этих реакций зависят не только от состава ЭХЛ-композиции, элекролита и растворителей, но и в значительной степени от конфигурации ЭХЛ-ячейки (объемная или тонкослойная), а также от приложенного потенциала (импульсный или ток/напряжение) и т.п. Представлено математическое и численное моделирование для решения задачи переноса заряда в тонкослойных безэлектролитных ячейках.

The electrogenerated chemiluminescence (ECL) is a light-emitting phenomenon that arises during electrolysis of many organic compounds solutions and it has successful utilisation in the ECL emitting devices. On the other hand the ECL has applications in the physical and chemical analysis in ecology, chemistry, biology, medicine, immunoassays. ECL quanta are emitted by electronically excited molecules of pointed compounds products of homogeneous solution chemical electron-transfer reactions. Those reactions kinetic and mechanism depend strongly not only over ECL composition nature, electrolyte and solvents, but in great extent over ECL cell (volumetric or thin-layer) configuration, electrolysis mode (pulsed or direct current/voltage) etc. The mathematical modeling and digital simulation to solve a mass-transfer problems in thin-layer electrolyte-free cells are presented.

Розглянуто питання, пов'язані з проблемами утилізації електронного брухту (лампової та напівпровідникової електроніки, НВЧ-техніки тощо.) зокрема, з оцінкою елементного складу зразків в режимі "чорного ящика" (відсутністю апріорної інформації про склад досліджуваних об'єктів); оцінкою рентабельності та доцільності вилучення різних металів, у першу чергу, золота та срібла; вибором і місцем методів аналізу та вилучення цих металів у послідовності етапів утилізації. Розгляд проблематики виконано на базі експериментальних даних активаційного аналізу зразків електронного брухту на мікротроні М-30 ІЕФ НАНУ.

Описано автоматизований вимірювач параметрів напівпровідникових приладів, виконаний на основі персонального комп'ютера типу ІВМ РС/АТ. Результати вимірювань використовуються при формуванні бібліотек математичних моделей напівпровідникових виробів (біполярних та польових транзисторів, діодів, стабілітронів) для програм схемотехнічного моделювання типу PSpice. Числові значення параметрів моделей визначаються за допомогою оригінального програмного забезпечення.

На основі чисельного розрахунку самоузгодженої системи рівнянь безперервності амбіполярних струмів та рівняння Пуассона проведено аналіз впливу двохкомпонентного іонізованого газу на розподіл статичного потенціалу в нееквіпотенціальному каналі. Аналіз показав, що нееквіпотенціальність простору може бути додатковою причиною розсмоктування природної іонної пастки у мікрохвильових електронних приладах О-типу.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395-046

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведен анализ тепловых и частотных свойств диода Ганна с многокольцевым катодом. Показано, что расширение частотного диапазона диода Ганна, увеличение эффективности и входной непрерывной мощности, подводимой по питанию, возможно в случае выполнения области катода в виде концентрических колец, инжектирующих ток в активную область прибора, разделенных областями, ограничивающими инжекцию тока. Исследованы тепловые свойства диода.

Наведено принципи побудови багатостійкої логічної схеми на НВЧ мікроелектронних структурах, яка моделює КХЧ керуючу систему живої клітини.

Разработан и изготовлен виртуальный измерительный комплекс параметров оптронов, в котором часть функций и операций осуществляется не аппаратно, а программно с помощью персонального компьютера. При этом компьютер выполняет функции, связанные с взаимодействием пользователя и измерительной системы. Описанный вариант комплекса позволяет определять (с выдачей соответствующего сертификата качества) статические и дифференциальные параметры различного типа оптронов (с погрешностью не более 1 ), а также динамические переходные параметры (с погрешностью не более 5 ). Комплекс многофункциональный и модульно-программно перестраиваемый.

Запропоновано модель, що описує вплив параметрів МОН-структури на крутизну вольт-фарадної характеристики. Результати роботи використано у проектуванні напівпровідникових приладів.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.39

Рубрики:

Інші типи напівпровідникових тріодів

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты экспериментального исследования влияния СВЧ излучения на деградационные процессы в арсенидгаллиевых полевых транзисторах с затвором Шоттки (ПТШ). Показано, что арсенидгаллиевые ПТШ изменяют свои параметры после кратковременного СВЧ облучения частотой 2,45 Гц в свободном пространстве при фиксированной выходной мощности. При этом основные изменения происходят в затворе транзистора.

Наведено результати теоретичних досліджень впливу додаткових конструкційних параметрів на важливі характеристики резонаторної системи: зсув частот коливань, розділення між модами коливань, вплив на вищі смуги пропускання. Базуючись на графічному матеріалі, можна визначати вищезгадані характеристики та за їх допомогою отримувати резонаторну систему таких приладів.

Представлены результаты теоретических исследований влияния дополнительных конструкционных параметров на важные характеристики резонаторной системы: сдвиг колебаний, разделение между видами колебаний, влияние на высшие полосы пропускания. Основываясь на графическом материале, можно определить вышеупомянутые характеристики и с их помощью оптимизировать резонаторную систему таких приборов.

Influence of complementary design parameters on microwave devices resonant system performances often arise. Results of theoretical research into the influence of the complementary desing parameters on such important resonant system performances as frequency shift, mode separation are presented. Based on a graphical material one can define the above mentioned characteristics and optimize such device resonant system using the characteristics.

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень впливу морфології омічних контактів (ОК) на надвисокочастотні (НВЧ) параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром Шотткі (ПТШ). Доведено, що основні НВЧ параметри ПТШ залежать від морфології ОК. Показано, що запропонована секційна модель ПТШ для врахування неоднорідностей дає можливість із високим ступенем достовірності в широкому температурному діапазоні вирахувати коефіцієнт підсилення за потужністю і шумовою температурою ПТШ, що підтверджено експериментальними результатами.

Запропоновано підхід до опису функціональних властивостей нелінійних електронних об'єктів з урахуванням впливу часу старіння - гіпермоделювання, на базі якого можна оцінити та підвищити часовий запас їх працездатності.

Наведено результати графоаналітичного аналізу типових каскадів підсилення на біполярних транзисторах. Запропоновано приклади застосування графоаналітичного методу під час аналізу однотранзисторних каскадів підсилення. Висвітлено особливості графоаналітичного аналізу двотранзисторних каскадів підсилення.

Розглянуто результати експериментального дослідження часу деіонізації в електронних газорозрядних гарматах із порожнистим анодом після проходження імпульсного високовольтного жевріючого розряду в гелії для діапазону тиску 13,3 symbol Ш 1330 Па, прискорюючої напруги 20 кВ, тривалості імпульсу напруги 10 мкс. Час деіонізації знаходився в діапазоні 34000 symbol Ш 340 мкс відповідно до тиску. Для зниження цього часу запропоновано додавати до гелію 5 % водню. Завдяки запропонованому методу був знижений час деіонізації в електронній гарматі майже на один порядок.

Пропонується модель деформаційного формування поверхневого бар'єра у напівпровіднику, розглядається його вплив на властивості контакту "метал - напівпровідник". Висвітлюються питання електропровідності системи квазідвовимірних електронів, наведені термодинамічні величини електронного газу у шаруватих кристалах. Здійснено розрахунок концентрації радіаційних дефектів у багатоатомних сполуках під час каскадоутворюючого опромінення, а також синтез подільника частоти з дробовим коефіцієнтом ділення тощо.

Наведено результати досліджень у галузі матеріалів електронної техніки, зокрема, розглянуто особливості вирощування мікрокристалів GaAs під впливом домішки гадолінію. Проаналізовано питання фізики, технології та виробництва елементів, приладів і систем електронної техніки, у т.ч. стабільність інтегрального низьковольтного джерела опорної напруги, товстоплівкові конденсатори на ізоляційних пастах, методи підвищення якості зображень у радіолокаційних системах із синтезованою апертурою. Окрему увагу приділено експериментальним і теоретичним дослідженням електронних процесів.