У дисертаційній роботі встановлено властивості парамагнітних центрів у вуглецевомістких матеріалах методами стаціонарної та імпульсної радіоспектроскопії. У 6H, 4H, 15R політипах карбіду кремнію (SiC) n-типу визначено лігандну структуру для донорів азоту (N). Запропоновано, що донори N, що займають «К2» позицію в гратці 6H SiC з глибоким рівнем залягання в забороненій зоні, заміщують атоми Si, у той час як у 15R SiC збагачення зразків вуглецем (C) сприяє появі глибоких донорних станів N у трьох кубічних позиціях на атомах Si. Визначено механізми та часи спінової релаксації для донорів N у монокристалах 6H SiC. Встановлено, що присутність стрибкової провідності, донорних кластерів та електронів провідності (ЕП) впливає на час фазової пам'яті донорів N. Виявлено та досліджено магнітні та електричні властивості ЕП у сильно- та слаболегованих монокристалах 6H, 4H, 3С SiC. Досліджено магнітні властивості С-пов'язаних центрів у плівках a-Si1−xCx:H, a-SiCxNy, DLC:Cr, SiO2:C. У нанокомпозитах SiO2:C спостережено квантово-розмірний ефект для ЕП, локалізованих у С наноточках. Виявлено розмірно-залежний ефект для донорів N у наночастинках SiC. Виявлено триплетний центр від N-вакансійної пари в самовпорядкованих наноструктурах 6H SiC та визначені його параметри^UIn this theses the properties of paramagnetic centers in carbon-containing materials by continuous wave and pulse radiospectroscopy were established. In 6H, 4H, 15 R polytypes of silicon carbide (SiC) of n-type the ligand structure of nitrogen (N) donors was determined. It was proposed that the N donors residing «k2» position in 6H SiC lattice and having deep levels in the bandgap should substitute Si atoms. At the same time the carbon excess in 15R SiC leads to the appearance of deep N donor levels in three cubic positions residing Si atoms. The spin relaxation mechanisms and times for N donors in 6H SiC monocrystals were determined. It has been found that the presence of the hopping conduction, donor clusters and conduction electrons (CE) has an impact on phase memory time of quantum state for N donors. Magnetic and electrical properties of CE in highly and low-doped 6H, 4H and 3С SiC monocrystals were revealed and studied. Magnetic properties of C-related centers in a-Si1−xCx:H, a-SiCxNy, DLC:Cr, Si:C and SiO2:C films were investigated. In SiO2:C nanocomposites the quantum-size effect for CE localized in C nanodots was found. The size-dependent effect for N donors in SiC nanoparticles was found. The triplet center from N-vacancy pair in self-assembled 6H SiC nanostructures was revealed and its parameters were determined.

Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків Інститут монокристалів НАН України, Харків, 2018. Досліджені процеси радіаційного пошкодження кристалів CsI:Tl і роль наведених опроміненням центрів забарвлення в процесі переносу енергії до Tl+-центрів світіння. Встановлено, що на утворення і релаксацію активаторних центрів забарвлення впливає пластична деформація, терміч-на та оптична обробка кристала, а також наявність CO32- - іонів. Абсорб-ційні властивості активаторних центрів забарвлення двох типів інтерпре-туються в рамках моделі, відповідно до якої вони являють собою домiш-ково-вакансiйнi диполi Tl0va+ і Tl2+vс-, в яких електронний Tl0 і дірковий Tl2+ центри збурені сусідньою аніонною і катіонною вакансією, відповідно. При збудженні кристала CsI:Tl світлом з області ближнього ультрафіолету виникає струм об'ємної провідності, що обумовлений переносом електрона з I- на Tl+ іон. Перенос заряду ініціює утворення Tl0 центра і захват зонної дірки домішково-вакансійним диполем CO32-va+ з утворенням однозаряд-ного CO3--іона і вивільненням аніонної вакансії, що в процесі дифузії захо-плюється Tl0-центром. Tl0va+ і Tl2+vс- центри приймають участь у сцинтиля-ційному процесі, отримуючи резонансним шляхом енергію від Tl+ центрів. Деградація світлового виходу опромінених кристалів CsI:Tl обумовлена випромінювальним переносом енергії від Tl+ до Tl0va+ центрів, світіння яких погашено при температурах, що перевершують 200К. Безвипроміню-вальний перенос енергії від Tl+ до Tl2+vс- центрів призводить до довгохви-льового спектрального зсуву і зміни форми сцинтиляційного імпульсу. Ключові слова: йодид цезію, іон талію, центр забарвлення, опромінення, перенос заряду, люмінесценція, поглинання, вакансія.^UThesis for a scientific degree of candidate of science in physics and mathematics by specialty 01.04.10 - Physics of Semiconductors and Dielectrics. - Institute for Single Crystals, Kharkiv, 2018. The radiative damage of CsI:Tl crystals and the role of color centers induced by irradiation in the process of energy transfer to Tl+ luminescence centers are studied. It is found that deformation, thermal and optical processing of the crystal, as well as the presence of CO32- ions affect the processes of formation and relaxation of the activator color centers. The properties of the induced absorption are explained in terms of absorption of impurity vacancy dipoles Tl0va+ і Tl2+vс-, where the electronic Tl0 and hole Tl2+ centers are perturbed by a neighbor anionic va+ and cationic vс- vacancies, respectively. A volumetric conductivity current excited by near-ultraviolet arise due to the transfer of the electron from I- to the Tl+ ion in CsI:Tl crystal. The charge transfer initiates the formation of Tl0 center and the capture of the hole by the impurity vacancy dipole CO32-va+ with the formation of CO3- ion and the release of the anionic vacancy va+ to be captured by Tl0 center in the diffusion process. Tl0va+ and Tl2+vс- centers participate in scintillation process to get energy from Tl+ emission centers by resonance. Degradation of the light yield of а irradiated CsI:Tl crystal is due to the radiative energy transfer from Tl+ to Tl0va+ centers, whose emission is quenching at temperature above 210 K. Non-radiative energy transfer from Tl+ to Tl2+vc- centers results in long-wave spectral shifts and the duration increase of the scintillation pulse. Key words: cesium iodide, ion thallium, color center, charge transfer, luminescence, absorption, vacancy.

Для отримання електронної структури та фононних частот були проведені самоузгоджені розрахунки у межах теорії функціонала густини повнопотенціальним методом приєднаних плоских хвиль і методом псевдопотенціалу. В результаті, для халькогенідів заліза FeTe, FeSe та Rb2Fe4Se5 стало можливим дослідити вплив магнітного моменту іона заліза та його спінового стану на фононну підсистему цих сполук. Виявлено аномальне пом'якшення високочастотних фононів при збільшенні магнітного моменту заліза і висока чутливість B1g(Fe) фонону до спінового стану іона заліза. Показано, що зміна спінового стану є можливою причиною виявленого експериментально аномально великого посилення цієї фононного моди в FeSe. У фазово сепарованому Rb0.8+xFe1.6+ySe2 отримані частоти фононів у різних фазах, а також встановлено можливість існування вакансійно впорядкованої провідної фази Rb2Fe4Se5 як роздільника між непровідною магнітною фазою Rb2Fe4Se5 та надпровідною RbδFe2Se2 немагнітною фазою. Для систем, що складаються з вуглецевих нанотрубок та нанодротів заліза розрахована стабільність структури залежно від геометричних параметрів, а також магнітні та провідні властивості для різних варіантів впорядкування заліза всередині нанотрубок.^UThe thesis is devoted studying of lattice dynamics and electronic structure of iron superconductors and narrow carbon nanotubes contained iron chains. Self-consistent calculations were carried out within the framework of the theory of functional density using the full potential linear augmented plane wave method and the pseudopotential one to obtain the electronic structure and phonon frequencies of the objects under study. As a result, an impact of the iron magnetic moment and its spin state on the phonon subsystem of the FeTe, FeSe, and Rb2Fe4Se5 iron chalcogenides was investigated. Anomalous softening of high-frequency phonons under increasing magnetic moment of iron as well as high sensitivity of the vibrational B1g(Fe) mode to the change of the iron spin state were found. It was shown that a change in the iron spin state is one of the reasons for the anomalously large hardening of the B1g(Fe) phonon mode in FeSe observed experimentally. For the phase-separated Rb0.8+xFe1.6+ySe2 compound, the phonon frequencies were obtained in the different phases. Ab-initio spin-polarized band structure calculations showed that the compressed vacancy ordered Rb2Fe4Se5 phase can be conductive one and, therefore, it may serve as a protective interface spacer between the purely metallic RbδFe2Se2 phase and the insulating Rb2Fe4Se5 phase providing percolative Josephson-junction like superconductivity all throughout of Rb0.8+xFe1.6+ySe2. The structural stability, as well as the magnetic and conducting properties of the composites designed from carbon nanotubes and iron nanowires, were tested depending on the geometric parameters and different arrangement of iron ions in the nanotubes.

Дисертаційна робота присвячена вивченню оптико-люмінесцентних характеристик сполук галатів магнію і цинку (MgGa2O4, ZnGa2O4) зі структурою шпінелі та їхніх твердих розчинів (Mg1-xZnxGa2O4, х = 0÷1.0) при одночасному легуванні іонами марганцю і з різною концентрацією іонів європію, встановленню ролі дефектів кристалічної ґратки у формуванні центрів люмінесценції та процесах перенесення енергії збудження. Отримані результати є важливими, перш за все, при застосуванні цих сполук як люмінофорів різного кольору свічення.Методом Х-променевої дифракції із застосуванням аналізу Рітвельда встановлено, що усі отримані кераміки володіють структурою шпінелі. За допомогою спектроскопії часів життя позитронів у структурі досліджуваних зразків було виявлено катіонні вакансійні та мультивакансійні дефекти, а також підтверджено впровадження іонів Eu3+ у матрицю шпінелі.Показано, що люмінесценція матриці та іонів Mn2+ у сполуках MgGa2O4 і ZnGa2O4, легованих іонами Mn2+ та одночасно легованих іонами Mn2+ і Eu3+, збуджується в області краю фундаментального поглинання. Кераміка твердого розчину Mg0,5Zn0,5Ga2O4: Mn2+, Eu3+ показує на порядок вищу інтенсивність збудження смуги люмінесценції матриці, що зумовлено значною кількістю точкових дефектів. У всіх одночасно легованих кераміках шпінелей іони Eu3+ збуджуються в широкій смузі, пов'язаній з перенесенням заряду (O2--Eu3+) та вузьких лініях, зумовлених внутрішньоцентровими переходами.Спектри фотолюмінесценції усіх керамік галатів, одночасно легованих іонами Mn2+ та Eu3+, демонструють смуги свічення матриці (350-475 нм), іонів Mn2+ (475-575 нм) та Eu3+ (575-650 нм) при збудженні в області краю фундаментального поглинання. Введення іонів Eu3+ та збільшення їхньої концентрації впливає на інтенсивність усіх смуг свічення, проте не змінює їхню форму та спектральне положення. Встановлено, що величини концентрації європію 4 і 3 моль % є оптимальними у кераміках MgGa2O4: Mn2+, Eu3+ і ZnGa2O4: Mn2+, Eu3+ відповідно. Збільшення вмісту іонів Eu3+ призводить до послаблення інтенсивності люмінесценції матриці одночасно легованих галатів магнію та цинку. У галаті магнію інтенсивність випромінювання іонів Mn2+ зростає при введенні іонів Eu3+ і досягає максимуму при концентрації 5 моль %. Натомість, у галаті цинку інтенсивність свічення Mn2+ різко спадає при введенні європію. Отримані залежності вказують на наявність перенесення енергії між матрицею, іонами Mn2+ та Eu3+. Введення іонів європію призводить до зменшення постійної часу загасання люмінесценції іонів Mn2+ і підтверджує припущення про перенесення енергії між іонами активатора.Проведені розрахунки координат на хроматичних діаграмах світності показали, що всі кераміки демонструють варіацію кольорів свічення від синього до червоного. Зміна кольору свічення може здійснюватися зміною складу керамік та концентрації активатора. Зважаючи на це, досліджувані кераміки галатів магнію, цинку та твердих розчинів на їхній основі, одночасно леговані іонами Mn2+ та Eu3+, запропоновано для використання як люмінофорів з можливістю контролю кольору свічення.^UThis thesis dedicated to investigate the effect of co-doping with Mn2+ and different concentration of Eu3+ ions on the optical-luminescent properties of magnesium and zinc gallate compounds (MgGa2O4, ZnGa2O4) with spinel structure and solid solutions of these compounds (Mg1-xZnxGa2O4), and to establish the role of crystal structure defects in light emission and excitation energy transition processes for application of these compounds as phosphor materials with multiple emission colors.The single phase spinel structure of all obtained ceramic materials was testified by X-ray diffraction measurements with application of Rietveld refinement. Positron annihilation time spectroscopy revealed cation vacancy and multi-vacancy defects in the structure of investigated spinels and verified successful incorporation of Eu3+ ions into the spinel host.The luminescence of matrix and Mn2+ ions in the MgGa2O4 and ZnGa2O4 compounds were found to be excited in the region of fundamental absorption edge. The ceramics of the Mg0.5Zn0.5Ga2O4: Mn2+, Eu3+ solid solution exhibits an order higher excitation intensity of the matrix luminescence band due to large number of structural defects. In all of the co-doped ceramic samples the Eu3+ ions were excited in the broad charge transfer band (O2--Eu3+) and narrow lines of intracenter transitions in Eu3+ ions.The photoluminescence emission spectra of all gallate ceramic samples co-doped with Mn2+ and Eu3+ ions show emission bands of matrix (350-475 nm), Mn2+ ions (475-575 nm), and Eu3+ ions (575-650 nm). It has been shown that incorporation of Eu3+ ions and rising of their concentration affects all of the observed luminescence bands. However, it changes neither character and spectral position. An optimal concentration of europium ions was found for MgGa2O4: Mn2+, Eu3+ and ZnGa2O4: Mn2+, Eu3+ ceramics, taking values approximately 4 and 3 mol.%, respectively. The increase of the Eu3+ ions concentration leads to suppression of the matrix luminescence intensity in co-doped magnesium and zinc gallate compounds. However, the emission intensity of Mn2+ ions increases with the introduction of Eu3+ ions and reaches a maximum around 5 mol.% in the magnesium gallate compound. The obtained concentration dependences indicate energy transfer between the matrix, the Mn2+, and Eu3+ ions. The reduction of the luminescence decay constant of Mn2+ ions after co-doping with Eu3+ ions confirms the assumption about the energy interaction between activator ions.The coordinates of luminosity CIE (Commission Internationale de l'Éclairage) diagram were calculated and showed that all ceramics exhibit variation of the emission color from blue to red. The color modification can be employed either by changing the composition of gallate ceramics or by tuning concentration of activator ions. This reveals that investigated ceramics of magnesium and zinc gallates together with their solid solutions co-doped with Mn2+ and Eu3+ ions can be used for application as phosphors with possibility of controlling the emission color.

У роботі досліджується актуальна проблема сучасної фізики напівпровідників і діелектриків, пов'язана із з'ясуванням механізмів формування кристалічних, композитних і гібридних наноструктур та встановленням особливостей перебігу електронних процесів у таких структурах. Вивчаєтьсязв'язок електронних процесів з оптичними та електричними властивостями кристалічних і гібридних наноструктур за умов впливу фізичних полів.Встановлено механізми формування нанорозмірних фаз на поверхні та в об'ємі шаруватих кристалах СdI2 і оцінено вплив нестехіометрії, домішок та роль аніонної/катіонної підсистем на процеси, які визначають властивості цих фаз. З'ясована структура локальних центрів, які формуються за участі нестехіометричних атомів Cd, та запропонована модель, що описує параметри таких центрів. Представлено модель формування домішковими атомами та вакансією кадмію бімолекулярного кластера.Задопомогою контрольованого термічно-вакуумного осадження люмінесцентних рідкокристалічних органічних молекул на діелектричні підкладки одержано нові наноструктуровані гібридні плівки.Продемонстровано, що поєднання матеріалів підкладки з конкретними молекулами дозволяє одержати структури, які випромінюють біле світло. Вивчено вплив зовнішнього електричного поля та поляризованого лазерного випромінювання з поза діапазону поглинання на впорядкування люмінесцентних молекул у процесі формування плівкових структур. Одержано наноструктури з лінійно поляризованою люмінесценцією та визначено відповідні ступені поляризації. Досягнуто лінійно поляризованої люмінесценції у наноструктурованих плівках, сформованих осадженням диполярних молекул на модифіковану полімером підкладку.Запропоновано систему чисельного моделювання електропровідності нанотрубок у діелектричному середовищі, яка враховує власну провідність наноелементів та тунелювання електронів між сусідніми трубками. Синтезовано нанокомпозитні структури «полімерна матриця — одностінкові вуглецеві нанотрубки» та «полімерна матриця — багатостінкові вуглецеві нанотрубки» і вивчено зміни електричного опору цих систем під зовнішнім впливом.^UThe dissertation deals with an important problem of modern physics of semiconductors and dielectrics which is related to the understanding of mechanisms of formation of crystalline, composite and hybrid nanostructures and peculiarities of electronic processes in such structures. The relation between electronic processes and optical and electrical properties of crystalline and hybrid nanostructures under the influence of physical fields is thoroughly studied.Mechanisms of nanophases formation on the surface and in the bulk of CdI2 crystals are described. The growth kinetics of cone-shaped nanoclusters is described by a diffusion model based on the interdiffusion approximation for the individual components. The growth rate of nanoclusters is shown to depend on the time evolution of the concentration gradient of Cd2+ ions in the near-reaction zone. The influence of non-stoichiometry, impurities and the role of anion/cation sublattices on the processes that determine the properties of these phases are evaluated. The structure of local centers formed by non-stoichiometric Cd atoms is explained and the model describing the parameters of such centers is proposed. The formation of microtubes with rectangular cross section in the volume of CdI2 layered crystals doped with Bi3+ trivalent impurity ions has been observed. The formation of microtubes is related to the rolling of I–Cd–I triple layers containing impurity ions, which takes place as a result of the presence of uncompensated charges at the edges of these layers. A model explaining the formation of a bimolecular clusterby impurity atoms and a cadmium vacancy is presented.Novel thin organic films were fabricated by thermal vacuum deposition of luminescent liquid crystalline organic molecules on different substrates. It is demonstrated that combining specific substrate material with various organic molecules allows to observe multicolor emission, ultimately opening the way to designing a white light emitting structure. The possibility of tuning the multicolor light emission by changing the excitation energy is shown. The influence of external electric field and polarized laser radiation from outside the absorption range on the ordering of luminescent molecules in the process of deposition has been studied. Clear signs of specific molecular aggregation for the films deposited with electric field applied perpendicularly to the substrate were observed by atomic force microscopy.It was shown that irradiation of molecules by non-resonant polarized laser beam during deposition strongly decreases the formation of aggregated molecules. Nanostructured films obtained under influence of electric field and external irradiation show linearly polarized luminescence.The corresponding degrees of polarization were determined. Linearly polarized luminescence was achieved in nanostructured films formed by deposition of dipolar molecules on a polymer pre-modified substrate.Emission properties of nanostructured films with linearly polarized luminescence, including the distribution of luminescence intensities, were proven to remain stable over time.The framework for computational studies of nano¬tube-insulator model composites has been developed. With¬in this framework, simulations of electrical conductivity considering a large number of interconnected nanotubes across the boundary edges of the representative volume element can be performed.The framework accounts for the intrinsic conductivity of nanoelements as well as for electron tunneling between adjacent tubes. The algorithm of total conductivity calculations using element-wise conductivity matrices was implemented. Performed calculations indicated dependence of the conductivity percolation threshold in the nanotubes network on the concentration of nanotubes in the simulated volume and on the nanotube aspect ratio. The increase of the nanotube-based composite electrical conductivity with the tunneling cut-off distance was demonstrated.The nanocomposite structures based on PEDOT:PSS polymer matrix were synthesized. Two types of nanofillers were used to reinforce base matrix: single-walled carbon nanotubes and multiwalled carbon nanotubes. Systematic evaluation of the influence of radiation on the electrical response of such hybrid nanocomposites is presented. Variations of resistance and conductivity of nanocomposites depending on the volume fraction of nanotubes in the matrix, ionizing radiation dosage and temperature are analyzed.

У дисертаційній роботі запропоновано теоретичний метод знаходження рухливості дислокацій в квазікристалі з використанням основних співвідношень термодинаміки і гідродинаміки та особливостей структури квазікристала, наявності вакансій і фазонів. Знайдено вирази для рухливості дислокацій в ікосаедричному квазікристалі з урахуванням перерозподілу концентрації вакансій та непружних перетворень, пов'язаних з фазонними деформаціями. Самоподібний розв'язок рівнянь динаміки полів зміщень дислокації в квазікристалі дозволив знайти безпосередні вирази для внесків пружних деформацій, в'язкого плину, фазонних дефектів, взаємодії пружних полів з дилатаціями, викликаними вакансіями. На основі відомих механізмів радіаційного розпухання кристалів описані моделі цього явища в квазікристалах. Cформульовано систему рівнянь балансу для власних точкових і фазонних дефектів. Показано, що швидкість розпухання квазікристалів є меншою, ніж швидкість розпухання кристалів. Чисельними методами знайдено ефективність поглинання точкових дефектів дислокаційною петлею з комплементарним кільцем фазонних дефектів. Показано, що фазони суттєво зменшують преференціальне поглинання міжвузлових атомів дислокацією, внаслідок чого квазікристалічні матеріали повинні мати підвищену стійкість до вакансійного розпухання. Фазонні дефекти розглядаються в моделі незбіжних вузлів в площині зсуву неперіодичної структури. Показано, що фазони істотно знижують преференс дислокацій до міжвузлових атомів. Тому очікується, що квазікристалічні матеріали будуть проявляти підвищений опір вакансійному розпуханню.^UA theoretical method of finding dislocation mobility in quasicrystals is proposed in the thesis using basic relations of thermodynamics and hydrodynamics and taking into account peculiarities of quasicrystal structure, the presence of vacancies and phasons. The expressions for dislocation mobility in an icosahedral quasicrystal are found taking into account the redistribution of vacancy concentration and inelastic transformations related to phason deformations. Direct expressions for the contributions of elastic deformations, viscous flow, phason defects, and the interaction of elastic fields with vacancy-induced dilatation are found using the self-similar solution of equations of dislocation displacement field dynamics in a quasicrystal. Based on the known mechanisms of radiation swelling of crystals, models of this phenomenon in quasicrystals are described. A system of rate equations for intrinsic point and phason defects is formulated. It is shown that the swelling rate of quasicrystals is lower than the swelling rate of crystals. The capture efficiency of point defects by a dislocation loop with a complementary ring of phason defects is found by numerical methods. It is shown that phasons notably reduce the dislocation bias to interstitial atoms, hence quasicrystalline materials are expected to have an increased resistance to vacancy swelling. Phason defects are considered in the model of non-coincident sites in the shear layer of a non-periodic structure. It is shown that phasons significantly reduce the dislocation bias to interstitial atoms. Therefore, quasicrystalline materials are expected to exhibit increased resistance to vacancy swelling.

Дисертаційна робота присвячена експериментальному і теоретичному вивченню особливостей електротранспорту при зміні температури і зовнішнього магнітного поля в нанорозмірних плівкових матеріалах у вигляді обмежених твердих розчинів (т.р.) атомів Fe або Co у ГЦК решітках Ag або Au, в яких формуються елементи гранульованого стану сферичної або неправильної форми та у вигляді острівців плівки магнітної компоненти. В останньому випадку плівкові зразки отримали назву «квазігранульовані». Формування гранульованих плівкових т.р. здійснювалося методом одночасної або пошарової конденсації компонент із наступною гомогенізацією фазового складу шляхом відпалювання до температури Tв = 700 – 900 К. Квазігранульовані плівки конденсувалися у вигляді тришарової системи, у якій середній шар представляв острівцеву плівку. Кристалічна структура, фазовий і елементний склад плівок досліджувався із використанням підкладок у вигляді плівки вуглецю товщиною d = 30 - 50 нм (для електронографічних і електроно-мікроскопічних досліджень методом ПЕМ) або природньо окисленої пластини Si із поверхневим шаром SiOx товщиною до 60 нм . Електрофізичні та магніторезистивні властивості досліджувалися методом високоточної резистометрії із використанням відповідних комп'ютеризованих комплексів лабораторного виробництва. Інтепретація результатів здійснювалась із використанням класичної моделі M.Csontos et all. і запропонованої нами напівкласичної моделі для магнітного коефіцієнту для розбавлених т.р., в яких ще не сформувалися гранули магнітної компоненти. Перший етап роботи був присвячений освоєнню методики формування гранульованих плівкових сплавів при різних загальних концентраціях магнітної компоненти (тобто сумарних концентраціях атомів, на основі яких формується решітка розбавлених т.р. і система гранул) та паспортизації їх фазового і елементного складу та системи гранул. Обробка ПЕМ - мікрознімків дозволяє розрахувати середній розмір гранул та їх поверхневу концентрацію. На першому етапі досліджень особлива увага була приділена питанню про концентрацію атомів магнітної компоненти та легких газових атомів (O, C, N та ін). Перед тим, як скористатися методом ЕДС були вперше отримані розрахункові формули для концентрації атомів магнітної компоненти у гранулах і в розбавлених т.р. із урахуванням середнього радіусу гранул та товщини плівки т.р. Розрахункові величини могли уточнюватися при використанні високоточного методу ЕДС. Паралельно вперше була установлена максимально можлива концентрація легких атомів у плівці т.р. при умові конденсації в вакуумі 10-4 Па. Додаткові дослідження методом Венда функції розподілу дефектів типу «вакансія - інорідний атом» показали, що енергія активації заліковування цих вакансійних комплексів менше 1 еВ, що має типове значення для комплексів («вакансія-легкий атом газу»). На другому етапі вивчалися електрофізичні властивості (питомий опір та ТКО) гранульованих т.р. Як і слід було очікувати, виходячи із аналізу літературних даних, величина питомого магнітного опору має велике значення порядка 10-7 Ом.м, що на порядок більше, ніж у масивних металевих зразках, а ТКО в декілька разів менше у порівнянні і масивними зразками. Основна увага на цьому етапі досліджень була приділена питанню про внесок у загальну величину ТКО процесів розсіювання електронів на гранулах. На третьому етапі проведені дослідження магніторезистивних властивостей плівок і була звернута увага на аномально малі величини МО, який у більшості випадків має усі ознаки ГМО, але при певних умовах реалізовувався анізотропний MО iз такою ж аномально малою амплітудою. Виникла необхідність у розробці теоретичної моделі для розбавлених т.р. без магнітних гранул. Запропонована нами напівкласична модель, на відміну від використаної феноменогічної моделі, більш коректно враховує можливі варіанти розсіювання електронів і залежність від магнітного поля не тільки середньої довжини вільного пробігу, але і коефіцієнтів дзеркальності і проходження межі та інтерфейсів. Адаптувавши класичну модель M.Csontos et all., яка описує залежність питомого магнітного опору від величини магнітного момента (спіна S) гранули, ми вперше отримали співвідношення для і у залежності від S. При фізично коректних величинах S розрахункові і співпадають із експериментальними. Фізична природа цього пов'язана із недосконалою системою гранул (багато із них знаходяться у суперпарамагнтіному стані або мають відносно малий спін), що не дозволяє реалізацію ефективного спін-залежного розсіювання електронів. У результаті основний внесок у питоми опір плівки дає питомий опір т.р., оскільки в об'ємі наногранул реалізується балістичний механізм провідності. Недосконалий низькоомний спіновий канал не шунтує у повній мірі високоомний омічний канал провідності, що обумовлює малі величини ТКО і ГМО. На феноменологічному рівні проаналізовані питання про температурну і концентраційну залежності ГМО і АМО, що може бути використано при вирішенні задач прикладного характеру.^UThe thesis is devoted to the experimental and theoretical study of electrotransport features in changing temperature and external magnetic field in nanoscale film materials in the form of limited solid solutions (s.s.) Fe or Co atoms in hcc lattices Ag or Au, in which granular state elements of spherical or irregular shape in the form of islands of magnetic film component. In the latter case, the film samples were called «quasi-granular». In accordance with the purpose and the study objectives were complex in nature, because they used a number of methods and techniques that have found application in the metallophysics of film materials. In particular, the formation of granular film soils. were carried out by the method of simultaneous or layered condensation of the components, followed by homogenization of the phase composition by annealing to a temperature 700 − 900 K. Quasi-granular films were condensed in the form of a three-layer system, in which the middle layer was an island film. The crystalline structure, phase and elemental composition of the films were investigated using carbon film substrates with a thickness d = 30 − 50 nm or a naturally oxidized Si plate with a SiOx surface layer thickness up to 60 nm. Electrophysical and magnetoresistive properties were investigated by the method of high-precision resistometry using appropriate computerized laboratory complexes. The results were interpreted using the classic M.Csontos et all. model and our proposed semiclassical model for the magnetic coefficient for diluted s.s. in which magnetic component granules have not yet formed. The first stage of the work was devoted to the development of the method of formation of granular film alloys at different total concentrations of the magnetic component (i.e. the total atoms concentrations, based on diluted s.s. and the granule system is formed) and certification their of phase and elemental composition and granules system. TEM micro-images processing allows us to calculate the average granule size of 2 − 12 nm. In the first stage of research, particular attention was paid to the magnetic component atoms concentration and light gas atoms (O, C, N, etc.). Before using the EDS method, the first formulas were obtained for the concentration of magnetic component atoms in granules and in diluted s.s. given the average granules radius r0 and the thickness of the film, etc. Estimated values should be specified when using the high-precision EDS. For the first time, the maximum possible concentration of light atoms in the so-called film was established. subject to condensation in a vacuum of 10-4 Pa. Additional studies by the Vend method of the function of the distribution of defects of the type «vacancy - foreign atom» showed that the activation energy of healing of defects of these vacancy complexes is less than 1 eV, which has a typical value of complexes («vacancy-light atom of gas»). As a result, it is concluded that atoms oxygen and carbon cannot appreciably affect the kinetic properties of s.s. films. In the second stage, the electrophysical properties (resistivity and TCR) of granular soils were studied. As expected, based on the analysis of the literature data, the value is of great importance on the order 10-7 Ohm, which is an order of magnitude larger than in massive metal samples, and the TCR has an order 10-3 K-1, which in several times smaller compared to bulk samples. The main focus at this stage of the research was on the contribution to the total value of the TCR of electron scattering processes on the granules. At the time of formulation of the research problem, a single phenomenological model was known for. In the third stage, the studies of the magnetoresistive properties of the films were carried out and attention was paid to the abnormally small values of the MR, which in most cases has all the features of GMR, but under certain conditions anisotropic MR with the same abnormally small amplitude was realized. There was a need to develop a theoretical model for of dilute s.s. without magnetic granules. Our semiclassical model, unlike the phenomenological model used, more correctly takes into account possible electron scattering and dependence on the magnetic field not only of the average free path length, but also the parameter of specular reflection from external surfaces and the transmission parameter at the grain boundary аnd іnterfаces of electrons. As a result, the main contribution to the resistivity of the film is given by the resistivity of the so-called, since the ballistic mechanism of conductance is implemented in the nanogranule volume. The imperfect low-ohmic spin channel does not completely shunt the high-ohmic conductivity channel, which causes small values of TCR and GMR. At the phenomenological level the questions of temperature and concentration dependence of GMR and AMR are analyzed, which can be used in solving problems of applied character.

Дисертація присвячена оптичному дослідженню особливостей дефектоутворення у детекторних матеріалах CdZnTe та алмазних полікристалічних плівках, зумовленого технологічними процесами, які застосовують при виготовленні радіаційних детекторів та радіаційним опроміненням. Основними методами дослідження є фотолюмінесценція та комбінаційне розсіювання світла. Тестування детекторних властивостей кристалів CdZnTe та алмазних плівок проводилось на стандартному спектрометричному тракті з багатоканальним аналізатором. В роботі визначено основні типи дефектів у досліджуваних матеріалах, індукованих зміною технологічних параметрів росту, легуванням, термічними відпалами та опроміненням швидкими електронами і γ-квантами. Встановлено динаміку взаємодії ростових дефектів з дефектами, зумовленими післяростовими факторами. Зокрема, показано ефективність легування кристалів CdZnTe донорними домішками In та Ge для компенсації ростових та радіаційних вакансійних дефектів. Встановлено, що ефект компенсації залежить від концентрації легуючих домішок. Визначено, що оптимальна концентрація для домішки Ge лежить в околі 7×1018 cм-3, а домішки In – (8–10)×1016 cм-3. Встановлено динаміку взаємодії атомів легуючої домішки Ge у кристалах Cd0.96Zn0.04Te:Ge з радіаційними VCd при накопиченні дози γ-опромінення до 500 кГр. Показано, що основна перебудова дефектно-домішкового складу кристалів Cd0.96Zn0.04Te:Ge має місце до дози 100 кГр, що суттєво перевищує відповідний поріг для нелегованих кристалів (10 кГр), та визначається генерацією вакансій кадмію, їх іонізацією, заповненням атомами Ge та об'єднанням у комплекси GeCdVCd. В результаті дослідження процесів дефектоутворення у алмазних полікристалічних плівках, зумовлених технологічними особливостями їх осадження методом PECVD, встановлено, що плівки складаються з двох структурних компонент – алмазної (sp3 – фаза вуглецю) та вторинної неалмазної (суміш sp2 + sp3 фаз вуглецю). Їх об'ємна частка залежить від параметрів осадження – матеріалу та температури підкладки, складу робочої газової суміші та її тиску. Показано, що заміщення водню у суміші CH4+H2 на N2 та Ar приводить до зменшення латерального розміру алмазних зерен до нанометрових, зростання об'ємної частки sp2 фази вуглецю та розміру її кластерів та суттєвого зниження питомого опору (до 10-1 Ом‧см). Виготовлені, на основі алмазних плівок, детектори показали високу чутливість при реєстрації α-випромінювання^UThe thesis is aimed to optical investigation of the peculiarities of defect formation in the detector-grade materials CdZnTe and CVD diamond films, caused by the different technological processes and ionizing radiation. The main investigation methods are photoluminescence and Raman scattering. The testing of the detecting properties of CdZnTe and diamond films was carried out using the standard spectrometric tract. In the work the main types of defects in the studied materials induced by the varying in the growth parameters, doping, thermal treatments and irradiation with fast electrons and γ-quanta were determined. The dynamic of the interaction between the growth defects and defects caused by post-growth actions was ascertained. In particular the efficiency of the doping of the CdZnTe crystals with In and Ge atoms for the compensation of the growth and radiation-induced vacancy type defects was shown. It was ascertained that the effect of the vacancy type defects compensation depends on the concentration of the doping atoms. The dynamic of the interaction of the Ge atoms in Cd0.96Zn0.04Te:Ge crystals with radiation-induced VCd under the accumulation of irradiation dose until 500 kGy was obtained. It was shown that the main rearrangement of the defect-impurity composition of Cd0.96Zn0.04Te:Ge crystals takes place until the dose 100 kGy, which exceeds the corresponding threshold for undoped crystals, and is determined by the generation of the VCd, their ionization and substitution by the Ge atoms with the association in the complexes GeCdVCd. As the result of the investigation of defect formation in the CVD diamond films, caused by the technological peculiarities of their deposition the fact that the films consist of two components – basic diamond and non-diamond (composition of sp2 and sp3 phases) was obtained. Their volume fraction depends on the deposition parameters – substrate material, temperature, working gas and pressure. It was shown that the hydrogen substitution in the mixture CH4+H2 on the N2 and Ar causes the decrease in the size of the diamond grains down to nanometers, the increase in the volume fraction of sp2 carbon phase and the size of their clusters and the substantial decrease in the resistivity (until 10-1 Ohm×cm). The detectors manufactured on the basis on the highly-textured films have shown the high sensibility during registration of the α-particles.

Дисертаційна робота присвячена комплексному дослідженню фізичних властивостей приладових структур сформованих на основі тонких плівок Ru i Cо та взаємозв'язку особливостей структурно-фазового стану та розмірних ефектів в електрофізичних і магніторезистивних властивостях як одношарових плівок Ru та Со, так і плівкових систем на їх основі, отриманих методами магнетронного та електронно-променевого осадження. Додатково пояснюються фізичні процеси, що виникають при заліковуванні дефектів у одношарових плівках під час термічної обробки при дослідженні їх електрофізичних властивостей.Встановлено, що для отримання однофазних тонких плівок ГЩП-Ru без слідів оксиду однією з необхідних умов є значення товщини зразка d > 10 нм та додаткова послідуюча термічна обробка до 900 К. За даних умов параметри решітки складають a = (0,270 ± 0,001) нм та c = (0,430 ± 0,001) нм і є близькими до табличних значень для Ru у масивному стані.Уперше були проведені дослідження електрофізичних властивостей тонких плівок Ru у широкому інтервалі ефективних товщин та температур та розраховані значення енергії активації заліковування дефектів Em згідно методики Венда. Встановлено, що піки на графіках залежностей спектрів дефектів кристалічної гратки відповідають енергіям заліковування дефектів вакансійного типу.^UPhD is devоted tо the cоmplex study оf physical prоperties оf instrument structures fоrmed оn the basis оf Ru and Cо thin films and interrelatiоn оf features оf structural-phase state and dimensiоnal effects in electrоphysical and magnetоresistive prоperties оf bоth single-layer Ru and Cо films and their film systems by methоds оf magnetrоn and electrоn beam depоsitiоn. Additiоnally, the physical prоcesses that оccur during the healing оf defects in single-layer films during heat treatment in the study оf their electrоphysical prоperties are explained.It was fоund that tо оbtain single-phase thin films оf HCP-Ru withоut traces оf оxide, оne оf the necessary cоnditiоns is the value оf the sample thickness d > 10 nm and additiоnal subsequent heat treatment up tо 900 K. Under these cоnditiоns, the lattice parameters are a = (0.270 ± 0.001) nm and c = (0.430 ± 0.001) nm and are clоse tо the tabular values fоr Ru in the massive state.Fоr the first time, the electrоphysical prоperties оf Ru thin films in a wide range оf effective thicknesses and temperatures were studied, and the values оf the activatiоn energy fоr the healing оf Em defects were calculated accоrding tо the Wend methоd. It is established that the peaks оn the graphs оf the dependences оf the spectra оf crystal lattice defects cоrrespоnd tо the healing energies оf defects оf the vacancy type.

Дисертаційна робота присвячена встановленню закономірностей структурно-фазових перетворень на межах розділу систем "графен - метал (Fe, Pt, Ti)" та "шар металу (Fe, Pt, Mn) до 25 нм - Si (100)".Встановлено закономірності процесів структурної релаксації та реконструкції на межах розділу систем "графен - монокристал металу (Fe, Pt, Ti) з різною кристалографічною орієнтацією поверхні" та вплив температурного фактору із застосуванням методу молекулярної динаміки; запропоновані критерії для забезпечення структурної стабільності меж розділу "графен-метал".Поєднання комп'ютерного моделювання з сучасними експериментальними методами досліджень дозволило визначити закономірності структурно-фазових перетворень на межах розділу нанорозмірних композицій "метал-кремній". Встановлено, що особливістю структурно-фазових перетворень в досліджених шарах силіцидів (Mn4Si7) та інтерметалідів (L10-FePt) є формування ансамблю структурних елементів плоскої та циліндричної форми, параметри і еволюція яких прогнозуються одержаними розв'язками дифузійних задач у новій постановці – зародження та росту частинок нової фази (як ансамблю) циліндричної та плоскої форми, що виростають в області з вичерпним джерелом дифузанту.Отримані в роботі результати представляють практичний інтерес для формування наукових основ новітніх технологій виробництва пристроїв мікро- та наноприладобудування з дослідженими в роботі шарами графену, металів, кремнію.^UThe thesis is devoted to investigation of regularities of structural phase transitions at the interfaces of "graphene-metal (Fe, Pt, Ti)" and "metal layer (Fe, Pt, Mn) below 25 nm-Si(100)" systems for formation of scientific bases of next generation microdevices fabrication. The feature of this work is the fact that, in contrast to other studies, combined approach for investigation of structural phase transitions at the interfaces of different types was applied: computer simulation methods of different scale levels were combined with modern experimental investigation methods. Molecular dynamics approach was used for investigation of "graphene-metal" interfaces. Main part of calculations was realized at Huizhou University (PRC), using TianHe-II supercomputer. The models of pure metal, free graphene, "graphene-metal system" of two different orientations for each metal, two temperatures – 300 K and 400K, three most densely packed metal planes were created in order to determine the impact induced by graphene coating. As a result, more than 70 model systems were analyzed, allowing to determine regularities of structural relaxation and reconstruction processes at the interfaces of systems "graphene-single crystal of metal Fe, Pt, Ti of various surface orientations" as well as impact of temperature factor. - there are just structural modifications (expansion up to 3%) without reconstruction of graphene at metal surfaces at temperatures below 400 K;- relaxation and reconstruction rates of surface layer decrease with increase of its crystallographic packing density, and increase with a rise of the temperature.Based on these regularities, the following criteria were proposed for a first time in order to provide structural stability of the "graphene-metal" interfaces:- in case of small mismatch between crystal lattice parameters of metal and graphene it is desirable to choose planes with a maximum surface packing density;- in case of large mismatch between crystal lattice parameters of metal and graphene it is desirable to choose planes with a lowest surface packing density;Interfaces of the second type "metal-silicon" were investigated by means of continuous approach, using modern nonlinear mathematical analysis methods, theory of differential equations with partial derivatives, integral equations as well modern experimental methods. The tasks of nucleation and growth of new phase particles (ensemble like) of flat and cylindrical shapes, growing from the area with a limited diffusant source, were considered as well. The solutions of these diffusion tasks in new forms were obtained, allowing to determine the following parameters: growth rate of new particles during heat treatment; maximum size of growing particles and time needed to achieve this size; concentration and time distributions in the area close to these particles; diffusion characteristics. For experimental study of technically promising “metal-silicon” systems in the temperature range of 723 K – 1273 K the following methods were used: secondary ions mass-spectrometry, X-ray diffraction, transmission electron microscopy, four-point resistivity measurements, etc. It was determined that feature of structural and phase modifications in the investigated layers of silicides (Mn4Si7) and intermetallics (L10-FePt) is a formation of structural elements ensemble of flat shape. Obtained solutions of diffusion tasks in a new form were used to forecast of parameters and evolution of found structural elements. Computer simulation of growth kinetics of Mn4Si7 silicide phase during co-deposition of Mn and Si, in case of oversaturated Mn-Si solid solution formation during initial diffusion stages, reveled satisfied agreement between calculation parameters and transmission electron microscopy experimental results.Using Fe-Pt/Si(100) system as an example, it was proved that molecular dynamics is an effective approach to determine temperature dependence of vacancy formation energy, diffusion activation energy, migration energies of Fe and Pt atoms in the L10-FePt intermetallic. Obtained results are of practical interest for scientific basis formation of modern technologies of micro- and nano- devices creation with layers of graphene, metals and silicon.

На основі аналізу процесу євроінтеграції країн Східної Європи систематизовано основні виклики, продемонстровано загрози та нові можливості від трансформацій при ефективній державній політиці, запропоновано показник паритету розвитку ринку праці, в тому числі в динаміці, як кореляцію між середньорічними трудовими доходами населення та рівнем зайнятості.Оцінено вплив роботизації та автоматизації на ринки праці майбутнього, продемонстровано світові підходи у вирішенні проблем забезпечення населення зайнятістю та доходами, висвітлено прогнози щодо професій з найбільшою загрозою зникнення та новітніх професій майбутнього. Запропоновано основні пріоритети щодо адаптації державних засобів до нових викликів.На основі аналізу опитування клієнтів СЗ протягом 2013-20р.р., продемонстровано відчутний рівень територіальної мобільності населення та готовності до зовнішньої трудової міграції (22-26%), значно більший відсоток готовності продовжувати шукати роботу в Україні (64-72%) чи започатковувати власну справу (23- 29%), проте, за умови державної підтримки, підвищення кваліфікації чи зміни професії.Продемонстровано механізми зменшення негативних складових трудової міграції, використання позитивних можливостей, що відкриваються з використанням системи обміну вакансій EURES за участі ДСЗ. Акцентовано на перевагах легалізованого міждержавного ринку праці в частині забезпечення правового та соціального захисту населення, зменшення державних витрат на соціальне забезпечення, відкриття нових можливостей для рееміграції тощо.На основі дослідження норм Ради Європи, Міжнародної організації праці та Європейського Союзу систематизовано основні міжнародні стандарти інституційного регулювання ринку праці. Проаналізовано та узагальнено стандарти матеріального забезпечення на випадок безробіття як інструмент ефективного впливу на ринки праці. Встановлено необхідність забезпечити допомогою мінімуму, потрібного для покриття витрат на основні життєві потреби і, в той же час, не знижувати стимули до зайнятості. Продемонстровано, що в Україні більш як 75% бюджету ДСЗ витрачається на допомогу з безробіття та лише 5% - на активні програми.Порівняльний аналіз із практикою Польщі, Латвії та Естонії продемонстрував значно ліберальніші вітчизняні підходи щодо виплати допомоги з безробіття. У співвідношенні допомоги з безробіття та зарплати в Україні та Польщі спостерігається мотиваційна складова до працевлаштування в Польщі та відсутність такої в Україні. В Україні понад 75% допомоги з безробіття виплачується у розмірі більшому за мінімальну зарплату, що не забезпечує мотивації до працевлаштування. Висвітлено порушення принципу справедливості при призначенні соціальної допомоги у максимальному розмірі. Вона по суті субсидіюється та є грошовим еквівалентом сплати відповідних соціальних внесків впродовж 20-25 років, а може бути призначеною вже після пів року стажу. Запропоновано механізм вивільнення до 30% коштів фонду на активні програми шляхом зменшення максимального розміру допомоги, зміни умов її повторного отримання, зменшення тривалості виплати, збільшення бази відрахувань для розрахунку, зміни підходів до підходящої роботи. Запропоновано збалансовану політику матеріального забезпечення на випадок безробіття як інструмент посилення мотивації до пошуку роботи та зменшення утриманських настроїв в суспільстві.Аналіз Європейської стратегії зайнятості WAPES та Стратегії мережі державних служб зайнятості ЄС PES-Network виокремив основні виклики та загрози, які постають на ринках праці. Аналіз служб зайнятості Данії, Великобританії, Швеції, Нідерландів, Австралії, Німеччини та Польщі визначив переваги локальної гнучкості та самостійності над жорсткою централізацією.Визначено та узагальнено основні інноваційні принципи регулювання ринку праці службами зайнятості: гнучкість, адресність та багатоканальність. Систематизовано організаційно-економічні механізми регулювання ринку праці державними службами зайнятості: профілювання клієнтів, розвиток людських ресурсів, мобільність робочої сили, справедливість й обґрунтованість матеріального забезпечення на випадок безробіття.Констатовано необхідність впровадження механізмів оновлення трудового потенціалу в Україні, що повинні включати: стимулювання рееміграції українців з-за кордону, справедливе та мотиваційне соціальне забезпечення, зменшення частки тіньової зайнятості, легалізований міждержавний ринок праці, впровадження доступних програм навчання дорослого населення, спрощені умови реєстрації та ведення бізнесу, програми підтримки малого бізнесу, встановлення дієвих механізмів залучення іноземних фахівців.Запропоновано ключові системні пріоритети регулювання ринку праці в Україні: інновації та локальна самостійність, інклюзивність та адресність послуг, орієнтованість послуг на клієнта, пріоритет активних програм над пасивним утриманням, справедливе та мотиваційне соціальне забезпечення, легалізація зайнятості, оновлене трудове законодавство, легалізований міждержавний ринок праці.^UBased on the analysis of the process of European integration of Eastern Europe, the main challenges are systematized, threats and new opportunities for transformation with effective public policy are demonstrated, the labor market parity indicator is proposed, including in dynamics, as a correlation between average annual income and employment level.The impact of robotics and automation on the labor markets of the future is assessed, the approaches in solving the problems of providing the population with employment and income are demonstrated, the forecasts on the professions with the greatest threat of extinction and the newest professions of the future are highlighted. The main priorities for adapting public funds to new challenges are proposed.Based on the analysis of the survey of PES clients during 2013-20, a significant level of territorial mobility of the population and readiness for external labor migration was demonstrated (22-26%), a much higher percentage of readiness to continue looking for work in Ukraine (64-72%) or to start own business (23-29%), however, subject to state support, training or change of profession.Mechanisms for reducing the negative components of labor migration, the use of positive opportunities opened up using the EURES vacancy exchange system with the participation of the PES are demonstrated. Emphasis is placed on the advantages of the legalized interstate labor market in terms of providing legal and social protection, reducing government spending on social security, opening new opportunities for re-emigration and more.Based on the study of the norms of the Council of Europe, the International Labor Organization and the European Union, the main international standards of institutional regulation of the labor market are systematized. The standards of material support in case of unemployment as a tool of effective influence on labor markets are analyzed and generalized. It is necessary to provide the minimum necessary to cover the cost of basic living needs and, at the same time, not to reduce incentives for employment. It has been shown that in Ukraine more than 75% of the PES budget is spent on unemployment benefits and only 5% on active programs.A comparative analysis with the practice of Poland, Latvia and Estonia showed much more liberal domestic approaches to the payment of unemployment benefits. In the ratio of unemployment benefits and wages in Ukraine and Poland, there is a motivational component to employment in Poland and the lack of such in Ukraine. In Ukraine, more than 75% of unemployment benefits are paid in excess of the minimum wage, which does not provide motivation for employment. Violation of the principle of justice in the appointment of social assistance in the maximum amount is highlighted. It is essentially subsidized and is the monetary equivalent of paying the relevant social contributions for 20-25 years, and can be appointed after six months of service. A mechanism for releasing up to 30% of the funds for active programs by reducing the maximum amount of assistance, changing the conditions for its re-receipt, reducing the duration of payment, increasing the base of deductions for calculation, changing approaches to appropriate work. A balanced unemployment policy has been proposed as a tool to increase motivation to look for work and reduce alimony in society.The analysis of the European Employment Strategy WAPES and the Strategy of the EU Public Employment Services PES-Network highlighted the main challenges and threats that arise in the labor markets. An analysis of the employment services of Denmark, the United Kingdom, Sweden, the Netherlands, Australia, Germany and Poland identified the advantages of local flexibility and autonomy over rigid centralization.The main innovative principles of labor market regulation by employment services are defined and generalized: flexibility, targeting and multichannel. Organizational and economic mechanisms of labor market regulation by state employment services are systematized: client profiling, human resources development, labor mobility, fairness and validity of material support in case of unemployment.The need to introduce mechanisms to renew labor potential in Ukraine, which should include: stimulating re-emigration of Ukrainians from abroad, fair and motivational social security, reducing the share of shadow employment, legalized interstate labor market, implementation of affordable adult education programs, simplified registration and management conditions business, small business support programs, establishment of effective mechanisms for attracting foreign specialists.Key systemic priorities of labor market regulation in Ukraine are proposed: innovations and local independence, inclusiveness and targeting of services, client-oriented services, priority of active programs over passive welfare, fair and motivational social security, employment legalization, updated labor legislation.

Дисертація на здобуття наукового ступеня доктора філософії за спеціальністю 081– Право. – Національний університет «Одеська юридична академія», Міністерство освіти і науки України, Одеса, 2021.Необхідність дослідження забезпечення доступу до правосуддя зумовлена потребою врахування впливу сучасних транзитивних процесів на систему правосуддя та формування сучасної концепції доступності правосуддя. Основна ідея такої концепції полягає у формуванні такої системи правосуддя, яка, у першу чергу, буде сприяти зменшенню організаційних бар'єрів для належної реалізації громадянами права доступу до правосуддя.У першому розділі розглянуто теоретико-методологічні засади дослідження доступу до правосуддя в транзитивних умовах та висвітлено питання сучасного стану дослідження концепції доступу до правосуддя у юридичний науці, що надало можливість виділити такі напрями: дослідження проблематики доступності правосуддя на загально-теоретичному та філософсько-правовому рівнях; дослідження проблематики доступності правосуддя в юридичних науках матеріального права; дослідження проблематики доступності правосуддя в юридичних науках процесуального права.Також у першому розділі доступність правосуддя розглянута як гарантія забезпечення прав людини. Визначено чинники (бар'єри) в умовах транзитивності, що перешкоджають реалізації та захисту права на доступ до правосуддя. До таких бар'єрів віднесено, зокрема: нестабільність правової системи, яка є визначальним фактором для обмеження права на доступ до правосуддя; нестабільне, ситуативне, недосконале процесуальне законодавство; недоліки правозастосовної судової практики; дефіцит судових кадрів, зумовлений незаповненням численних вакансій; затягування розгляду судових справ у зв'язку з незаповненням вакансій суддів та великою кількістю судових справ на кожного суддю; процесуальні перешкоди у доступі до правосуддя, ускладнений для громадян порядок звернення до суду, надмірна зарегульованість питань, пов'язаних з вимогами до змісту позовної заяви, процедури подання доказів; висока вартість якісних юридичних послуг; низький рівень правової культури та юридичних знань.Визначено механізми подолання бар'єрів, що перешкоджають реалізації та захисту права на доступ до правосуддя. Такими механізмами виступають: правова освіта та правове виховання з питань прав, обов'язків та правового захисту громадян (населення); формування суддівського корпусу на основі відкритого конкурсу за участю міжнародних експертів; застосування процедур, які полегшують звернення до суду (розвиток громадських центрів правосуддя, впровадження та поширення у національний правовий системі програм правової допомоги ); вдосконалення інституту конституційної скарги; розвиток електронного судочинства; формування інституту транзитивної юстиції; розвиток альтернативного (позасудового) та досудового врегулювання спорів.Надано визначення права на доступ до правосуддя, яке розуміється як закріплене нормами матеріального та процесуального права, окреме право людини і громадянина, що полягає у можливості вільного (безперешкодного) використання судових, альтернативних (позасудових) та досудових процедур для справедливого та ефективного захисту своїх прав.У другому розділі розкрито форми реалізації права на доступ до правосуддя в умовах транзитивності. Доведено, що конституційна скарга потенційно може стати одним із інструментів деліберативної (нарадчої) демократії завдяки таким її властивостям: 1) конституційна скарга є засобом протидії неправомірним та несправедливим судовим рішенням та/чи свавільного втручання державних органів; 2) наслідком задоволення конституційної скарги може стати скасування норми права, яка суперечить правам людини чи порушує їх; 3) конституційна скарга є засобом впливу індивіда та громадянського суспільства на правотворчість державних органів; 4) конституційна скарга є засобом залучення громадян до процесу публічного управління та контролю над діяльністю державних, в тому числі правотворчих органів.^UThe thesis for the degree of Doctor of Philosophy in the specialty 081 "Law" - National University "Odessa Law Academy. Odessa, 2021.Urgency for research of access to justice is conditioned by the need to take into account the impact of modern transitional processes on the judicial system and the formation of a modern concept of access to justice. The basic idea of the concept is to form the system of justice, that, first of all, can help to reduce organizational barriers to the proper exercise of civil right of access to justice.The first section considers the theoretical and methodological foundations of research on access to justice in transitive conditions and highlights the current state of research on the concept of access to justice in jurisprudence, which provided the following areas: research on access to justice at the general theoretical and philosophical and legal levels; research on the issue of access to justice in the legal sciences of substantive law; research on the issue of access to justice in the legal sciences of procedural law.Also in the first section, access to justice is considered as a guarantee of human rights. Factors (barriers) in the conditions of transitivity that hinder the realization and protection of the right to access to justice have been identified. The barriers include, in particular: the instability of the legal system, which is a determining factor in restricting the right of access to justice; unstable, situational, imperfect procedural legislation; shortcomings of law enforcement case law; staff shortage and low level of legal qualification of judicial staff; delaying the consideration of court cases due to the vacancy of judges and the large number of court cases per judge; procedural obstacles to access to justice, complicated procedure for applying to the court, excessive regulation of issues related to the requirements for the content of the statement of claim, the procedure for submitting evidence; high cost of quality legal services; low level of legal culture and legal knowledge.Mechanisms for overcoming barriers to the exercise and protection of the right of access to justice have been identified. The mechanisms are: legal education and legal education on the rights, responsibilities and legal protection of citizens (population); formation of the judiciary on the basis of an open competition with the participation of international experts; application of procedures that facilitate recourse to the courts (development of public justice centres, implementation and dissemination of legal aid programs in the national legal system); improving the institution of constitutional complaint; development of electronic litigation; formation of the institute of transitive justice; development of alternative (extrajudicial) and pre-trial dispute resolution.The definition of the right to access to justice is given, which is understood as a separate human and civil right enshrined in substantive and procedural law, which consists in the possibility of free (unimpeded) use of judicial, alternative (extrajudicial) and pre-trial procedures for fair and effective protection of their rights.The second section reveals the forms of realization of the right to access to justice in the conditions of transitivity. It is proved that a constitutional complaint can potentially become one of the tools of deliberative (advisory) democracy due to its following properties: 1) a constitutional complaint is a means of counteracting illegal and unjust court decisions and / or arbitrary interference of state bodies; 2) the satisfaction of a constitutional complaint may result in the repeal of a rule of law that contradicts or violates human rights; 3) a constitutional complaint is a means of influencing the individual and civil society on the law-making of state bodies; 4) a constitutional complaint is a means of involving citizens in the process of public administration and control over the activities of state, including law-making bodies.

Дослідження фізичних властивостей нанорозмірних об'єктів, тонких напівпровідникових та металевих плівок продемонстрували наявність унікальних функціональних властивостей цих матеріалів у порівнянні з об'ємними. Саме фізичні явища на границях розділу фаз, квантово-розмірні ефекти дозволяють створювати нові покоління мікроелектронних приладів і схем, в яких розміри активних елементів складають десятки і навіть одиниці нанометрів. Дослідження таких структур та технологічні рішення з їх виготовлення потребують застосування нових методик, які враховують специфіку досліджуваних об'єктів. До таких методик безумовно слід віднести іонно-променеві технології. Застосування цих технологій дозволяє формувати нові матеріали, або провадити їх радикальну структурну і фазову модифікацію, а це потребує детального вивчення фізичних процесів із залученням найсучасніших методів досліджень. Одним з найпотужніших методів вивчення домішкового складу речовин є мас спектрометрія вторинних іонів.В першому розділі зроблено короткий огляд літератури по темі дисертації та виділено проблеми, які потребують детального вивчення. Приведено опис методу часо-пролітної мас-спектрометрії, визначено оптимальні параметри вимірювань, які дозволяють досліджувати структури нанометрових розмірів. Методом іонної імплантації ряду домішок було виготовлено тестові зразки для калібровки результатів мас-спектрометричних досліджень, що дозволило проводити кількісні вимірювання концентрації домішок. Визначено коефіцієнти елементної чутливості методу та з використанням структур з дельта-легованими щарами досягнута роздільна здатність методу часо-пролітної мас-спектрометрії по глибині порядку 1 нм. В другому розділі розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яка була застосована для аналізу InSb діода з p-n переходом і було визначено оптимальний профіль легування InSb іонами Be+. Показано, що для забезпечення оптимальних параметрів фотодіодів необхідно проводити імплантацію берилію з різними енергіями. За допомогою мас-спектрометрії було досліджено профілі розподілу легуючої домішки і визначено оптимальну глибину залягання p-n переходу. Досліджено процеси фотонного відпалу імплантованих структур, визначено оптимальні параметри відпалу. Показано, що при відпалах формуються оксиди індію та антимону, а також відбувається сегрегація антимону. Знайдено режими додаткової обробки, які приводять до зменшення таких паразитних ефектів. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітріду кремнію, леговані воднем. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів.Третій розділ присвячено дослідженням процесів гетерування кисню при імплантації іонів вуглецю. Показано, що гетерований з об'єму кисень накопичується в області розподілу вакансій та на границі розділу фаз природній окисел – кремній. Визначено оптимальні технологічні режими для генерації термодонорних центрів. Знайдено оптимальну дозу імплантації і температуру відпалу для ефективної генерації ТД центрів. Показано, що область формування ТД центрів залежить від енергії імплантації іонів вуглецю. Фоточутливість структур з прихованим n+ шаром визначається процесами рекомбінації носіїв струму в приповерхневій дефектній області.В четвертому розділі дисертації проведено дослідження двошарових структур Pt/Fe, які отримували методом магнетронного напорошення. Еволюцію їх структури та магнітних властивостей після відпалів та іонного легування досліджували методами XRD і SIMS. Було показано, що імплантація іонів N+ дозволяє зменшити як температуру, так і час відпалу, необхідний для сприяння дифузійно-структурним фазовим переходам. Зроблено висновок, що застосування іонного легування є перспективним шляхом для створення самоорганізованого способу формування гетероструктур.П'ятий розділ дисертації містить результати досліджень багатошарових структур Co/Si, Mo/Si та AlN/GaN після їх модифікації іонною імплантацією домішок. Знайдено новий ефект, який полягає в збільшенні номінальної товщини існування аморфно-кластерного стану плівок кобальту і затримці подальшої вибухової кристалізації зростаючої плівки кобальту завдяки легуванню атомами вуглецю. Показано, що накопичення кисню на інтерфейсах Mo/Si є однією з основних причин деградації багатошарової структури під час перегріву. 3D-вимірювання TOF-SIMS дозволили виявити місця проникнення кремнію в молібден.^UStudies of the physical properties of nanoscale objects, thin semiconductor and metal films have demonstrated the unique functional properties of these materials compared to bulk ones. It is the physical phenomena at the phase boundaries, quantum-dimensional effects allow to create new generations of microelectronic devices and circuits in which the size of the active elements are tens or even units of nanometers. Research of such structures and technological solutions for their manufacture require the use of new techniques that take into account the specifics of the studied objects. Such techniques should certainly include ion-beam technology. The application of these technologies allows to form new materials, or to carry out their radical structural and phase modification, and this requires a detailed study of physical processes with the involvement of the most modern research methods. One of the most powerful methods for studying the impurity composition of substances is the mass spectrometry of secondary ions. The first section provides a brief overview of the literature on the topic of the dissertation and highlights the problems that require detailed study. The description of the time-of-flight mass spectrometry method is given, the optimal measurement parameters are determined, which allow to investigate the structures of nanometer dimensions. By the method of ion implantation of a number of impurities, test samples were made to calibrate the results of mass spectrometric studies, which allowed quantitative measurements of the concentration of impurities. The coefficients of elemental sensitivity of the method were determined and the resolution of the time-of-flight mass spectrometry method at a depth of the order of 1 nm was achieved using structures with delta-doped layers.In the second section, a numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was used to analyze the InSb diode with a p-n junction and determined the optimal doping profile of InSb implanted by Be+ ions. It is shown that to ensure optimal parameters of photodiodes it is necessary to implant beryllium with different energies. Using mass spectrometry, the distribution profiles of the doping impurity were investigated and the optimal depth of the p-n junction was determined. The processes of photon annealing of implanted structures are investigated, the optimal annealing parameters are determined. It has been shown that oxides of indium and antimony are formed during annealing, and antimony segregation also occurs. Modes of additional processing which lead to reduction of such parasitic effects are found. The processes of passivation of diode structures have been studied and it has been shown that the optimal coatings are silicon nitride films doped with hydrogen. The technology was developed and experimental samples of photodiodes were made. The third section is devoted to the study of oxygen generation processes during the implantation of carbon ions. It is shown that the oxygen generated from the volume accumulates in the area of vacancy distribution and at the phase boundary of natural oxide - silicon. The optimal technological modes for the generation of thermodonor centers are determined. The optimal implantation dose and annealing temperature for efficient generation of TD centers were found. It is shown that the region of formation of TD centers depends on the energy of implantation of carbon ions. The photosensitivity of structures with a hidden n+ layer is determined by the processes of recombination of charge carriers in the near-surface defective region.In the fourth section of the dissertation, a study of two-layer Pt / Fe structures obtained by magnetron sputtering was performed. The evolution of their structure and magnetic properties after annealing and ion doping was studied by XRD and SIMS methods. It has been shown that the implantation of N+ ions can reduce both the temperature and the annealing time required to promote diffusion-structural phase transitions. It is concluded that the use of ion doping is a promising way to create a self-organizing method of heterostructure forming. The fifth section of the dissertation contains the results of studies of multilayer structures Co/Si, Mo/Si and AlN/GaN after their modification by ion implantation of impurities. A new effect is found, which consists in increasing the nominal thickness of the existence of the amorphous-cluster state of cobalt films and delaying the subsequent explosive crystallization of the growing cobalt film due to doping with carbon atoms. It is shown that the accumulation of oxygen at the Mo/Si interfaces is one of the main causes of degradation of the multilayer structure during overheating. 3D-measurements of ToF-SIMS revealed the penetration of silicon into molybdenum.