Бази даних

Автореферати дисертацій - результати пошуку

Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"

Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (17)Книжкові видання та компакт-диски (62)Журнали та продовжувані видання (1)
Пошуковий запит: (<.>U=В379.13,022$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8

      
1.

Аверков Ю.О. 
Високочастотні явища у двошарових двовимірних електронних системах у квантуючому магнітному полі: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.02 / Ю.О. Аверков ; НАН України. Ін-т монокристалів. — Х., 1999. — 16 с. — укp.

Дисертація присвячена дослідженню енергетичного спектра електронів, холловської провідності та високочастотних властивостей несиметричних двошарових двомірних електронних систем у квантуючому магнітному полі у режимі цілочисельного квантового ефекта Холла. Виявлено, що особливості енергетичного спектра електронів у таких системах приводять до ефекту зникнення холловських плато як з парними, так і з непарними цілочисельними значеннями фактора заповнення рівнів Ландау. Показано, що цей ефект обумовлює цілий ряд нових високочастотних ефектів: появу стрибка максимальної величини на формі лінії циклотронного резонансу, квантування коефіцієнтів сповільнення та загасання поверхневих поляритонів і квантування спектральної густини та енергії перехідного випромінювання поверхневих поляритонів зарядом, що перетинає електронну систему.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022

Рубрики:

      
2.

Барабанов О.В. 
Квантово-механічна теорія спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О.В. Барабанов ; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 1999. — 13 с. — укp.

Дисертація присвячена розробці квантово-механічної теорії спін-залежної рекомбінації в напівпровідниках за участю локалізованих електронних пар. Запропонована теорія побудована на основі рівняння руху для оператора густини електронної пари і застосована для опису спін-залежної рекомбінації за механізмом Каплана-Соломона-Мотта та через збуджені триплетні стани точкових дефектів. Для обох механізмів досліджені положення та форма резонансних піків нерівноважної провідності. В рамках цього підходу в теорію спін-залежної рекомбінації включено надтонку взаємодію спінів локалізованих електронів та ядер, які оточують електрон. Це дозволяєвикористати її для аналізу реальних спектрів магнітного резонансу, які зареєстровані шляхом вимірювання провідності зразка (електрично-детектований магнітний резонанс, ЕДМР). В дисертації сформульовані характерні риси існуючих механізмів спін-залежної рекомбінації через локалізовані електронні пари, які дозволяють по експериментальним даним віддати перевагу одному механізму.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022

Рубрики:

      
3.

Софієнко А. О. 
Кінетика рентгенопровідності селеніду цинку: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. О. Софієнко ; Київ. нац. ун-т ім. Т. Шевченка. — К., 2010. — 20 с. — укp.

Вперше експериментально проведено комплексні одночасні вимірювання рентгенопровідності та рентгенолюмінесценції ZnSe, фотопровідності та фотолюмінесценції, релаксації струму та фосфоресценції за різних температур, термостимульованої люмінесценції та термостимульованої провідності моно- та полікристалічних зразків ZnSe. Виявлено кореляції в залежностях термостимульованої провідності та люмінесценції ZnSe, за реєстрації фосфоресценції та релаксації струму. Спостережено значну відмінність в характері провідності та люмінесценції в залежності від типу збудження. Розроблено теоретичну модель для розрахунку просторового розподілу згенерованих електронно-діркових пар, що виникають за умов поглинання в напівпровіднику рентгенівського кванту. Розраховано власне електричне поле "гарячих" носіїв заряду та розглянуто його вплив на динаміку зміни їх дрейфової швидкості. Запропоновано кінетичну модель рентгенопровідності напівпровідників, яка враховує наявність пасток і центрів рекомбінації в кристалі та розраховує форму імпульсу струму рентгенопровідності в зовнішньому електричному колі напівпровідникового детектора.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022 + В379.24,022 + В379.42,022
Шифр НБУВ: РА377500 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
4.

Нейчева 
Перетворення енергії в широкозонних кристалах LiCaAlF6 i LiSrAlF6: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / Світлана Вікторівна Нейчева ; НАН України; Інститут монокристалів. — Х., 2009. — 20 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022
Шифр НБУВ: РА368301

Рубрики:

      
5.

Борусевич В.А. 
Поляронні стани в ізотропних та анізотропних напівпровідникових квантових ямах: автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.02 / В.А. Борусевич ; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. — Чернівці, 2009. — 20 с. — укp.

Розглянуто залежність енергії зв'язку полярона, його ефективної маси та середньої швидкості від хвильового вектора. Проведено порівняльний аналіз даних величин у структурах з різною величиною параметра електрон-фононної взаємодії для моделей скінченної та нескінченної потенціальних ям і різних ширин квантової ями (КЯ). На підставі знайденого закону дисперсії полярона, враховуючи взаємодію електрона як з обмеженими, так з інтерфейсними та напівобмеженими фононами, визначено залежність густини станів полярона від енергії в області енергій менших за енергію фононів. Визначено внесок у густину станів кожної з фононних віток. Встановлено закони дисперсії для кожного типу поляризаційних фононів і обмежені інтервали енергій, в яких вони можуть існувати, для симетричних і несиметричних тришарових наногетеросистем кристалів гексагональної симетрії. Висвітлено характер залежностей частот від хвильового вектора для усіх типів фононних мод.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В372.314.3,022 + В379.13,022 +
Шифр НБУВ: РА369041

Рубрики:

      
6.

Баужа О.С. 
Роль спін-орбітальної та електрон-електронної взаємодій у формуванні магнітних властивостей квантових точок та кілець: автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / О.С. Баужа ; Київ. нац. ун-т ім. Т.Шевченка. — К., 2010. — 20 с. — укp.

Розглянуто вплив ефектів спін-орбітальної та електрон-електронної взаємодій на намагніченість і магнітну сприйнятливість у нанорозмірних квантових точках (КТ) та кільцях (КК). Знайдено залежності намагніченості та магнітної сприйнятливості від параметрів точки (кільця) та величини прикладеного зовнішнього магнітного поля. Встановлено незвичну поведінку у низькотемпературній області, а саме стрибкоподібну зміну магнітних властивостей КТ і КК у разі невеликої зміни прикладеного магнітного поля. Використано в роботі теорію функціоналу густини та рівня Кона-Шема для розрахунку енергетичних рівнів електронів у дворозмірній параболічній квантовій точці (квантовому кільці), заповненій 2 - 6-ма електронами. Виявлено вплив складових Рабши та Дрессельхауза спін-орбітальної взаємодії на енергетичні рівні електронів і магнітні властивості квантових точок (кілець).

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022 + В379.27,022 + В371.236,022
Шифр НБУВ: РА373691 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
7.

Кириченко Ф.В. 
Теорія електронних станів і магнітооптичні ефекти у квантових ямах з напівмагнітними бар'єрами: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / Ф.В. Кириченко ; НАН України. Ін-т фізики. — К., 2001. — 20 с. — укp.

Визначено умови існування резонансних станів дірки у поодинокій квантовій ямі з напівмагнітними бар'єрами. Розроблено методику розрахунку даних резонансних станів і досліджено їх параметри.Удосконалено методику варіаційних розрахунків станів екситонів у квантовій ямі. Наведено пояснення природи додаткових ліній у спектрах квантових ям як оптичних переходів, дозволених лише за наявності асиметрії потенціалу квантової ями. Відзначено, що можливість нерезонансних тунельних переходів зі зміною спіну електрона в подвійних квантових ямах з НМН бар'єром призвела до появи додаткової сходинки на вольт-амперній характеристиці.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022
Шифр НБУВ: РА312911 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Рубрики:

      
8.

Мороз І.Є. 
Фононні спектри нелінійнооптичних кристалів $E roman {LiB sub 3 O sub 5, beta-BaB sub 2 O sub 4, Li sub 2 B sub 4 O sub 7}: Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / І.Є. Мороз ; Львів. держ. ун-т ім. І.Франка. — Л., 1999. — 17 с. — укp.

  Скачати повний текст


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13,022

Рубрики:
 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського