Розглянуто питання розробки достовірних експериментальних і розрахункових методів визначення критеріїв появи та кількісних характеристик оборотних відмов (відхилення вольтамперних характеристик) напівпровідникової елементної бази електрорадіовиробів (діодів) за умов дії імпульсного електромагнітного випромінювання. Побудовано фізичну модель появи та розвитку оборотних відмов напівпровідникових діодів, обумовлених трансформацією енергії струмів, наведених імпульсним електромагнітним випромінюванням, в енергію власних електромагнітних коливань напівпровідникових приладів. Одержано розрахункові співвідношення для визначення кількісних характеристик оборотних відмов напівпровідникових діодів (енергії випромінювання) за умов перехідного та черенковського випромінювання. Проведено експериментальне дослідження впливу імпульсного електромагнітного випромінювання на вольтамперні характеристики діодів у діапазоні робочих напруг і струмів приладів такого типу. Проведено порівняльний аналіз результатів експериментальних досліджень і розрахункових оцінок оборотних відмов, доведено адекватність запропонованої фізичної моделі появи відмов напівпровідникових приладів за умов дії імпульсного випромінювання та можливість її застосування для одержання кількісних характеристик відмов такого роду.

  Скачати повний текст

Досліджено енергетичні властивості L-, C-негатронів, що дозволило визначити взаємозв'язок між видом вебер-амперної, кулон-вольтної характеристик та еквівалентними їх схемами. Визначено умови стійкості та можливі режими роботи навантажених L-, C-негатронів N- і S-типів. Виявлено чутливість електронних кіл з даними негатронами. Показано, що L-, C-негатрони є багатофункціональними елементами, використання яких дозволяє покращати технічні характеристики елементів автоматики. Вивчено динамічні негатрони на базі біполярних і польових транзисторів у схемах включення з спільними емітером і витоком. Розглянуто коливальні контури з L-, C-негатронами. Розроблено ряд елементів автоматики на їх базі (індуктивні та ємнісні сенсори на базі L-, C-негатронів, що мають у 20 - 40 разів більшу чутливість, у порівнянні до прототипів; широкосмугові високочастотні аналогові ключі на C-негатронах).

  Скачати повний текст

Розроблено комплексну математичну модель з метою проведення розрахунків різних типів діодних і тріодних вістрійних структур. На підставі даної моделі здійснено моделювання досліджених структур з урахуванням кремнієвого вістря (КВ) і вістря, вкритого алмазноподібною плівкою (АПП). Уперше досліджено тріодну структуру на підставі КВ, вкритого АПП з сіткою, нанесеною на поверхню катоду. Обгрунтовано можливість одержання та підсилення коливань з урахуванням даних структур у діапазонах до 300 ГГц у тріодних структурах і до 1 000 ГГц у різноманітних модифікаціях діодних структур, а також зменшення робочих напруг у тріодних структурах до величини порядку 20 - 30 В на аноді та 10 - 15 В на сітці.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст