Пошуковий запит: (<.>U=В379.25$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 487
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10. — СПб., 1992
|
| 2. |
Андрухив А. М. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов Zn Cd Hg . Te : Дис...канд. физ.- мат. наук: 01.04.10. — СПб., 1992
|
| 3. |
Вагидов Н. З. Параллельный транспорт горячих электронов в гетероструктурах с их переносом в реальном пространстве : Дис... канд. физ.- мат. наук: 01.04.07. — К., 1996
|
| 4. |
Шепель Л. Г. Влияние вакуум-термической обработки теплового узла на концентрацию остаточного углерода в GaAs при выращивании кристаллов методом Чохральского. — 1998 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 5. |
Artamonov V. V. Study of subsurface Si layers with a latent SiO2 layer // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4.
|
| 6. |
Romanyuk B. N. Evolution of recombination parameters of "solar" monocrystalline silicon due to thermal and getting treatments // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4.
|
| 7. |
Патон Б. Е. Бестигельная зонная плавка монокристаллов кремния с помощью электронного луча // Доп. НАН України. - 1999. - № 7.
|
| 8. |
Пузенко О. О. Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 1999
|
| 9. |
Туров В. В. Нові можливості керування фазовим переходом метал - напівпровідник в діоксиді ванадію // Доп. НАН України. - 1999. - № 1.
|
| 10. |
Фита И. М. Переход полупроводник-сверхпроводник в NdBaCuO, управляемый внешним давлением через механизм кислородного упорядочения. — 1999 // Физика и техника высоких давлений.
|
| 11. |
Баран Н. П. Исследование процесса старения пористого кремния. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 12. |
Неймаш В. Б. Про деякі особливості генерації та відпалу термодонорів у кремнії. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 13. |
Dubovik M. F. Study of specific features of lanthanum, gallium and silicon oxides interaction in the course of lanthanum gallosilicate La3Ga5SiO14 // Functional Materials. - 1999. - 6, № 1.
|
| 14. |
Кислюк В. В. Електродифузія іонів як спосіб керування концентрацією мілких донорів у сульфіді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — К., 1999
|
| 15. |
Kaganovich E. B. Interface electronic properties of heterojunctions based on nanocrystalline silicon. — 1999 // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка.
|
| 16. |
Червоный И. Ф. Индукционная бестигельная зонная плавка кристаллов кремния большого диаметра. — 1999 // Пробл. спец. электрометаллургии.
|
| 17. |
Червоний І. Ф. Наукове обгрунтування і розробка технології монокристалів кремнію методом спеціальної електрометалургії (безтигельною зонною плавкою) : Автореф. дис... д- ра техн. наук : 05.16.03. — Запоріжжя, 1999
|
| 18. |
Меняйло В. І. Моделювання процесів хемостимульованої міграції атомних часток у приповерхневих шарах напівпровідників : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10. — Запоріжжя, 1999
|
| 19. |
Нащекіна О. М. Фазові переходи в кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/ PbTe : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07. — Х., 1999
|
| 20. |
Савицький А. В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників : Навч. посіб. — Чернівці: Рута, 1999
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
