Пошуковий запит: (<.>U=Г124.25$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 29
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
1. |
Ніколюк П. К. Особливості впливу 3d-металу на структуру валентної зони в тернарних силіцидах рідкісноземельних металів. — 2001 // Укр. фіз. журн.
|
2. |
Горбачук Н. П. Теплоемкость DySi2 и HoSi1,67 при температурах 55 - 300 К. — 2001 // Порошковая металлургия.
|
3. |
Лавренко В. А. Сравнительное исследование химической устойчивости крупнодисперсного и нанокристаллического порошка <$E bold alpha>-SiC в агрессивных электролитах. — 2005 // Наноструктур. материаловедение.
|
4. |
Луценко В. Г. Нитевидные и трубчатые нанокристаллы карбида кремния. — 2005 // Порошковая металлургия.
|
5. |
Силенко П. М. Нановолокна нитрида кремния, полученные пиролизом SiCl4 в среде H2 и N2. — 2007 // Теорет. и эксперим. химия.
|
6. |
Покропивный В. В. Нанотрубки и нанотрубчатые волокна из карбида кремния: синтез, стабильность, структура и классификация. — 2006 // Теорет. и эксперим. химия.
|
7. |
Лаврив Л. В. Синтез нанотрубок нитрида кремния. — 2005 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
8. |
Силенко П. М. Влияние температуры получения на структуру нановолокон Si3N4. — 2011 // Теорет. и эксперим. химия.
|
9. |
Горбачук Н. П. Высокотемпературные термодинамические свойства силицидов Ln5Si3 цериевой подгруппы. — 2011 // Укр. хим. журн.
|
10. |
Третиник В. Ю. Интенсивность процессов межчастичного взаимодействия в гидросуспензиях нитрида кремния. — 2011 // Укр. хим. журн.
|
11. |
Беда А. А. Метод расчета кинетических параметров процесса десорбции для случая плохо разделенных пиков при исследовании углеродных нанотрубок и карбида кремния. — 2010 // Сверхтвердые материалы.
|
12. |
Горбачук Н. П. Термодинамические свойства силицидов редкоземельных металлов RSi2-x при высоких температурах. — 2012 // Укр. хим. журн.
|
13. |
Тимошенко Я. Г. Особливостi взаємодiї та фазоутворення мiж нанорозмiрним нестехiометричним карбідом кремнію та оксидом залiза. — 2012 // Порошковая металлургия.
|
14. |
Гусев А. В. Восстановление тетрахлорида кремния водородом в химически активной плазме // Теорет. и эксперим. химия. - 2014. - 50, № 1.
|
15. |
Pulyaeva I. V. Investigation of stoichiometry and gas-forming impurity content in silicon carbide // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1.
|
16. |
Ніколюк П. К. Електронна структура тернарних силіцидів рідкоземельних металів // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 1999. - № 3.
|
17. |
Ніколюк П. К. Електронна структура сполук CeMSi2(M - Fe, Co, Ni) // Вісн. Вінниц. політехн. ін-ту. - 1999. - № 2.
|
18. |
Tishchenko I. Yu. TGA-DSC-MS analysis of silicon carbide and of its carbon-silica precursor // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2015. - 6, № 2.
|
19. |
Щербань Н. Д. Структура и пористость карбида кремния, полученного матричным способом // Теорет. и эксперим. химия. - 2015. - 51, № 5.
|
20. |
Махмуди (A. Mahmoodi) А. Оптические свойства наноструктур карбида кремния, полученных методом химического осаждения из газовой фазы // Теорет. и эксперим. химия. - 2016. - 52, № 4.
|
| |