Пошуковий запит: (<.>U=З843.412$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 41
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Lepikh Ya. I. Selective polarization of ferroelectrics in functional microelectronics // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 3.
|
| 2. |
Sosnin A. Image infrared converters based on ferroelectric-semiconductor thin-layer systems // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 4.
|
| 3. |
Бокринская А. А. Нелинейные колебания в последовательной колебательной цепи с сегнетоэлектрической емкостью. — 2001 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 4. |
Yevdokimov S. V. Photoionization peculiarities of <$E bold roman Fe sup 2+ > impurity centers in doped <$E bold roman LiNbO sub 3 > crystals // Functional Materials. - 2002. - 9, № 1.
|
| 5. |
Соснін О. В. Властивості структури сегнетоелектрик - напівпровідник для використання в електронній техніці. — К., 2002
|
| 6. |
Муравов С. А. Сравнительная эффективность пироэлектрических материалов. — 2003 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 7. |
Morozovska A. N. Photo-microdomains in ferroelectrics: formation and light scattering caused by them // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3.
|
| 8. |
Соснин А. В. Исследование ВЧ-плазменной технологии получения и методики сенсибилизации слоев халькогенида кадмия на пьезокерамике ЦТС-19 : Моногр. — Черновцы: Рута, 2004
|
| 9. |
Aceves M. Application of silicon rich oxide films in new optoelectronic devices. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 10. |
Morozovska A. N. Partial polarization switching in ferroelectrics-semiconductors with charged defects // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 3.
|
| 11. |
Шпак А. П. Реальная 180<$E bold symbol Р>-доменная граница в тонких пленках сегнетоэлектриков. — 2005 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 12. |
Левицький Р. Р. Дослідження кристалів <$Eroman bold {NaKC sub 4 H sub 4 O sub 6 ~ cdot ~ 4 H sub 2 O }>, <$Eroman bold {RbHSO sub 4 ,~NH sub 4 HSO sub 4 }> у межах моделі Міцуї із врахуванням тунелювання. — Л., 2005 - (Препр.; ICMP-05-13U).
|
| 13. |
Глинчук М. Д. Влияние электродов на свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. — 2005 // Наноструктур. материаловедение.
|
| 14. |
Сливка О. Г. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність кристалів сегнетової солі. — Л., 2005 - (Препр.; ICMP-05-08U).
|
| 15. |
Андрусик А. Я. Дослідження термодинамічних властивостей частково дейтерованих сегнетоелектриків <$Ebold {{ roman Rb(H} sub {1~-~x~} { roman D } sub x ) sub 2 roman PO sub 4 }>. — Л., 2006 - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ICMP-06-22U).
|
| 16. |
Левицький Р. Р. Повздовжні діелектричні, п'єзоелектричні, пружні, динамічні та теплові властивості сегнетоелектриків типу <$Ebold {{ roman KH} sub 2 { roman PO} sub 4 }>. — Л. — 2006 - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ICMP-06-08U).
|
| 17. |
Шпак А. П. Особенности строения доменной границы в пленках сегнетоэлектриков. — 2006 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 18. |
Butenko А. F. Processes of electrical relaxation in PVDF-BaTiO3 composites. — 2006 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
|
| 19. |
Glinchuk M. D. Properties of thin ferroelectric film allowing for electrodes. — 2006 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 20. |
Левицький Р. Р. Поперечні діелектричні, п'єзоелектричні, пружні та динамічні властивості сегнетоелектриків типу <$Ebold roman {KH sub 2 PO sub 4 }>. — Л., 2007 - (Препр.; ICMP-07-24U).
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
