Пошуковий запит: (<.>U=З843.412$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 41
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Бокринская А. А. Нелинейные колебания в последовательной колебательной цепи с сегнетоэлектрической емкостью. — 2001 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 2. |
Соснин А. В. Исследование ВЧ-плазменной технологии получения и методики сенсибилизации слоев халькогенида кадмия на пьезокерамике ЦТС-19 : Моногр. — Черновцы: Рута, 2004
|
| 3. |
Соснін О. В. Властивості структури сегнетоелектрик - напівпровідник для використання в електронній техніці. — К., 2002
|
| 4. |
Сливка О. Г. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність кристалів сегнетової солі. — Л., 2005 - (Препр.; ICMP-05-08U).
|
| 5. |
Левицький Р. Р. Дослідження кристалів <$Eroman bold {NaKC sub 4 H sub 4 O sub 6 ~ cdot ~ 4 H sub 2 O }>, <$Eroman bold {RbHSO sub 4 ,~NH sub 4 HSO sub 4 }> у межах моделі Міцуї із врахуванням тунелювання. — Л., 2005 - (Препр.; ICMP-05-13U).
|
| 6. |
Андрусик А. Я. Дослідження термодинамічних властивостей частково дейтерованих сегнетоелектриків <$Ebold {{ roman Rb(H} sub {1~-~x~} { roman D } sub x ) sub 2 roman PO sub 4 }>. — Л., 2006 - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ICMP-06-22U).
|
| 7. |
Левицький Р. Р. Повздовжні діелектричні, п'єзоелектричні, пружні, динамічні та теплові властивості сегнетоелектриків типу <$Ebold {{ roman KH} sub 2 { roman PO} sub 4 }>. — Л. — 2006 - (Препр. / НАН України. Ін-т фізики конденс. систем; ICMP-06-08U).
|
| 8. |
Муравов С. А. Сравнительная эффективность пироэлектрических материалов. — 2003 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 9. |
Aceves M. Application of silicon rich oxide films in new optoelectronic devices. — 2004 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 10. |
Глинчук М. Д. Влияние электродов на свойства тонких сегнетоэлектрических пленок. — 2005 // Наноструктур. материаловедение.
|
| 11. |
Непочатенко В. А. Аналіз орієнтаційної відповідності двох фаз при формуванні тонких фазових меж у сегнетоеластику Pb3(PO4)2. — 2007 // Укр. фіз. журн.
|
| 12. |
Шпак А. П. Особенности строения доменной границы в пленках сегнетоэлектриков. — 2006 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 13. |
Шпак А. П. Реальная 180<$E bold symbol Р>-доменная граница в тонких пленках сегнетоэлектриков. — 2005 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 14. |
Butenko А. F. Processes of electrical relaxation in PVDF-BaTiO3 composites. — 2006 // Фотоэлектроника: Межвед. науч. сб.
|
| 15. |
Glinchuk M. D. Properties of thin ferroelectric film allowing for electrodes. — 2006 // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології.
|
| 16. |
Божко А. П. Аналіз моделей переключення поляризованості сегнетоелектричних ЗП. — 2007 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 17. |
Морозовская А. Н. Полярно-активные свойства сегнетоэлектрических нанокомпозитов: (обзор). — 2007 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 18. |
Гомоннай О. О. Барична поведінка діелектричної проникності в кристалах <$E bold roman TlGaSe sub 2>. — 2008 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 19. |
Дегтярёв А. В. Микроконтроллерная система сбора и обработки данных электрических испытаний позисторов. — 2008 // Систем. технології.
|
| 20. |
Морозовская А. Н. Наноразмерные сегнетоэлектрики: (обзор). — 2008 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
