Пошуковий запит: (<.>U=В375.147$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 134
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
| 1. |
Ковтун Г. П. Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 2. |
Ковтун Г. П. Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского. — 2004 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 3. |
Комарь В. К. Монокристаллы группы <$Eroman bold {А sup II В sup VI}>. Выращивание, свойства, применение : Моногр. — Х.: Ин-т монокристаллов, 2002 - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники).
|
| 4. |
Гринев Б. В. Оптические монокристаллы сложных оксидных соединений : Моногр. — Х.: Ин-т монокристаллов, 2002 - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники).
|
| 5. |
Сольский И. М. Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью. — 2005 // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре.
|
| 6. |
Пузиков В. М. Монокристаллы КDP/DKDP для мощных лазеров. Выращивание, свойства, применение. — Х.: Ин-т монокристаллов, 2004 - (Состояние и перспективы развития функцион. материалов для науки и техники).
|
| 7. |
Явецький Р. Отримання монокристалів літій-гадолінієвого борату, активованого європієм <$Eroman bold {Li sub 6 Gd(BO sub 3 ) sub 3 :Eu sup 3+ }>. — 2005 // Вісн. Львів. ун-ту. Сер. фіз.
|
| 8. |
Хомяк В. В. Технологія очистки і вирощування монокристалів - основа сучасного електронного приладобудування : навч. посіб. — Чернівці: Рута, 2007
|
| 9. |
Таланін В. І. Дослідження процесів утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених методом Чохральського. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
| 10. |
Клименко Ю. А. Исследование температурных полей и геометрии фронта при кристаллизации вещества по методу Бриджмена. — 2003 // Пробл. упр. и информатики.
|
| 11. |
Колчеманов Н. А. Кинетика образования поликристаллического алмаза. — 2003 // Сверхтвердые материалы.
|
| 12. |
Притчин С. Э. Методы улучшения качества видеоизображения при определении диаметра монокристалла кремния телевизионным способом в процессе роста. — 2002 // Систем. технології.
|
| 13. |
Бритун В. Ф. Особливості мартенситного зародження алмазоподібних фаз у графітоподібному ромбоедричному нітриді бору. — 2002 // Укр. фіз. журн.
|
| 14. |
Оксанич А. П. Предварительная идентификация двухвходовой объединенной модели "передаточная функция - шум" в системе управления процессом выращивания монокристаллов кремния. — 2003 // Систем. технології.
|
| 15. |
Петренко В. Р. Применение ARMAX-модели в управлении процессом выращивания монокристаллов методом Чохральского. — 2003 // Систем. технології.
|
| 16. |
Ткач В. Н. Рассеяние рентгеновского излучения решеткой монокристаллов алмаза. — 2002 // Металлофизика и новейшие технологии.
|
| 17. |
Иванов А. И. Теплопроводность монокристалла GaAs, выращенного в условиях микрогравитации. — 2002 // Физика низ. температур.
|
| 18. |
Притчин С. Э. Физическая модель ростовой установки для исследования систем управления процессом выращивания кристаллов по методу Чохральского. — 2002 // Систем. технології.
|
| 19. |
Захарук З. І. Вирощування, кристалічна і композиційна структура варізонних епітаксійних шарів <$E bold {{roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te}> та <$E bold {{roman Cd} sub x {roman Mn} sub y {roman Hg} sub 1-x-y roman Te}>. — 2006 // Фізика і хімія твердого тіла.
|
| 20. |
Семізоров О. Ф. Вплив умов вирощування кристалів p-CdSb на їх термоелектричні властивості. — 2006 // Термоелектрика.
|
| | |
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
