Пошуковий запит: (<.>U=З86-531<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 18
Представлено документи з 1 до 18
|
| 1. |
Довгий Я. Від Пулюєвих катодних ламп до лазерів з електронним збудженням. — Л., 1998 // Фіз. зб.
|
| 2. |
Ільчишин І. П. Особливості характеристик генерації домішкових холестеричних рідких кристалів як активного середовища РЗЗ-лазера і шляхи їх оптимізації. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 3. |
Каменев Ю. Е. Переходные процессы в плазме HCN-лазера. — 1999 // Радиофизика и электроника.
|
| 4. |
Малышев В. А. Приближенная нелинейная теория инверсной населенности полупроводниковых лазеров. — 1999 // Изв. вузов. Радиоэлектроника.
|
| 5. |
Кельман В. А. Про синхронізацію мод в лазері на парі міді. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 6. |
Дзюбенко М. И. Пространственно-угловые характеристики излучения лазеров с кольцевой геометрией активного элемента. — 1998 // Радиофизика и электроника.
|
| 7. |
Дахов Н. Ф. Субмиллиметровый газоразрядный HCN лазер с внутренними пленочными электродами. — 1998 // Радиофизика и электроника.
|
| 8. |
Корсунська Н. О. Процеси деградації синьо-зелених лазерних діодів на основі сполук A2B6. — 1999 // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника.
|
| 9. |
Бойко О. В. Резонанси насиченої флуоресценції внутрішньорезонаторного поглинаючого газу - нові ефективні репери для лазерних стандартів частоти. — 1999 // Укр. фіз. журн.
|
| 10. |
Ambrosov S. V. Laser photoionization sensor technology and new possible principal scheme for <$E bold gamma>-laser on quickly decayed nuclear isomers with electric field and autoionization sorting of excited atoms. — 2005 // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології.
|
| 11. |
Тронько В. Д. Расчет и анализ характеристик импульсных лазерных дальномеров. — 2007 // Електроніка та системи упр.
|
| 12. |
Pokladok N. T. Peculiarites of magnetoresistance in single crystals InSe and GaSe, laser intercalated by chrome. — 2008 // Оптико-електрон. інформ.-енерг. технології.
|
| 13. |
Малінін О. М. Фізика процесів у газорозрядній плазмі на робочих сумішах ексимерних XeCl- і HgBr-лазерів : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.04. — К., 1998
|
| 14. |
Petrov V. V. Analysis of properties of optical carriers after long-term storage // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4.
|
| 15. |
Ivanov I. I. Thin silicon solar cells with SiOx/SiNx Bragg mirror rear surface reflector // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2009. - 12, № 4.
|
| 16. |
Salo V. I. Rapidly grown KDP crystals // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2.
|
| 17. |
Maslov V. V. Spectral and fluorescent characteristics of laser dyes for 650 - 800 nm range // Functional Materials. - 2006. - 13, № 3.
|
| 18. |
Косяк І. В. Високостабільний регулятор температури напівпровідникового лазера для інтерферометрії // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. - 2016. - 18, № 4.
|
НОВІ
ПОШУК
Книжкові видання та компакт-диски
