Пошуковий запит: (<.>U=К967.2$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 8
Представлено документи з 1 до 8
|
1. |
Тітаренко О.В. Забезпечення якості поверхневого шару на етапі напівчистової обробки термопластичних полімерних матеріалів : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.03.01. — Х., 2008. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
2. |
Колесніков О.В. Легування як метод керування теплофізичними властивостями кристала та розплаву при вирощуванні сцинтиляційних матеріалів : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.01. — Х., 2009. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
3. |
Тимошенко Оптимізація параметрів процесу вирощування кристалів AIBVII із розплаву безперервним методом : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.01. — Х., 2009. — 19 с. — укp.
Рубрики:
|
4. |
Воронкін Є.Ф. Оптимізація умов отримання напівпровідникових кристалів CdTe, Cd(Zn)Te, ZnSe(Te) та детекторів на їх основі : автореф. дис... канд. техн. наук: 05.02.01. — Х., 2009. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
5. |
Кудін О.М. Розробка науково-технологічних основ модифікації поверхні кристалів для корегування їх сцинтиляційних характеристик : автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.02.01. — Х., 2007. — 40 с. — укp.
Рубрики:
|
6. |
Козьмін Ю. С. Системи багатомірного керування процесами виробництва органічних сцинтиляторів : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.13.03. — Х., 2010. — 20 с. — укp.
Рубрики:
|
7. |
Сахно В.І. Створення електрофізичних радіаційних установок та дослідження змін властивостей матеріалів при промислових радіаційних технологіях : автореф. дис... д-ра техн. наук: 01.04.16. — К., 2009. — 36 с. — укp.
Рубрики:
|
8. |
Старжинський Фізико-технологічні основи одержання АIIВVI сцинтиляторів, їхні властивості й особливості застосування : Автореф. дис... д-ра техн. наук: 05.02.01. — Х., 2006. — 38 с. — Бібліогр.: с.28-34. — укp.
Рубрики:
|