Сукач Г. О. Люмінесценція плівок GaN:Zn, оброблених радикалами азоту, отриманими у високочастотній плазмі аміаку / Г. О. Сукач, В. В. Кидалов, О. І. Власенко, Є. П. Потапенко // Укр. фіз. журн. - 2003. - 48, № 3. - С. 244-249. - Бібліогр.: 27 назв. - укp.Досліджено вплив відпалу в атмосфері радикалів азоту, одержаних шляхом обробки аміаку у високочастотному розряді, на люмінесцентні властивості плівок GaN:Zn, вирощених за допомогою методу МОС-гідридної епітаксії на сапфірових (0001)-підкладках. В міру підвищення температури відпалу спостережено монотонне зменшення інтенсивності фіолетової 2,88 еВ і близькокрайової 3,48 еВ смуг фотолюмінесценції (ФЛ). Внаслідок відпалу в атмосфері радикалів азоту за температур 500 - 750 <$E symbol Р>С виявлено нові смуги з енергіями випромінювання в максимумі 3,27 і 3,42 еВ, інтенсивність яких збільшувалася з ростом температури відпалу. Проведено аналіз механізмів утворення та природи всіх смуг. Установлено, що смуги люмінесценції 2,88; 3,42 та 3,27 еВ характерні для плівок GaN, одержаних практично за будь-якою технологією, і пов'язані з простими дефектами структури. Експериментально доведено участь кисню у формуванні смуги 3,42 еВ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|