Сукач Г. О. Нітриди третьої групи: перспективи розвитку та застосування (огляд) / Г. О. Сукач, Є. П. Потапенко, В. В. Кідалов, П. Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 265-293. - Бібліогр.: 95 назв. - укp.Розглянуто стан розвитку одного з найперспективніших напрямів опто- та наноелектроніки, а саме: технологічні та конструкторські аспекти нітридів третьої (Ga, In, Al) групи. Значну увагу приділено аналізу відомих технологічних методів одержання об'ємних монокристалів, епітаксійних шарів, гетеро- та квантово-розмірних структур на основі нітридів третьої групи, а також розгляду нових технологічних методів покращання характеристик тонких епітаксійних шарів. Наведено результати сучасних розробок комерційних приладів оптоелектроніки та високочастотної електроніки на основі матеріалів типу GaN: світлодіодів, лазерів і фотоприймачів, а також транзисторів, що експлуатуються за екстремальних умов. Описано переваги таких приладів нового покоління в порівнянні з відомими. Надано оцінку сьогоднішнього рівня та перспектив технологічних аспектів виробництва матеріалів типу GaN і конструкторських розробок приладів опто- та мікроелектроніки на основі нітридів третьої групи. Індекс рубрикатора НБУВ: З85-03
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|