Одержано шари пористого GaAs за допомогою методу анодного електрохімічного травлення пластин n-GaAs n-GaAs орієнтації (111)B, спочатку в розчині HF в етанолі, а потім у розчині KOH. Морфологію пористого GaAs вивчено за допомогою растрової електронної спектроскопії, а склад поверхні вивчено за допомогою рентгенівської фотоелектронної спектроскопії. Пористі шари GaAs досліджено із використанням методу рамановської спектроскопії. Установлено, що у порівнянні з монокристалічним для пористого GaAs має місце відмінність в енергетичному положенні фононних реплік і в їх напівширинах.

Ключ. слова: пористий GaAs, комбінаційне розсіювання, растровий електронний мікроскоп, пори й нитки
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кідалов Валерій Віталійович (1960–) (фізико-математичні науки)
• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"