Проаналізовано вплив на екситонні спектри відбивання приповерхневої області напівпровідникових кристалів, в яких існує просторова дисперсія. Загальним методом, заснованим на числовому інтегруванні системи диференціальних рівнянь, які описують розповсюдження поляритонів в неоднорідній області, розраховано спектри екситонного відбивання кристалів <$E beta>-ZnP2. Детально розглянуто частковий випадок поверхневого бар'єру Шотткі. Теорія використовується для пояснення особливостей, які виникають в спектрах екситонного відбивання кристалів <$E beta>-ZnP2. Виявлено, що при досить значних ширинах області просторового заряду в спектрах екситонного відбивання з'являється додатковий мінімум, який проявляється в експерименті та обумовлений зв'язаними станами екситонів в штарківських потенціальних ямах.

• Сукач Георгій Олексійович (фізико-математичні науки)
• Корбутяк Дмитро Васильович (1945–) (фізико-математичні науки)
• Литовченко Володимир Григорович (1931–2021) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"