Сичікова Я. А. Вплив дислокацій на пороутворення в монокристалах n-InP та n-GaP, оброблених в травниках на основі HF / Я. А. Сичікова, Г. О. Сукач, В. В. Кідалов, Ю. І. Яценко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2010. - 11, № 2. - С. 314-322. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Експериментально досліджено морфологію, структуру, ренгенодифрактограми, електронограми та хімічний склад поруватих зразків InP і GaP n-типу, одержаних шляхом анодного електролітичного травлення (111)-поверхні монокристалів у галогенофтористих електролітах. Установлено кореляційні зв'язки між густиною дислокацій монокристалів і концентрацією утворених пор, визначено роль дислокацій у пороутворенні. Запропоновано механізми утворення та мультиплікацію пор у досліджуваних зразках. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.23 + В372.31
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|