Розглянуто моделювання електронної підсистеми обмеженої напівпровідникової структури нанометрових розмірів. Модель орієнтовано на пояснення поведінки електронів спорідненості. Розширено галузь використання результатів отриманих в обмеженій моделі Кроніга - Пенні на випадок довільної форми потенційної ями. Визначено від'ємну кривизну дисперсійної залежності енергії електронів за наявності зовнішнього електричного поля. Сформульовано класифікаційне правило, що пов'язує ієрархію потенціалу з ієрархією спектра. Досліджено явище руйнування енергетичних зон із зростанням невпорядкованості.

  Скачати повний текст

Досліджено вплив параметрів тильних рефлекторів на основі шарів паруватого кремнію (ПК) на ефективність об'ємного фотоперетворювача на базі мультикристалічної кремнієвої текстурованої підкладинки, встановлення механізмів струмопроходження в дисперсних фотоперетворювачах, знаходження оптимальних параметрів цих структур. Числово встановлено вплив квантових ям на параметри фотоперетворення в кремнієвих сонячних елементах з ПК. Розроблено метод керування спектральною характеристикою коефіцієнта відбиття у сонячних елементах з поруватим Брегівським дзеркалом.

  Скачати повний текст

Досліджено їх фазовий склад, мікроструктуру, електропровідність, вольт-амперні характеристики (ВАХ). Встановлено вплив термоциклювання на електрофізичні властивості даних матеріалів. Вперше виявлено гістерезис і розмірний ефект ВАХ у матеріалах з ФПМН. Одержано аналітичний вираз для ВАХ, який адекватно описує дані ефекти.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено процеси за умов сильної нерівноважності носіїв заряду у разі їх розігріву сильним електричним полем в об'ємних кристалах германію та гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами. Вивчено струмові нестійкості, які виникають за цього, а також утворення просторово-неоднорідних структур у вигляді струмових шнурів або високопольових доменів. Експериментально виявлено теоретично повздовжні термодифузійні автосолітони у вигляді струмових шнурів у кристалах Gе. Показано, що такі автосолітони утворюються у слабкорозігрітій плазмі з високою концентрацією носіїв. Виявлено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs із квантовими ямами в латеральному електричному полі виникають статичні високопольові акустоелектричні домени. Визначено, що в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними тунельно-зв'язаними квантовими ямами просторовий перенос електронів у гріючому електричному полі із широких квантових ям у вузькі ями призводить до різкого збільшення інтенсивності далекого інфрачервоного випромінювання електронів.

  Скачати повний текст

Досліджено електричні, фотоелектричні та рентгеноелектричні процеси у анізотипних гетеропереходах сульфід - телурид кадмію, виготовлених методом реакцій твердофазного заміщення. Розглянуто технологічні режими які дозволяють отримувати гетеропереходи з незначною концентрацією дефектів на межі поділу. Проаналізовано зв'язок основних електричних та фотоелектричних характеристик і параметрів гетероструктур за умов їх виготовлення. Виявлено спектральну залежність коефіцієнтів помноження носіїв заряду, що дало змогу встановити домінуючу роль дірок у процесах ударної іонізації. Наведено спектральні та дозиметричні характеристики гетероструктур під час їх опромінення рентгенівськими квантами. Виготовлено лабораторні зразки сонячних елементів, детекторів лазерного випромінювання, оптопар, детекторів рентгенівського випромінювання прямого перетворення та типу "сцинтилятор-фотодіод". Чутливість останніх до рентгенівських квантів у діапазоні 8 - 33 кеВ більш, ніж на два порядки перевищує чутливість існуючих аналогів.

  Скачати повний текст

Одержано зонно-енергетичну діаграму бромиду індію та ефективні маси вільних носіїв заряду. Встановлено генезис валентних зон та нижніх зон провідності InBr. Розраховано розподіл густини станів, виміряно фотоелектронний спектр у широкому енергетичному діапазоні, проаналізовано структуру, досліджено генетичне та просторове походження основних смуг та вплив особливостей Ван Хова на формування функції густини станів. Проведено розрахунок повної енергії, визначено рівноважні параметри основного стану кристала та атомні характеристики InBr. Проаналізовано природу виміряних у широкій енергетичній області (до 30 еВ) поляризованих спектрів відбивання за температури рідкого гелію з використанням обчислених за співвідношенням Крамерса - Кроніга оптичних функцій монокристалів InBr. Розраховано міжзонні матричні елементи дипольного моменту та спектри уявної частини діелектричної проникності для різних поляризацій світла. Проведено ідентифікацію головних особливостей оптичних спектрів броміду індію.

  Скачати повний текст

Виявлено ефект обмеження струму в оксидно-індієвій кераміці - після ділянки надлінійного росту струму з напругою струм зростає повільніше, ніж лінійно, спостерігається його насичення і навіть зменшення. Розроблено модель сублінійної залежності струму від напруги в оксидній кераміці, здійснено числове моделювання такого неомічного ефекту. На відміну від відомої моделі, враховано ріст концентрації акцепторних станів на межі зерен за рахунок додаткової адсорбції кисню в результаті прикладення напруги. На температурній залежності електропровідності одержаної оксидно-індієвої кераміки в повітрі в діапазоні 570 - 670 К виявлено ділянку росту опору матеріалу з нагрівом. Запропоновано механізм обмеження струму в оксидній кераміці з нанорозмірними зернами. Насичення струму в такому матеріалі пов'язується з фіксацією висоти потенціального бар'єру на межі зерен в результаті досягнення напруги, за якої шар, збіднений носіями заряду, розширюється на все зерно.

  Скачати повний текст

Досліджено особливості роботи діодів на основі арсеніду галію, що містить нейтральні центри захоплення носіїв заряду та нестійкості струму, що виникають у цих діодах за умов міждолинного переносу електронів, ударної іонізації домішок і захоплення електронів у сильних електричних полях. Вивчено роботу генераторів на основі цих діодів і перехідні процеси, що в них відбуваються, за різних профілей легування. Розглянуто спільну роботу додів з міждолинним переносом електронів і діодів з негативною диференціальною провідністю, зумовленою тунельними ефектами. Установлено особливості їх використання для одержання генерації у широкому діапазоні частот. Розглянуто можливості помноження частоти з використанням тунельних явищ. Досліджено роботу діодів з міждолинним переносом електронів з тунельним і резонансно-тунельними контактами. Визначено умови одержання генерації діодів з таким контактом за рахунок ефекту міждолинного переносу електронів, а також за рахунок негативної диференціальної провідності контакту.

  Скачати повний текст

Проведено дослідження акустичної емісії (АЕ) в напівпровідникових світовипромінювальних структурах на основі сполук GaP, GaAs та GaN за умов протікання постійного прямого електричного струму. Вивчено акустичний відгук у монокристалах GaAs та CdTe у разі дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання. Розвинуто перспективний напрямок фізики твердого тіла, пов'язаний з використанням явища АЕ як цілеспрямованого неруйнівного тонкого методу вивчення динаміки дефектоутворення напівпровідникових структур в режимі реального часу. Вперше виявлено, що зміни в спектрі електролюмінесценції, які традиційно пов'язуються зі зміною стану точкових дефектів, корелюють з виникненням АЕ, обумовленої процесом перебудови структури матеріалу в локальних об'ємах. Встановлено межу плавлення грані (III) сполук GaAs та CdTe під час наносекундного лазерного опромінення за показником зміни амплітуди акустичного відгуку.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Встановлено зростання контактної різниці потенціалів у процесі механічного стискання гетероконтактів GaSe/InSe, що знайшло пояснення під час врахування діелектричного прошарку на межі поділу. Побудовано модель дії одновмісного тиску на границю розділу. Виявлено відмінності форм фотовідгуків гетероконтактів під час дії різних значень одновісного тиску й енергії квантів світла. Вперше виявлено випрямляний ефект гетероструктури n-InSe-мумійо, одержаним шляхом нанесення спиртового розчину молекулярно-дисперсійної речовини мумійо на чисту поверхню пластин напівпровідника InSe.

  Скачати повний текст

Досліджено актуальні задачі, пов'язані з впливом радіаційного випромінення, термовідпалів і спрямованої пружної деформації на електрофізичні властивості Si та Ge n-типу. Продемонстровано безпосередній зв'язок особливостей питомого опору, п'єзоопору, коефіцієнта Холла тощо, які спостерігаються у гамма-опромінених n-Si та n-Ge (різного рівня легування та компенсації), з анізотропією розсіяння. Встановлено суттєвий вплив анізотропії розсіяння на формування кінетичних коефіцієнтів, що вимірюються за умов змішаного (фононного + домішкового) чи переважно домішкового розсіяння в слабко збуреному тепловому полі, а також за наявності довільних за величиною (неквантуючих) магнітних полів чи спрямованих пружних деформацій.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Досліджено спектри електронів, дірок, екситонів і фононів у простих і складних сферичних квантових точках, а також електрон- і екситон-фононній взаємодії у зазначених наносистемах. Розвинуто теорію та виконано розрахунки спектрів і хвильових функцій квазічастинок у багатошарових сферичних квантових точках і сферичних періодичних наноструктурах. Висвітлено особливості локалізації квазічастинок у них. На підставі прикладу циліндричної квантової точки зі скінченною висотою потенціального бар'єра на межі поділу середовищ запропоновано метод наближеного розрахунку спектрів електронів і дірок у квантових точках несферичної симетрії. Розраховано зонні характеристики для надгратки сферичних квантових точок. У рамках моделі діелектричного континууму розвинуто теорію та розраховано енергії обмежених і інтерфейсних фононів у складних сферичних квантових точках. На основі методу функцій Гріна розраховано перенормування енергій основних етапів електрона та дірки взаємодією з фононами з повним врахуванням конфігураційної взаємодії. Розвинуто теорію квазістаціонарних резонансних станів електронів і дірок у "відкритих" сферичних та циліндричних наносистемах. Розраховано залежності часів життя квазістаціонарних резонансних станів від розмірів квантових ям, ширини потенціальних бар'єрів та величини поздовжнього квазіімпульсу для "відкритих" квантових дротів.

  Скачати повний текст

Розроблено фізічні основи застосування поляризаційних явищ для вивчення та контролю особливостей керамічних матеріалів з міжкристалітними потенціальними бар'єрами. Експериментально досліджено ізотермічну та термостимульовану деполяризації, нелінійну електропровідність та ємнісний ефект залежно від структурної невпорядкованості оксидно-цинкової варисторної кераміки різних складів. Наведено моделі для аналізу температурної залежності струмів термостимульованої деполяризації, що враховують перезарядження об'ємних і поверхневих електронних станів на протилежних сторонах напівпроводникового кристаліту неоднорідної системи з міжкристалітними потенціальними бар'єрами. Запропоновано методи прогнозування вольт-амперних і вольт-фарадних характеристик, що враховують поляризаційні явища в широкому діапазоні електронних напруг. Розвинуто фізичні основи застосування явищ ізотермічної та термостимульованої деполяризації та вольт-фарадних характеристик у діапазоні малих напруг для визначення фізичних параметрів оксидної варисторної кераміки.

  Скачати повний текст

Дисертацію присвячено встановленню динаміки переходу від коливних до хаотизованих станів біполярної стаціонарної і нестаціонарної системи носіїв у напівпровіднику в умовах дрейфової нестійкості. Виявлено і описано нові типи дивних атракторів в стаціонарній та нестаціонарній напівпровідникових системах з двома типами носіїв. Встановлено, що при наявності ефекту Гана системі електронів в h-GaAs властива властива переміжність хаотичних та впорядкованих станів. Запропоновано новий експрес-метод трасирування траекторій для дослідження топології фазових портретів і їх еволюції, який характеризується наочністю та простотою алгоритмічної реалізації, що обумовлює високу швидкість розрахунків, а також створено програмне забезпечення для комплексного дослідження процесів самоорганізації в складних динамічних системах.

  Скачати повний текст