Встановлено закономірності впливу властивостей і характеристик розплаву на кристалізацію монокристалів і розподіл домішок. Проаналізовано вплив електромагнітного поля плавильного індуктора на процеси, які протікають у розплаві. Описано переважні механізми перемішування розплаву в рідкій зоні в процесі вирощування монокристалів кремнію методом безтигельної зонної плавки.

  Скачати повний текст

З використанням математичного планування експерименту побудовано поверхні однакових швидкостей травлення (діаграми Гіббса) вказаних напівпровідників у досліджуваних системах розчинів з використанням ацетатної, лактатної, тартної та цитратної кислот як комплексоутворювача та хлоридної, бромидної та йодидної як галогенідних кислот. На підставі результатів аналізу та методами електронно-зондового мікроаналізу, рентгенівської фотоелектронної спектроскопії поверхневих плівок, які утворюються після кислотного травлення, встановлено, що дані плівки неоднорідні та збагачені, в основному, оксидами телуру, а шорсткість поверхні змінюється в межах від 0,2 до 0,1 мкм. Установлено вплив хімічної обробки поверхні на електрофізичні параметри структур Au - p - CdTe. У досліджених системах оптимізовано склад полірувальних травильних композицій, розроблено режими та методи підготовки полірованих поверхонь телуриду кадмію та твердих розчинів на його основі, випробуваних за заводських умов.

  Скачати повний текст

Досліджено особливості гетероепітаксії з рідкої фази у неізоперіодній системі GaSb-InAs, що утворює гетероперехід II роду. Проведено теоретичний аналіз процесів, які мають місце під час гетероепітаксії GaSb/InAs, визначено умови, що забезпечують планарність гетеромережі й епітаксійного шару, встановлено основні вимоги щодо методу епітаксії. Побудовано математичну модель і розроблено комп'ютерний алгоритм для процесів тепломасопереносу, що мають місце у разі використання методу імпульсного охолодження насиченого розчину-розплаву. За допомогою моделювання визначено технологічні режими для забезпечення теоретично розрахованих умов росту. Запропоновано нову методику рідкофазної епітаксії на базі використання охолодження тильного боку підкладки потоком газу, що подається ззовні реактора та дозволяє керувати умовами росту на початкових стадіях і протягом усієї епітаксії. Практично реалізовано касету, що містить додатковий тепловий вузол для застосування нової методики. Експериментально одержано планарні гетероепітаксійні структури GaSb/InAs.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

З'ясовано природу та стуктуру домішкових і власних парамагнітних дефектів у кристалах GaAs, SiC та кремнієвих матеріалах, в яких утворюються нанокристаліти. Встановлено, що резонансне спінове поглинання центрів Mn у нейтральному стані має електродипольну природу. Визначено симетрію та параметри надтонкої взаємодії для мілкої домішки бору у 3C - SiC. Визначено параметри спін-гамільтоніана трьох основних дефектів Ку1, Ку2 та Ку3, утворених опроміненням електронами кристалів 6H - SiC p-типу.

  Скачати повний текст

Наведено результати комплексних досліджень основних закономірностей та особливостей механізмів тензорезистивних ефектів у сильнодеформованих кристалах кремнію та германію n-типу провідності. Запропоновано методи визначення фізичних механізмів тензоефектів у сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Встановлено, що поряд з класичними механізмами перерозподілу електронів між долинами існують додаткові, пов'язані з радикальною перебудовою зони провідності за рахунок деформаційно-індукованого збільшення ефективної маси електрона. Для сильнолегованих кристалів кремнію за умови досягнення переходу метал - ізолятор одержано залежність ефективної маси електрона від одновісного тиску, що знаходиться в повній відповідності з теоретичними розрахунками, а також з експериментальними даними. З'ясовано особливості ударної іонізації станів дрібних домішок на ізоляторному боці деформаційно-індукованого переходу метал - ізолятор для сильнолегованих кристалів кремнію та германію n-типу провідності. Виявлено особливості електрофізичних властивостей нейтронно-легованих кристалів кремнію, зумовлені наявністю високотемпературних технологічних термодонорів.

  Скачати повний текст

Розроблено конструкції та технології виготовлення автодинного сенсора дециметрового діапазону частот, придатного для проведення вимірювань кінетичних параметрів у широкому температурному діапазоні тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів у дециметровому діапазоні частот. Досягнено підвищення достовірності й ефективності вимірювань в широкому температурному діапазоні кінетичних характеристик тонкоплівкових напівпровідникових матеріалів давачів інфрачервоного діапазону. Проведено дослідження впливу схемотехнічних факторів на ефективність дефектування та можливість покращання характеристик сенсора, зокрема співідношення сигнал / шум і коефіцієнта заповнення котушки.

  Скачати повний текст

З використанням методів термічного випаровування та вакуумної конденсації досягнуто відтворне виготовлення епітаксійних надграток (НГ) Eu-PbS з товщиною монокристалічних шарів до одного моношару. За зміни інтенсивності рефлексів-сателітів у процесі відпалу визначено коефіцієнти взаємодифузії шарів, з урахуванням яких виявлено, що величина перемішаної зони, яка формується у процесі одержання НГ за Т = 523 К, не перевищує одного моношару. За допомогою фотолюмінесценції встановлено, що в НГ EuS-PbS спостерігаються ефекти розмірного квантування енергетичного спектру носіїв. Уперше для магнітних напівпровідникових надграток EuS-PbS встановлено наявність міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів EuS через немагнітні прошарки PbS, яка призводить до антиферомагнітного впорядкування магнітних шарів (намагніченості сусідніх шарів направлені у протилежному напрямі), що спостерігається в інтервалі товщини прошарків PbS 0,45 - 5,0 нм.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Надано результати дослідження кремнієвих автоемісійних мікрокатодів з елементами керування на структурах "кремній-на-ізоляторі" для застосування у цифровій електронній літографії. Доповнено рівняння Фаулера-Нордгейма з метою розрахунку автоемісії напівпровідників. Удосконалено методи розрахунку електронної оптики мікрокатода, спосіб і схему керування мікрокатодом. Обгрунтовано умови застосування компактних моделей МОН-транзисторів. Розроблено спосіб виготовлення локальних тривимірних КНІ-структур і показано приклади їх застосування. Розроблено та верифіковано топологію схеми керування, інтегрованої з мікрокатодом, наведено приклад її тиражування в матрицю. Показано розрахункові й експериментальні характеристики тестових структур.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Уперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння дефектної підсистеми нестехіометричних CdTe, HgTe n- і p-типу провідності, з використанням яких розраховано зміну концентрації дефектів і носіїв струму у межах області гомогенності. Уперше запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння переважаючих механізмів утворення твердих розчинів на основі кадмій телуриду n-типу у системі CdTe - ZnTe та p-типу у системі CdTe - MnTe.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Проведено моделювання впливу нанокристалітів і домішок рідкісноземельних металів на зонну будову й електропровідність матеріалу, а також показано їх вплив на фоточутливі характеристики фотоприймачів, що забезпечило теоретичне підгрунтя у пошуку оптимальних технологічних режимів. Встановлено зв'язок наноструктури та хімічного складу плівок з технологічними параметрами синтезу. Встановлено, що електропровідність та фоточутливість нанокристалічних кремнієвих плівок зростає у разі збільшення степені кристалічності матеріалу, водночас як зростання УФ-чутливості спостерігається у разі зменшення розмірів нанокристалітів. Встановлено зростання електропровідності, фото- та УФ-чутливості кремнієвої плівки у разі введення до її складу домішків рідкісноземельних металів. Досліджено вплив домішок РЗМ на величину фото-енергорушійної сили гетеропереходів на основі плівок нанокристалічного кремнію. Запропоновано технологічні режими, в яких фото- та УФ-чутливість фоторезисторів і фотодіодів, а також ефективність та стабільність фотоелектричних перетворювачів досягає максимальних значень.

  Скачати повний текст

Розроблено сумісні технології формування локальних планарних "кремній-на-ізоляторі" (КНІ) структур методами мікрозони лазерної рекристалізації й оригінальні технологічні підходи формування локальних тривимірних КНІ-структур. Розроблено архітектуру спеціалізованого базового матричного кристала (БМК) зі структурою КНІ для мікросистемних використань. Досліджено можливості використання приладних КНІ-структур для екстремальних умов експлуатації. Розроблено нові тривимірні КНІ елементи для побудови мікросистем, зокрема, контакти та міжз'єднання, ключові елементи на діодах Шоткі, КНІ МОН-транзистори, елементи матриць автоемісійних мікрокатодів зі схемами керування з покращаними характеристиками на основі об'ємного кремнію.

  Скачати повний текст