Пошуковий запит: (<.>U=В379.271$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 485
Представлено документи з 1 до 20
|
| | |
|
| | | |
|
| 1. |
ІС15125
Cornelius, Steffen.
Charge transport limits and electrical dopant activation in transparent conductive (Al, Ga):ZnO and Nb:TiO2 thin films prepared by reactive magnetron sputtering [Text] : diss. / Steffen Cornelius ; Fak. Mathematik und Naturwissenschaften der Techn. Univ. Dresden. - Dresden, 2014. - 186, [27] p. : fig. - Бібліогр. в кінці дис.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 2. |
ІС12280
Paget, Daniel.
Detection optique de la resonance nucleaire dans GaAs pur dans des conditions de pompage optique [Text] : thèse / D. Paget ;
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 3. |
ІВ193276
Kietzmann, Hardy.
Dotierte und undotierte Kohlenstoffcluster [Text] : Diss. / H. Kietzmann ; Universität zu Köln. Math.-Naturwiss. Fak. - Köln : [б.в.], 1997. - 123 S.: Abb. - Бібліогр.: s.114-123
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 4. |
ІВ196335
Göbel, Andreas.
Effects of the isotopic composition on vibronic and electronic properties of semiconductors [Text] : abh. / A. Göbel ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : Max- Planck- Inst. für Festkörperforschung, 1998. - XVII, 237 p.: fig. - Бібліогр.: p. 213-232
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 5. |
ІВ222014
Freitag, Janna.
Einfluss des Metall-Halbleiter Rückkontaktes auf die Photokatalytische Aktivität von Hocheffizienten Titandioxid Schichten [Text] : Diss. / Janna Freitag ; Naturwissenschaftlichen Fak. der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover, 2015. - VIII,166 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 128-145
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 6. |
MFI2159/1-2
Schwarz, Claude.
Electrical and optical properties of silicide-silicon heterostructures [Text] : diss. / C. Schwarz ; Swiss Federal institute of technology Zürich. - Zürich : [б.в.], 1995. - 121 p.:fig. - (Diss. ETH ; 10994)
2 mfishe
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 7. |
Видання в опрацюванні - ще не надійшло за місцем зберігання
Khanmamadova, E. A.
Electronic properties... [Text] / Khanmamadova. - Baku, 2023.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 8. |
В276322/Vol. 16
Encyclopedia of applied physics [Text] / ed. G. L. Trigg [a.o.]. - New York, NY : VCH Publishers etc., 1991 .
Vol. 16 : Raman spectroscopy instrumentation to Schottky barriers. - 1996. - vii, 600 p.: fig. - Бібліогр.: v kinci st. - ISBN 1-56081-058-0 (set). - ISBN 1-56081-075-0 (vol.16)
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 9. |
ІВ209660
Jin, Xiaoyue.
Enhanced macroscopic quantum tunneling in BiSrCaCuO8+ð Intrinsic Josephoson Junction Stacks [Text] : diss. / X. Jin ; Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Die Naturwisenschaftliche Fakultäten. - [Erlangen ; Nürnberg] : [б.в.], 2007. - 99 p.: fig. - Бібліогр.: p. 92-96
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 10. |
ІВ214715
Lüdtke, Thomas.
Entkoppelte Graphen-Einzel-Lagen: p-n-Übergänge, Quanten-Interferenzen und Nichtlinearität [Text] : Diss. / Thomas Lüdtke ; Fak. für Mathematik und Physik der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover, 2011. - 188 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 167-182
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 11. |
ІР9735
Abdurahmanova, Vafa Alafsar.
Kinetical events in complex conductor crystals of system [Ce(Sm)]xSn1-xSe [Text] : abstr. of the diss. ... Dr of Philosophy : 2220.01 / Vafa Alafsar Abdurahmanova ; [Inst. of Physics, Lab. of "Physics of Bionanostructures"]. - Baku, 2022. - 28 p. : fig., tab.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 12. |
ІВ196931
Zipprich, Jürgen.
Konvergente Elektronenbeugung an verzerrten epitaktischen Halbleiterschichten [Text] : Diss. / J. Zipprich ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : Max-Planck-Institut für Metallforschung, 1999. - IV, 101 S.: Abb. - Бібліогр.: S. 98-101
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 13. |
ІВ192658
Marktanner, Jörg.
Ladungsträgerbeweglichkeiten in dünnen organischen Photoleiter- und Halbleiter-Aufdampfschichten [Text] : Abh. / J. Marktanner ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1995. - 116 S.:Abb. - Бібліогр.: S.112-116
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 14. |
ІС12766
Ott, Roland.
Lineare und nichtlineare dielektrische Eigenschaften abstimmbarer SrTiO3 - Schichten bei hohen Frequenzen [Text] : Diss. / R. Ott ; Universität zu Köln. Mathem.-Naturwiss. Fak. - Jülich : [б.в.], 2003. - 109 p.: fig. - Бібліогр.: P.101-108
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 15. |
Видання в опрацюванні - ще не надійшло за місцем зберігання
Huseynaga, A. E.
Low-frequency plasma... [Text] / Huseynaga. - Baku, 2024.
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 16. |
ІВ202485
Musil, Jindrich.
Microwane measurements of complex permittivity by free space methods and their applications [Text] / J. Musil, F. Zacek. - Prague : Academia, 1986. - 275 p.: fig. - Бібліогр.: P.266-271
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 17. |
ІВ193610
Lütjering, Gerd.
Nanostrukturierte Antidot- Systeme: Vom ballistischen Billard zum Metall- Isolator- Übergang [Text] : Abh. / G. Lütjering ; Universität Stuttgart. Fak. Physik. - Stuttgart : [б.в.], 1996. - 190 S.:Abb. - Бібліогр.: s.180-190
Рубрики:
Видання зберігається у :
| |
|
| | | |
|
| 18. |
ІС14568
Shuai, Yao.
Nonvolatile resistive switching in BiFeO3 thin films [Text] : diss. / Yao Shuai ; Fak. für Mathematik und Naturwissenschaften, Techn. Univ. Dresden, Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf. - Dresden : [s. n.], 2012. - VII, 86 p. : fig., tab. - Бібліогр.: с. 79-83
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 19. |
ІС15104
Kühnemund, Lisa.
Oberflächenleitfähigkeit an nanoskaligen und topologischen Systemen [Text] : Diss. / Lisa Kühnemund ; Fak. für Mathematik und Physik der Gottfried Wilhelm Leibniz Univ. Hannover. - Hannover, 2014. - 131 S. : Abb. - Бібліогр.: с. 119-127
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
| |
|
| | | |
|
| 20. |
ВА725525
Камалов, Амангелди Базарбаевич.
Oсобенности изготовления и электрофизические свойства контактов n-GaAs(GaP, InP) [Текст] / Камалов А. Б. ; НАН Украини, Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова. - К. : [б.и.], 2008. - 122 с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 98-122 . - 150 прим. - ISBN 978-966-02-4896-0
Рубрики:
Видання зберігається у :
Основний фонд
Універсальний підсобний фонд
Відділ обмінно-резервних фондів
| |
| | |
Простий пошук
Віртуальна довідка
