Висвітлено теорію та практику організації професійної юридичної діяльності. У доступній формі розкрито засадничі принципи підготовки різноманітних юридичних паперів, офіційних документів та експертних висновків, надання правових консультацій, проведення переговорів, здійснення аналізу законодавства, а також захисту інтересів клієнта. Розглянуто основні вимоги, що висуваються до сучасного юриста, зокрема в таких сферах, як посередництво, комунікація та інформаційні технології.

Освещены теория и практика организации профессиональной юридической деятельности. В доступной форме раскрыты принципы подготовки разнообразных юридических бумаг, официальных документов и экспертных выводов, предоставления правовых консультаций, проведения переговоров, осуществления анализа законодательства, а также защиты интересов клиента. Рассмотрены основные требования, выдвигаемые к современному юристу, в частности в таких сферах, как посредничество, коммуникация и информационные технологии.

Індекс рубрикатора НБУВ: В251.106.34

Рубрики:

Магнітопружність < Вплив зовнішніх факторів на пружні тіла >

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.31 + В378.734

Рубрики:

Надпровідність. Надпровідники

Феромагнетизм. Феромагнітні метали

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + В378.71

Рубрики:

Тонкі шари металів

Електричні властивості металів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Обсуждены два универсальных эффекта в туннельных характеристиках слоистых структур металл - изолятор - металл, в которых диэлектрический барьер сформирован наноразмерной разупорядоченной плёнкой оксида: универсальное распределение прозрачностей такого слоя, независящее от конкретных микроскопических характеристик, и изменение дифференциальной проводимости таких гетероструктур с напряжением по степенному закону с показателем степени, близким к 1,33. Приведены экспериментальные результаты для сверхпроводящих трёх- и четырёхслойных структур с неоднородными туннельными барьерами, подтверждающие существование универсального распределения их прозрачностей, и его простая теоретическая интерпретация, основанная на гипотезе о равнораспределении произведения высоты барьера на путь, который электрон проходит внутри него. Показано, что с ростом толщины дефектного слоя изолятора доминирующим механизмом проводимости становится неупругое туннелирование с испусканием бозонных возбуждений, в результате чего зависимость дифференциальной проводимости от напряжения приобретает степенной характер с показателем степени, который характеризует число локализованных внутри барьера состояний, вовлечённых в процесс переноса заряда сквозь него. Показано, что для материалов с фононной плотностью состояний, которая слабо зависит от энергии, показатель степени 1,33 соответствует прыжковой туннельной проводимости с участием двух дефектных состояний. Детально обсуждаются соответствующие экспериментальные данные для разупорядоченных диэлектрических слоев на поверхности манганитов.

Рассмотрено влияние упругих деформаций на характер проникновения магнитного поля в высокотемпературные сверхпроводники второго рода. Предположено, что эффективный активационный барьер крипа зависит нелинейным образом от плотности транспортного тока. Учтены упругие свойства вихревой решетки и влияние модуля упругости на глубину проникновения магнитного поля в образец.

Експериментально продемонстровано наявність ефектів резистивних перемикань у гетероконтактах на основі складних оксидів перехідних металів. Показано, що це явище зумовлено рухом кисневих вакансій в нанорозмірній області поблизу границі метала із оксидом.

Рассмотрены два возможных механизма частичной или полной потери информации, которая содержится в квантово-механической фазе электрона при его движении в стохастической твердотельной структуре. Первый заключается в фазовой рандомизации электронных характеристик (например, вследствие упругих рассеяний электронов на дефектах в тонких металлических слоях), а второй обусловлен неупругими взаимодействиями носителей тока с внешними степенями свободы. На примере двухбарьерной гетероструктуры показано, что в первом случае квантовый подход к проблеме сводится к полуклассическому методу, когда вместо квантовых амплитуд вероятностей фигурируют сами вероятности отдельных событий, а второй соответствует переходу к классической теории зарядового транспорта. Рассчитано влияние декогеренции на дифференциальную проводимость и дробовой шум в двухбарьерных туннельных системах со сверхпроводящим электродом и проанализировано их изменение, обусловленное переходом от квантового к некогерентному классическому режиму электронного транспорта.

Запропоновано загальний підхід до розрахунку транспортних характеристик гетероструктур з нанорозмірними розупорядкованими плівками ізолятора. Він базується на врахуванні ефектів пружного та непружного тунелювання та дозволяє пояснити природу універсального розподілу ймовірностей проходження електронів крізь ізолюючий прошарок товщиною порядку декількох атомних шарів (близько одного нанометра) та аномальних вольт-амперних кривих для оксидних шарів товщиною порядку декількох нанометрів. Розвинено теоретичну модель резистивних перемикань в контактах, створених металевим електродом та оксидом із структурою перовскіту. Згідно з нею основні зміни опору таких гетероструктур відбуваються в нанорозмірній області поблизу інтерфейсу метал-складний оксид, локальна мікроструктура якої змінюється в результаті перерозподілу кисневих вакансій в просторі і в часі під дією змінних електричних полів. Результати чисельних розрахунків для контактів металу з ітрій-барієвим купратом добре узгоджуються з відповідними експериментальними даними та можуть бути корисними для створення нових запам'ятовуючих пристроїв оксидної електроніки. Теоретично досліджено нерівноважні ефекти в тунельних контактах феромагнітного металу з надпровідниковою плівкою, товщина якої мала в порівнянні з довжиною, на якій відбувається переворот електронного спіну. Показано, що з ростом ступеня поляризації електронів провідності в феромагнітному інжекторі відбувається зростання опору тунельного переходу феромагнетик - ізолятор-надпровідник. Цей ефект, на основі якого розроблено новий метод визначення величини спінової поляризації електронів в магнітному електроді, був підтверджений експериментально.

Предложен новый метод определения спиновой поляризации электронов проводимости ферромагнитного металла с помощью туннельного контакта, другой электрод которого является тонкой сверхпроводящей пленкой. Проанализировано влияние симметрии параметра порядка сверхпроводника на сопротивление контакта.

Предложен метод исследования сверхпроводящего параметра порядка, симметрия которого может меняться в железосодержащих сверхпроводниках под действием гидростатического давления. Представлены численные расчеты равновесных и неравновесных токовых флуктуаций в структурах нормальный металл - изолятор - сверхпроводник (NIS), выполненные в рамках теории рассеяния.

Выполнены численные расчеты мощности электрического шума в мезоскопических структурах нормальный металл - изолятор - сверхпроводник. Изучено влияние температуры на величину токовых флуктуаций в туннельном контакте. Показано, что зависимость спектральной плотности шума от напряжения в низкочастотном пределе имеет два максимума. Первый соответствует энергетической щели сверхпроводника и отражает поведение проводимости туннельного контакта, а второй появляется при более высоких напряжениях в результате наложения теплового и дробового шумов.

Выполнены численные расчеты мощности фотон-индуцированного дробового шума и фактора Фано для мезоскопических структур нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Исследовано влияние температуры на величину фотон-индуцированных токовых флуктуаций в туннельном контакте. Моделирование неравновесных токовых флуктуаций демонстрирует увеличение спектральной плотности шума с ростом частоты переменного сигнала. Показано, что фактор Фано в суперпуассоновском режиме фотон-индуцированного электронного транспорта имеет резкий пик в области энергетической щели сверхпроводника.