![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>A=Баранов В. В.$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 13
Представлено документи з 1 до 13
|
| | | | |
1. |
Баранов В. В. Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами / В. В. Баранов // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5. - С. 42-46. - Библиогр.: 7 назв. - рус.Рассмотрены физико-технологические ограничения при формировании твердотельных МОП-структур различного типа в составе кремниевых БИС и СИС. Показаны возможности повышения их технологичности на основе самосовмещенных процессов формирования пленочных структур, в частности при использовании твердофазных реакций тугоплавких переходных металлов с кремнием, протекающих в условиях изотермической и импульсной термообработок, а также создания ДМОП-транзисторов с вертикальной структурой, перспективной для мощных полупроводниковых приборов. Physics-technological restrictions at solid state MOS structures forming for the silicon VLSIs and integrates circuits of lower integration are examined. The possibilities of their technological repeatability improvement on the basis of self-aligned processes of thin films structures forming are shown. They include the solid state reactions of the refractory transition metals with silicon at the conditions of isothermal and pulse thermal treatment as well as creation of DMOS transistors with verticalstructure, important for power semiconductor devices development and manufacture. Ключ. слова: твердотельные структуры типа МОП (металл/оксид/полупроводник), физико-технологические ограничения, самосовмещенная технология, переходные металлы, силициды. Індекс рубрикатора НБУВ: З844.15 + З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Ануфриев Л. П. Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки / Л. П. Ануфриев, В. В. Баранов, Я. А. Соловьев, М. В. Тарасиков // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 4. - С. 55-56. - Библиогр.: 2 назв. - рус. Ключ. слова: диоды Шоттки, силицид палладия, термическое испарение, вольт-амперные характеристики. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Баранов В. В. Проблеми організації ефективного преміювання на промисловому підприємстві / В. В. Баранов // Наук. пр. Нац. ун-ту харч. технологій. - 2006. - № 19, ч. 2. - С. 72-74. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.Розглянуто сучасну організацію преміювання на промислових підприємствах. Дослідження виявило багато гострих і невирішених питань щодо стимулювання персоналу та організації ефективної системи преміювання (СП) в промисловості. Запропоновано систему заходів, яка передбачає комплексний підхід до побудови, впровадження та супроводження СП на підприємстві. Індекс рубрикатора НБУВ: У9(4УКР)301-645.76
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж69879 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Баранов В. В. Система додаткового стимулювання праці робітників на промислових підприємствах : Автореф. дис... канд. екон. наук: 08.06.01 / В. В. Баранов; Криворіз. техн. ун-т. - Кривий Ріг, 2006. - 19 c. - укp.Розроблено теоретико-методологічні засади та практичні рекомендації щодо організації системи додаткового стимулювання праці робітників на промислових підприємствах. Розвинуто теоретичні засади стимулювання праці. Визначено принципи організації преміювання, виокремлено основні функції премій. Для порівняння ефективності різних систем преміювання та більш точної їх оцінки розроблено відповідну систему показників. Запропоновано комплексний підхід до поліпшення організації стимулювання на зазначених підприємствах, який полягає у застосуванні організаційно-економічного механізму формування, використання й упровадження систем додаткового стимулювання праці. Запропоновано методику додаткового стимулювання за схемою "перенесених" премій, що враховує ефект нижньої межі додаткового матеріального заохочення та дозволяє розширити коло його показників, підвищуючи загальну ефективність всієї системи стимулювання. Розроблено рекомендації щодо запровадження елементів зарубіжного досвіду стимулювання праці з урахуванням особливостей господарювання в Україні. Індекс рубрикатора НБУВ: У9(4УКР)301-645
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА347892 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Баранов В. В. Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа / В. В. Баранов, Я. А. Соловьев, Г. В. Кошкаров // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2007. - № 5. - С. 20-21. - Библиогр.: 5 назв. - рус. Ключ. слова: барьеры Шоттки, высокотемпературный микромонтаж, электрические свойства приборов Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Чобан А. Ф. Вивчення механічної міцності затверділих блоків при використанні як добавки надлишкового активного мулу / А. Ф. Чобан, В. В. Баранов, С. Я. Чобан // Екологія довкілля та безпека життєдіяльн. - 2007. - № 6. - С. 88. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.Враховуючи все зростаючі масштаби накопичення надлишкового активного мулу на міських очисних спорудах, з однієї сторони, та високий вміст білкових компонентів у цих відходах, з іншої сторони, вивчено можливості їх утилізації під час виготовлення бетонних блоків і тротуарної плитки. З'ясовано, що домішка надлишкового активного мулу замість цементу не погіршує механічну міцність бетонних виробів і одночасно частково вирішує питання його утилізації. Індекс рубрикатора НБУВ: Н761.204.5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23889 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Баранов В. В. Методы и средства компьютерного проектирования в сети Интернет / В. В. Баранов, Т. Бречко, М. Н. Найбук, В. В. Нелаев, В. Р. Стемпицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2008. - № 3. - С. 15-16. - Библиогр.: 5 назв. - рус.Предложен подход к компьютерному проектированию в сети Интернет. Приведено описание аппаратно-программного комплекса GUI (Graphical User Interface)-SUPREM III для организации проектирования и моделирования технологии в микроэлектронике в глобальной сети Интернет. Основой модуля является программный комплекс SUPREM III, предназначенный для моделирования и проектирования технологических операций формирования структурных элементов интегральных микросхем. An approach for computer design in electronics within Internet has been proposed. The developed software of GUI (Graphical User Interface)-SUPREM III has been described in the paper. It is oriented for carrying out design projects and modeling technology in microelectronics using Internet as the global net. Ключ. слова: GUI-SUPREM III, Интернет, информационные технологии, проектирование, обучение, микроэлектрони- , интегральные микросхемы, технологические операции, технологический маршрут. Індекс рубрикатора НБУВ: З972-02-5-05
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Баранов В. В. Психолого-педагогічні умови формування соціальної компетентності виховання закладів соціальної реабілітації / В. В. Баранов // Пробл. заг. та пед. психології : зб. наук. пр. - 2011. - 13, Ч. 5. - С. 7-13. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Зауважено, що соціальна реабілітація дитини з девіантною поведінкою є комплексним процесом, результатом якого є ресоціалізація дитини з подальшим продовженням соціального виховання і формування соціальної компетентності. Запобігання вихованню у реабілітаційній установі соціально некомпетентної особистості може здійснюватися тільки зміщенням акценту роботи закладів соціальної реабілітації з мети «допомога», яка визначається як головна задача у чинній нормативній базі, до мети «активна соціальна діяльність дитини». Наголошено, що ця діяльність повинна здійснюватися як у межах соціально-реабілітаційного закладу, так і поза його межами - перетворення соціальної діяльності у діяльність особисто вигідну і корисну для вихованця, що вихованець повинен усвідомлювати і відчувати забезпечення вільного вибору дитиною приваблюваного для неї виду діяльності - розширення соціальних контактів з зовнішнім світом, відхід від закритості реабілітаційної установи. Індекс рубрикатора НБУВ: Ю984.010.2-990 + Ч311.350.0
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж70437 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Баранов В. В. Социально-психологические формирующие реабилитационной среды в учреждениях социальной реабилитации для детей с разными формами девиантного поведения / В. В. Баранов // Наша шк.. - 2011. - № 3. - С. 27-31. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Охарактеризованы факторы, влияющие на формирование реабилитационной среды в учреждениях социальной реабилитации детей с разными формами девиантного поведения, главными из которых являются социально-психологические, включающие в себя систему взаимоотношений в педагогическом коллективе, в детском и детско-взрослом коллективах. Обосновано, что единство педагогического и детского коллективов строится на целенаправленной деятельности, базирующейся на определенных ценностях. Рассмотрены особенности, присущие криминальной субкультуре несовершеннолетних, и показаны пути недопущения ее проникновения в детский коллектив. Охарактеризовано чинники, які впливають на формування реабілітаційного середовища в установах соціальної реабілітації дітей з різними формами девіантної поведінки, головними з яких є соціально-психологічні фактори, що включають в себе систему взаємовідносин у педагогічному колективі, в дитячому та дитячо-дорослому колективах. Обгрунтовано, що єдність педагогічного та дитячого колективів будується на цілеспрямованій діяльності, яка базується на певних цінностях. Розглянуто особливості, що притаманні кримінальній субкультурі неповнолітніх, та показано шляхи її недопущення в дитячий колектив. Індекс рубрикатора НБУВ: Ч421.334 + Ю983.620.2-81
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж21367 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Баранов В. В. Застосування нематеріальних методів стимулювання праці в умовах промислового підприємства / В. В. Баранов // Економіка і регіон. - 2012. - № 1. - С. 118-122. - Бібліогр.: 11 назв. - укp.Досліджено сучасний стан нематеріального стимулювання праці на промислових підприємствах, визначено труднощі впровадження методів нематеріального стимулювання персоналу. Доведено необхідність підвищення вагомості негрошових стимулів у мотиваційному механізмі спонукання до високорезультативної праці. Розглянуто необхідність комплексного поєднання та використання матеріального і нематеріального стимулювання як взаємодоповнюючих і необхідних складових сучасної системи стимулювання на промисловому підприємстві. Індекс рубрикатора НБУВ: У9(4УКР)301-645
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24790 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Баранов В. В. Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором / В. В. Баранов, А. М. Боровик, И. Ю. Ловшенко, В. Р. Стемпицкий, Чан, Туан Чунг, Ибрагим Шелибак // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2015. - № 1. - С. 38 - 44. - Библиогр.: 10 назв. - рус.Реализована процедура оптимизации порогового напряжения биполярного транзистора с изолированным затвором. С использованием отсеивающего эксперимента, проведенного согласно плану Плаккета - Бермана, выявлены наиболее значимые входные параметры. Проведены экспериментальные исследования с использованием метода поверхности откликов для определения разброса значений выходной характеристики посредством анализа в цикле Монте-Карло, а также расчета допустимых отклонений входных параметров, в наибольшей степени влияющих на пороговое напряжение. Реалізовано процедуру оптимізації граничної напруги біполярного транзистора з ізольованим затвором. За допомогою відсіювального експерименту, проведеного за планом Плакетта - Бермана, виявлено вхідні параметри, які найбільш суттєво впливають на вихідну величину (граничну напругу). Проведено експериментальні дослідження з використанням методу поверхні відгуків для визначення розкиду вихідних характеристик за допомогою аналізу в циклі Монте-Карло, а також розрахунку допустимих відхилень вхідних параметрів, що впливають на порогову напругу в найбільшій мірі. The use of computer simulation, design and optimization of power electronic devices formation technological processes can significantly reduce development time, improve the accuracy of calculations, choose the best options for implementation based on strict mathematical analysis. One of the most common power electronic devices is isolated gate bipolar transistor (IGBT), which combines the advantages of MOSFET and bipolar transistor. The achievement of high requirements for these devices is only possible by optimizing device design and manufacturing process parameters. Therefore important and necessary step in the modern cycle of IC design and manufacturing is to carry out the statistical analysis. Procedure of the IGBT threshold voltage optimizationwas realized. Through screening experiments according to the Plackett-Burman design the most important input parameters (factors) that have the greatest impact on the output characteristic was detected. The coefficients of the approximation polynomial adequately describing the relationship between the input parameters and investigated output characteristics ware determined. Using the calculated approximation polynomial, a series of multiple, in a cycle of Monte Carlo, calculations to determine the spread of threshold voltage values at selected ranges of input parameters deviation were carried out. Combinations of input process parameters values were determined randomly by a normal distribution within a given range of changes. The procedure of IGBT process parameters optimization consist a mathematical problem of determining the value range of the input significant structural and technological parameters providing the change of the IGBT threshold voltage in a given interval. The presented results demonstrate the effectiveness of the proposed optimization techniques. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Баранов В. В. Еволюція бізнес-освіти в світі та інтеграція програм МВА в Україні / В. В. Баранов // Екон. вісн. ун-ту : зб. наук. пр. - 2016. - Вип. 28/1. - С. 7-15. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Предмет дослідження - теоретичні та прикладні аспекти організації та вдосконалення української бізнес-освіти у контексті концепції "освіта впродовж життя". Мета роботи - з'ясувати особливості підготовки спеціалістів економічного профілю у вищих навчальних закладах США, Європейського Союзу та України, дослідити історичний розвиток МВА та виокремити найбільш цінні елементи відповідних програм підготовки. Методологічну і теоретичну основу дослідження становлять праці зарубіжних і вітчизняних учених. Застосовано історичний метод, абстрактно-логічний і системний підхід тощо. Досліджено еволюцію бізнес-освіти в світі на прикладі програм МВА й обгрунтовано необхідність, доцільність та перспективність більш широкого використання не лише в системі національної вищої освіти, а також в системі підвищення кваліфікації в межах підприємств, фірм, організацій різних форм власності. Розглянуто історію розвитку та становлення підготовки по програмам МВА, а також окремих найбільш авторитетних осередків світової бізнес-освіти, яка свідчить про значне відставання та недостатню увагу в Україні до такої складової вищої освіти менеджера як МВА. Як показують систематизовані дослідження, формування освітньої доктрини та стратегії підготовки фахівців у країнах ЄС та США здійснюються з обов'язковою участю роботодавців і представників бізнесу. В нашій державі не розуміння бізнесу важливості участі в освітньому процесі та в системній підготовці персоналу взагалі, та керівної складової зокрема стимулює недостатню поширеність і майже зародковий стан програм МВА в національній системі вищої освіти. Національна система вищої освіти потребує більшого розповсюдження та використання як світового досвіду МВА, так і орієнтацій на новітні освітні тенденції, зокрема "Life Long Learning". Крім цього, результати дослідження можуть бути використані як на рівні окремого підприємства, так і на рівні галузі у разі підготовки або підвищення кваліфікації менеджерів, управлінців, всього керівного складу. Це надасть змогу не тільки підвищити ефективність системи внутрішньофірмового навчання, а й врахувати галузеві та регіональні особливості господарського функціонування. Висновки: досвід розвинених країн світу показує, що підготовка за програмами МВА не лише не втрачає своєї актуальності та доцільності, але й еволюціонує одночасно з все більш високими вимогами сучасної економічної системи. Поява різноманітних спеціалізацій в МВА, це так само вимога часу, як і орієнтація на освіту, або підвищення кваліфікації впродовж всього професійного життя. Національна система освіти, практика підготовки керівників самими підприємствами потребують ширшого використання інструментів підготовки, які притаманні МВА. Запропоновано вдосконалення системи внутрішньо фірмового підвищення кваліфікації шляхом поєднання підготовки за традиційними програмами МВА з концепцією "Навчання на протязі всього життя" (Life Long Learning). Індекс рубрикатора НБУВ: У50-131 р3 + У9(4УКР)0-131 р3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж73720 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Баранов В. В. Керування розподілом і зарядовим станом іонів активатора в Ті:сапфірі при вирощуванні методом ГСК : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.02.01 / В. В. Баранов; Національна академія наук України, Інститут монокристалів. - Харків, 2019. - 19 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: Л463.9
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА442954 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
|
|