Досліджено звукосмислові особливості поезії Т. Мельничука на матеріалі збірки "Князь роси". Основну увагу зосереджено на встановленні співвідношення між звуко-асоціативною і лексико-тематичною семантикою, що дозволяє глибше осмислити фрагменти концептуальної інформації поетичного тексту митця.

На основі антиструктури PbSe запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих вісмутом кристалів плюмбум селеніду із надлишком селену PbSE"Se":Bi і плюмбуму PbSe"Pb":Bi відповідно. Визначено залежність холлівської концентрації носіїв струму і концентрації дефектів у кристалах PbSE"Se":Bi від вмісту легувальної домішки вісмуту і надстехіометричного селену. Порівнянням експериментальних даних і результатів квазіхімічних розрахунків встановлено, що компенсація донорної дії вісмуту, розміщеного у катіонній підгратці, здійснюється двічі іонізованими вакансіями плюмбуму.

Розглянуто та проаналізовано основні аспекти перспективного напрямку мікроелектроніки - тонкоплівкового напівпровідникового матеріалознавства. Особливу увагу приділено прикладним питанням: систематизовано основні методи вирощування та дослідження структурних властивостей, акцентовано увагу на фізико-хімічних властивостях, класифіковано найбільш важливі напрямки практичного застосування.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + В379.226

Рубрики:

Тонкі плівки

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено порівняльний аналіз впливу фізико-хімічних властивостей матеріалів підкладок, які використовують для епітаксійного вирощування тонких плівок GaN, на структурно-морфологічні, кристалографічні, електрофізичні, оптичні й інші параметри та характеристики таких плівок. Крім широко використовуваних підкладок, таких, як сапфір, 6Н-SiC, Si, GaAs та AlN, особливо увагу приділено поруватим підкладкам на основі Si та GaA, які за останні роки стали перспективним матеріалом для одержання тонких шарів GaN підвищеної структурної досконалості як гексагональної, так і кубічної модифікацій.

Проаналізовано сонетну творчість українських поетів-неокласиків (О.Бургардта, М.Драй-Хмари, М.Зерова, М.Рильського, П.Филиповича) на тлі розвитку українського та світового сонета. З'ясовано джерела сонетної спадщини неокласиків у світлі поєднання класичної мистецької традиції (вітчизняної та загальноєвропейської) з рисами, властивими новій поетиці XX ст. Виявлено своєрідність сонетів неокласиків з огляду на їх національне світобачення, художні особливості та художнє світовідображення. Визначено місце та роль київських неокласиків у історії української літератури, загальній картині розвитку сонетописання в Україні, а також контексті літературного процесу першої половини XX ст.

Охарактеризовано стан сучасного українського літературознавства в англомовному науковому світі (Австралії, Канаді, США). Проаналізовано літературознавчі дослідження західних учених, зокрема, Г.Грабовича ("Шевченко як міфотворець"), М.Павлишина ("Канон та іконостат"), М.Шкандрія ("В обіймах імперії. Російська та українська літератури нової доби"). Обгрунтовано актуальність осмислення інтерпретаційних стратегій та методологій західних україністів (міфологічної й постколоніальної критики, рецептивної естетики), використання яких сприяє розширенню наукових горизонтів сучасного українознавства. Розкрито вплив західних методологій та дослідницьких стратегій на розвиток сучасної української гуманістики.

Розглянуто основні фізичні процеси у напівпровідниках, які є важливими для конструювання та функціонування активних елементів електроніки. Увагу приділено фізичним процесам роботи діодів, транзисторів, елементів інтегральних схем магніторезисторів, магнітодіодів, сенсорів вологості, тензосенсорів, світлодіодів, фоторезисторів. Висвітлено нові досягнення в сфері нанотехнологій наноматеріалів, наноелектроніки та створення сонячних елементів. Наведено інформацію про структуру енергетичних зон, статистику носіїв заряду, гальваномагнітні ефекти, процеси поглинання світла, елементи інтегральних схем, нанолазери, сонячні елементи на основі сенсибілізованих барвниками напівпровідників.

Рассмотрены основные физические процессы в полупроводниках, которые являются важными для конструирования и функционирования активных элементов электроники. Уделено внимание физическим процессам работы диодов, транзисторов, элементов интегральных схем магниторезисторов, магнитодиодов, сенсоров влажности, тензосенсоров, светодиодов, фоторезисторов. Освещены новые достижения в сфере нанотехнологий наноматериалов, наноэлетроники и создания солнечных элементов. Дана информация о структуре энергетических зон, статистике носителей заряда, гальваномагнитных эффектах, процессах поглощения света, элементах интегральных схем, нанолазерах, солнечных элементах на основе сенсибилизированных красителями полупроводников.

Наведено результати дослідження особливостей процесів утворення та формування крайових дислокацій невідповідностей у гетероструктурах PbTe/PbSe, осаджених на (100) KCl. Запропоновано геометричні моделі дислокацій і проаналізовано їх вплив на рухливість носіїв електричного заряду. Розглянуто транспортні процеси й умови реалізації надпровідного стану у двошарових гетероструктурах PbTe/PbS.

Проведено аналіз методів розрахунку мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах, що базуються на моделях одиничного та періодичного дефектів відповідно. Особливу увагу звернуто на методи ефективної маси, Слєтера - Костера, псевдопотенціалу, Волкова - Панкратова, функціонала густини та квантово-хімічних підходах. Підкреслено особливості використання відзначених методів розрахунку та одержаних на їх основі результатів.

Представлено аналіз експериментальних методів визначення мілких і глибоких центрів у напівпровідникових кристалах. Розглянуто кінетичні, релаксаційні та оптичні методи визначення енергії іонізації дефектів. Підкреслено особливості використання відзначених експериментальних методів та одержаних на їх основі результатів.

Зроблено огляд досліджень щодо низькорозмірних термоелектричних матеріалів. Показано перспективність застосування надрешіток квантових точок, квантових дротів і квантових ям на базі сполук IV - VI для сенсорів теплових полів та термоелектричних перетворювачів енергії. Спостережувані осциляції у залежностях електропровідності, коефіцієнтів Зеєбека та термоелектричної потужності від товщини квантових ям пояснено розмірним квантуванням через електронне обмеження. За періодом осциляцій товщинних залежностей експериментально визначених термоелектричних параметрів розраховано енергетичні характеристики наноструктур на основі халькогенідів свинцю та телуриду олова.

Досліджено фантастичний роман Марини і Сергія Дяченків "Дика енергія. Лана", звернений в першу чергу до молодого покоління.

Зроблено огляд основних фізико-хімічних властивостей цинк телуриду. Досліджено фазову діаграму рівноваги матеріалу. Наведено енергетичну структуру власних дефектів напівпровідника. Проведено розрахунок концентрацій точкових дефектів у нестехіометричному та самолегованому ZnTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано досягнення у галузі фотоелектричного перетворення сонячної енергії в електричну. Розглянуто принципи роботи фотоперетворювачів на монокристалічному й аморфному кремнії, наноструктурах.

Побудовано молекулярні моделі поліморфних модифікацій цинк телуриду. На підставі результатів квантово-хімічних розрахунків просторової будови та властивостей наноструктур визначено ентальпії утворення сфалеритної та вюрцитної модифікацій напівпровідника та зроблено оцінку температури їх фазового переходу.

Проаналізовано досягнення у галузі використання сонячної енергії. Розглянуто фізико-хімічні властивості, методи одержання тонких плівок і елементів сонячних модулів на їх основі. Надано аналіз перспектив їх виготовлення та використання.

На основі теоретичної моделі квантової ями з нескінченно високими стінками досліджено термоелектричні параметри залежно від товщини шару наноструктур IV - VI (PbS, PbSe, PbTe) в наближенні змінної енергії Фермі. Показано, що залежності коефіцієнта Зеєбека, електропровідності і термоелектричного коефіцієнта потужності від ширини ями для наноплівок халькогенідів свинцю добре узгоджуються з експериментальними даними, що доводить коректність використаної моделі.