Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Книжкові видання та компакт-диски (4)

Журнали та продовжувані видання (1)

Пошуковий запит: (<.>A=Prokopenko I$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 43
Представлено документи з 1 до 20

...

Категорія:

Molodkin V. B.
Theoretical and experimental principles of the differential-integral triple-crystal X-ray diffractometry of imperfect single crystals = Теоретические и экспериментальные обоснования дифференциально-интегральной рентгеновской дифрактометрии несовершенных монокристаллов / V. B. Molodkin, V. V. Nemoshkalenko, S. I. Olikhovskii, E. N. Kislovskii, O. V. Reshetnyk, T. P. Vladimirova, V. P. Krivitsky, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko, G. E. Ice, B. C. Larson // Металлофизика и новейшие технологии. - 1998. - 20, № 11. - С. 29-40. - Библиогр.: 17 назв. - англ.

Надано теоретичне та експериментальне обгрунтування запропонованого нового методу диференційно-інтегральної трикристальної рентгенівської дифрактометрії недосконалих монокристалів. Розглянуто принципи роботи трикристального рентгенівського дифрактометра (ТРД) в диференційному режимі вимірювань. Надано опис оригінальної конструкції та схеми універсального ТРД, створеного в ІМФ НАН України з метою реалізації запропонованого методу. У випадку брегг-дифракції рентгенівських променів у монокристалах з однорідно розподіленими обмеженими дефектами отримано вирази, що встановлюють аналітичний зв'язок між відношенням інтегральних інтенсивностей дифузного та когерентного піків ТРД від досліджуваного кристала, тобто відношенням диференційних інтенсивностей дифузного та когерентного розсіяння, проінтегрованих по сфері Евальда поблизу вузла оберненої гратки, та характеристиками дефектів різного роду. Вирази, що отримані, використано для високоінформативної діагностики дефектів за кутовими залежностями інтегральних параметрів профілів інтенсивностей ТРД, виміряних від монокристала кремнію, який містить хаотично розподілені частки нової фази. Обговорюються переваги запропонованої модифікації методу ТРД.

Ключ. слова: X-ray diffractometry, single crystals, defects, diffuse and coherent scattering
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Kryshtab T. G.
TiBsub2/sub/GaAs and Au - TiBsub2/sub/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment = Структурні перетворення при короткочасній термічній обробці структур TiBsub2/sub/GaAs та Au - TiBsub2/sub/GaAs / T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, V. N. Ivanov // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 73-77. - Библиогр.: 8 назв. - англ.

Ключ. слова: TiB_2 film, GaAs, short-term annealing, diffusion barrier, structural defects
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:
Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Klad'ko V. P.
Influence of absorption level on mechanisms of Bragg-diffracted x-ray beam formation in real silicon crystals = Вплив рівня поглинання на механізми формування брег-дифрагованого пучка рентгенівських променів в реальних кристалах кремнію / V. P. Klad'ko, D. O. Grigoriev, L. I. Datsenko, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 1. - С. 157-162. - Библиогр.: 19 назв. - англ.

Методом чисельного моделювання за формулами динамічної теорії розсіювання випромінювань реальними кристалами та за допомогою розв'язку рівнянь Такагі- Топена вивчені основні закономірності брег-дифракції рентгенівських променів в умовах сильного та слабкого поглинання. Встановлені механізми формування профілів просторового розподілу інтенсивності дифрагованих пучків в залежності від енергії випромінювання та структурної досконалості кристалів. Запропоновані формули для аналітичного опису профілів розподілу інтенсивностей, які враховують динамічні поправки (коефіцієнти екстинкції) для когерентної і некогерентної складових дифрагованої інтенсивності.

Ключ. слова: пучки рентгенiвських променiв, брег-дифракцiя, коефiцiєнт вiдбивання , довжини поглинання та екстинкцiї, динамiчна теорiя розсiювання, структурнi дефекти, кластери
Індекс рубрикатора НБУВ: В372.212

Рубрики:

Оптичні методи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Volodin N. M.
Investigation of growth conditions, crystal structure and surface morphology of SmS films fabricated by MOCVD technique = Дослідження умов росту, кристалічної структури та морфології поверхні плівок SmS, виготовлених методом МОГФЕ / N. M. Volodin, L. V. Zavyalova, A. I. Kirillova, I. V. Prokopenko, A. V. Khanova // Фізика напівпровідників, квант. електроніка та оптоелектроніка. - 1999. - 2, № 2. - С. 78-83. - Библиогр.: 9 назв. - англ.

Отримано полікристалічні плівки SmS MOCVD-методом із застосуванням ряду дітіокарбаматів, які синтезовані різноманітними способами. Досліджено кінетику росту і температурні залежності швидкості росту плівок, які дозволили визначити енергії активації, тип реакції; проведено дослідження структури і морфології поверхні плівок. Визначено технологічні умови, які забезпечують виготовлення однофазних плівок SmS кубічної модифікації з найбільш впорядкованою кристалічною структурою.

Ключ. слова: samarium monosulphide, structure, morphology, MOCVD-technique
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Prokopenko I. V.
Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals / I. V. Prokopenko, E. N. Kislovskii, S. I. Olikhovskii, V. M. Tkach, P. M. Lytvyn, T. P. Vladimirova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 275-281. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

Рентгенівським методом повних кривих дифракційного відбиття і неруйнівними методами прямого спостереження (атомно-силової та растрової електронної мікроскопії) встановлено кількісні значення характеристик (радіуси та концентрації) основних типів дефектів у монокристалах кремнію, вирощених за Чохральським і відпалених за 750 °С.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Klad'ko V. P.
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, Z. V. Maksimenko, O. S. Lytvyn, I. V. Prokopenko, Z. Zytkiewicz // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 343-348. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Методом аналізу енергетичних залежностей інтегральної відбивної здатності в області довжин хвиль рентгенівських променів, розташованих між К-краями поглинання компонент GaAs, для квазізабороненого рефлексу (200) досліджено ступінь відхилення від стехіометрії, а також параметри мікродефектів у плівках GaAs:Si/GaAs, вирощених методом рідиннофазної епітаксії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Lytvyn O. S.
Structural investigations of annealed ZnS:Cu, Ga phosphors / O. S. Lytvyn, V. S. Khomchenko, T. G. Kryshtab, P. M. Lytvyn, M. O. Mazin, I. V. Prokopenko, V. Y. Rodionov, Y. A. Tzyrkunov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 1. - С. 19-23. - Бібліогр.: 5 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Konakova R. V.
Ordering of lateral nonuniformity of TiBIvxD film and transition layer in the TiBIvxD - GaAs system / R. V. Konakova, V. V. Milenin, D. I. Voitsikhovskyi, A. B. Kamalov, E. Yu. Kolyadina, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, L. A. Matveeva, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 4. - С. 298-300. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

Категорія:

Datsenko L. I.
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon / L. I. Datsenko, V. P. Klad`ko, P. M. Lytvyn, J. Domagala, V. F. Machulin, I. V. Prokopenko, V. B. Molodkin, Z. V. Maksimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2001. - 4, № 3. - С. 146-151. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.24 + К230.26

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Оптичні властивості напівпровідників
Тонкі шари (плівки) кольорових металів

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Seitmuratov M. S.
Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals / M. S. Seitmuratov, V. P. Klad'ko, O. I. Gudymenko, L. I. Datsenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 3. - С. 258-260. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.

Using the technique of diffuse x-ray scattering at the "tails" of diffraction reflection curves, we analyze the effect of irradiation of dislocation GaAs crystals with high-energy neutrons on evolution of radiation clusters as a function of fluence and doping level. The effect of doping level on size of the above defects is shown to be considerable at low fluences. We advance a model for disordered regions in an irradiated crystal based on the results of x-ray experiments.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Klad'ko V. P.
Recrystallization processes in screen-printed CdS films / V. P. Klad'ko, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, N. M. Osipenok, G. S. Pekar, I. V. Prokopenko, A. F. Singaevsky, A. A. Korchevoy // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2002. - 5, № 2. - С. 170-175 . - Бібліогр.: 19 назв. - англ.

Методами рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії вивчено кінетику рекристалізаційних процесів у плівках CdS, одержаних методом трафаретного друку. Встановлено взаємозв'язок розміру й орієнтації кристалітів плівки з рівнем механічних напруг та їх залежність від температурних режимів обробки. Показано, що за оптимальних технологічних параметрів можна одержувати однофазні плівки CdS завтовшки кілька десятків мікрон з великим розміром зерен і низькими залишковими напругами, придатні для використання в сонячних елементах на основі гетеропереходу CdS/CdTe.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В372.1

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Структурний аналіз твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Dotsenko Yu. P.
Thermodonor activation energy and mechanisms tensoeffects of tensoeffects in transmutation-doped $E bold gamma-irradiated silicon / Yu. P. Dotsenko, V. M. Ermakov, A. E. Gorin, V. I. Khivrych, V. V. Kolomoets, V. F. Machulin, L. I. Panasjuk, I. V. Prokopenko, B. B. Sus', E. F. Venger // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 111-114. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:
Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Chukhovskii F. N.
Domino phase retrieval algorithm for structure determination using electron diffraction and high resolution transmission electron microscopy patterns / F. N. Chukhovskii, A. M. Poliakov, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 3. - С. 397-403. - Бібліогр.: 27 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.144

Рубрики:
Дифракція електронів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Kaganovich E. B.
Effect of microwave electromagnetic radiation on the structure, photoluminescence and electronic properties of nanocrystalline silicon films on silicon substrate / E. B. Kaganovich, I. M. Kizyak, S. I. Kirillova, R. V. Konakova, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. G. Manoilov, V. E. Primachenko, I. V. Prokopenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 4. - С. 471-478. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Категорія:

15.

Svechnikov G. S.
Composite film structures containg ZnS, CdS nanoparticles prepared by MOC pyrolysis at low temperatures / G. S. Svechnikov, L. V. Zavyalova, N. N. Roshchina, I. V. Prokopenko, L. I. Berezhinsky, V. S. Khomchenko, O. S. Lytvyn // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 2. - С. 157-160. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В372.6

Рубрики:
Одержання плівок
Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Klad'ko V. P.
Screen-printed IpD-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells / V. P. Klad'ko, P. M. Lytvyn, N. M. Osipyonok, G. S. Pekar, I. V. Prokopenko, A. F. Singaevsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 2. - С. 61-65. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:
Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Bacherikov Yu. Yu.
CdSe nanoparticles grown with different chelates / Yu. Yu. Bacherikov, M. O. Davydenko, A. M. Dmytruk, I. M. Dmitruk, P. M. Lytvyn, I. V. Prokopenko, V. R. Romanyuk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2006. - 9, № 2. - С. 75-79. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В271.236

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

18.

Sheremeta T. I.
Peculiarities of the PbTe nano-islet formation on BaFVB2D substrate at "hot wall" epitaxy method investigated by atomic force microscopy / T. I. Sheremeta, I. V. Prokopenko, P. M. Lytvyn, O. S. Lytvyn, V. M. Vodop'yanov, A. P. Bakhtinov, E. I. Slyn'ko // Functional Materials. - 2007. - 14, № 1. - С. 86-91. - Бібліогр.: 9 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663-18

Рубрики:
Захист металів від корозії покриттями

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

19.

Prokopenko I. G.
Fundamentals of Electronic Equipment Computer aided Design = Основи автоматизації проектування радіоелектронної апаратури : lecture course / I. G. Prokopenko; Nat. Aviation Univ. - K., 2007. - 100 p. c. - Библиогр.: 15 назв. - англ.

Описано структуру традиційного й автоматизованого проектування радіоелектронної апаратури. Визначено критерій ефективності інформаційного каналу приймання та обробки сигналів. Розкрито основи теорії моделювання та обробки сигналів і завад.

Описана структура традиционного и автоматизированного проектирования радиоэлектронной аппаратуры. Определен критерий эффективности информационного канала приема и обработки сигналов. Раскрыты основы теории моделирования и обработки сигналов и помех.

Індекс рубрикатора НБУВ: З844-02-5-05я73-2

Рубрики:

Радіоапаратура (радіоелектронна апаратура)

Шифр НБУВ: ІВ21307 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

20.

Gorley P. M.
Direct current transport mechanisms in IBnD-InSe/IBpD-CdTe heterostructure / P. M. Gorley, I. V. Prokopenko, Z. M. Grushka, V. P. Makhniy, O. G. Grushka, O. A. Chervinsky // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 2. - С. 124-131. - Бібліогр.: 34 назв. - англ.

...