Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В378.21

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Структурний аналіз монокристалів металів

Шифр НБУВ: РА443212 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Комплексно досліджено структуру - оптоелектронні властивості нових складних халькогенідних сполук, що знайдені шляхом підбору компонентів систем на базі подвійних та потрійних халькогенідів, які вже знаходять своє практичне використання. Висока спектральна прозорість об’єктів дослідження в робочому діапазоні лазера дає можливість розглядати їх як перспективні матеріали для застосувань в оптоелектронних пристроях, які працюють в середній ІЧ області. За результатами дослідження оптоелектронних властивостей показано, що змінюючи компонентний вміст сполук можна ефективно керувати як зміною ширини забороненої зони, так і положенням дефектних рівнів, які сприяють ефективній фотополяризації. Додаткові зміни досягаються за допомогою лазерного насвітлення. Виявлено, що в значення сприйнятливості другого порядку істотну роль вносить фононна підсистема. Цей факт може бути дуже важливим для подальшого пошуку матеріалів халькогенідів із покращеними нелінійно-оптичними властивостями та більшою прозорістю. Досягнуті параметри нелінійно-оптичних ефектів, дають змогу прогнозувати широке застосування досліджуваних кристалів як матеріалів для нелінійно-оптичного перетворення ІЧ лазерних променів. Проведені дослідження відкривають нові можливості для використання один раз синтезованого халькогенідного матеріалу у різних пристроях завдяки лазерно-керованим змінам відповідних оптичних констант.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розраховано електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA і LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, одержаному за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника, ніж одночастинкові теорії.

Досліджено вплив міжфазних меж на розсіювання носіїв струму у плівках телуриду свинцю та олова, осадженого на підкладках із поліамідної стрічки від їх товщини. Встановлено, що домінуючу роль відіграють розсіювання на поверхні та міжзеренних межах.

С помощью методов лазерной масс-спектрометрии, микрорентгеноспектрального анализа, растровой микроскопии и ядерно-физическими исследованиями изучены морфология, состав эпитаксиальных пленок, определены профили распределения основных элементов Si, Ge и примесных Р и В. Получены профили распределения элементов на границе раздела подложка-пленка. Показано, что в зависимости от условий получения можно реализовывать поликристаллические и эпитаксиальные варианты структуры в широком диапазоне концентраций основных элементов и вводимых примесей Р и В.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В367 + В379.221 + Ж68

Рубрики:

Фізика високих та низьких тисків

Структурний аналіз напівпровідників

Обробка окремих матеріалів

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифрактометрії досліджено розсіяння рентгенівських променів у короткоперіодних надгратках (НГ) GaAs/AlAs. З використанням підгонки теоретичних кривих дифракційного відбиття до експериментальних одержано як параметри дифракції, так і структурні параметри НГ (товщини субшарів, рівень деформації в шарах). Установлено, що, незважаючи на значні величини деформацій у шарах НГ, їх когерентність і структурна досконалість є досить високою.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.271.51

Рубрики:

Структурний аналіз напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок.

За допомогою рентгенівської дифрактометрії та растрової електронної мікроскопії досліджено текстури плівок полікристалічного кремнію в залежності від технологічних режимів їх формування. Текстура та морфологія полікремнієвих плівок визначаються температурою та тривалістю нанесення затравочних шарів, на яких вони вирощуються.

  Скачати повний текст

  Скачати повний текст

Числовим рішенням системи рівнянь Такагі досліджено вплив модельних спотворень вихідної та вхідної поверхонь на формування зображень мікродефектів на секційних топограмах у кристалах Si. У випадку слабкого експоненціального згину вхідної поверхні кристала відбувається підсилення прямої складової зображення, розмиття проміжної і підсилення або заглушення динамічної складової зображення - в залежності від місця знаходження мікродефекту. У разі експоненціального згину відбиваючих площин спостережено заглушення прямої складової зображення і перекидання інтенсивності в центр проміжної області зображення.