![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Віртуальна довідка ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Тематичний інтернет-навігатор ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Наукова електронна бібліотека ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis64r_81/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання
![Mozilla Firefox](../../ico/mf.png) |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Формат представлення знайдених документів: | повний | стислий |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.221$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 35
Представлено документи з 1 до 20
|
| |
| | | | |
1. |
Souigat A. The temperature dependence of the guadratic proportionality factor of P diffusivity in germanium with the free electron density = Температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії фосфору в германій із вільними електронами / A. Souigat, M. K. Bechki, D. Slimani // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 6. - С. 06006-1-06006-4. - Бібліогр.: 24 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
2. |
Souigat A. The temperature dependence of the guadratic proportionality factor of P diffusivity in germanium with the free electron density = Температурна залежність квадратичного коефіцієнта пропорційності дифузії фосфору в германій із вільними електронами / A. Souigat, M. K. Bechki, D. Slimani // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2019. - 11, № 6. - С. 06006-1-06006-4. - Бібліогр.: 24 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
3. |
Горячко А. М. Сканувальна тунельна мікроскопія спонтанної наноструктуризації металічних та напівпровідникових поверхонь : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.04 / А. М. Горячко; Національна академія наук України, Інститут фізики. - Київ, 2019. - 47 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В378.21
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА443212 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
4. |
Мирончук Г. Л. Оптоелектронні та нелінійно-оптичні характеристики складних халькогенідних систем Ag-Ga(In)-Si(Ge)-S(Se) : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Г. Л. Мирончук; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. - Чернівці, 2019. - 40 c. - укp.Комплексно досліджено структуру - оптоелектронні властивості нових складних халькогенідних сполук, що знайдені шляхом підбору компонентів систем на базі подвійних та потрійних халькогенідів, які вже знаходять своє практичне використання. Висока спектральна прозорість об’єктів дослідження в робочому діапазоні лазера дає можливість розглядати їх як перспективні матеріали для застосувань в оптоелектронних пристроях, які працюють в середній ІЧ області. За результатами дослідження оптоелектронних властивостей показано, що змінюючи компонентний вміст сполук можна ефективно керувати як зміною ширини забороненої зони, так і положенням дефектних рівнів, які сприяють ефективній фотополяризації. Додаткові зміни досягаються за допомогою лазерного насвітлення. Виявлено, що в значення сприйнятливості другого порядку істотну роль вносить фононна підсистема. Цей факт може бути дуже важливим для подальшого пошуку матеріалів халькогенідів із покращеними нелінійно-оптичними властивостями та більшою прозорістю. Досягнуті параметри нелінійно-оптичних ефектів, дають змогу прогнозувати широке застосування досліджуваних кристалів як матеріалів для нелінійно-оптичного перетворення ІЧ лазерних променів. Проведені дослідження відкривають нові можливості для використання один раз синтезованого халькогенідного матеріалу у різних пристроях завдяки лазерно-керованим змінам відповідних оптичних констант. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В374.24,022 + В379.271.42,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА438999 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
5. |
Chaika M. A. Influence of Ca and Mg doping on the microstructure and optical properties of YAG ceramics = Вплив допування Ca та Mg на мікроструктуру і оптичні властивості кераміки ІАГ / M. A. Chaika, O. M. Vovk, A. G. Doroshenko, V. K. Klochkov, P. V. Mateychenko, S. V. Parkhomenko, O. G. Fedorov // Functional Materials. - 2017. - 24, № 2. - С. 237-243. - Бібліогр.: 26 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
6. |
Баранський П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термоерс захоплення електронів фононами в n-Si / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доп. НАН України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр.: 15 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
7. |
Галій П. В. Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів InVB4DSeVB3D / П. В. Галій // Хімія, фізика та технологія поверхні. - 2014. - 5, № 3. - С. 245-255. - Бібліогр.: 25 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
8. |
Сиротюк С. В. Електронний енергетичний спектр кремнію з урахуванням квазічастинкових поправок / С. В. Сиротюк // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2012. - № 734. - С. 151-156. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.Розраховано електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA і LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, одержаному за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника, ніж одночастинкові теорії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
9. |
Дзундза Б. С. Вплив міжфазних меж на розсіювання носіїв струму у плівках телуриду свинцю та олова / Б. С. Дзундза // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - 13, № 2. - С. 384-388. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Досліджено вплив міжфазних меж на розсіювання носіїв струму у плівках телуриду свинцю та олова, осадженого на підкладках із поліамідної стрічки від їх товщини. Встановлено, що домінуючу роль відіграють розсіювання на поверхні та міжзеренних межах. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
10. |
Бокучава Г. В. Состав и морфология кремний и кремний-германиевых пленок легированных бором и фосфором на монокристаллах Si и Si - Ge / Г. В. Бокучава, В. Д. Вирич, Г. Ш. Дарсавелидзе, А. Ю. Журавлёв, В. В. Левенец, Н. А. Семёнов, С. В. Стригуновский, А. А. Сущая, Б. М. Широков // Авиац.-косм. техника и технология. - 2010. - № 4. - С. 26-29. - Библиогр.: 7 назв. - рус.С помощью методов лазерной масс-спектрометрии, микрорентгеноспектрального анализа, растровой микроскопии и ядерно-физическими исследованиями изучены морфология, состав эпитаксиальных пленок, определены профили распределения основных элементов Si, Ge и примесных Р и В. Получены профили распределения элементов на границе раздела подложка-пленка. Показано, что в зависимости от условий получения можно реализовывать поликристаллические и эпитаксиальные варианты структуры в широком диапазоне концентраций основных элементов и вводимых примесей Р и В. Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.221 + В379.226
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24839 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
11. |
Хозя П. О. Розробка теплового вузла для вирощування монокристалів GaAs за LEC технологією зі зниженим вмістом структурних дефектів : автореф. дис... канд. техн. наук : 05.27.06 / П. О. Хозя; Кременчуц. ун-т економіки, інформ. технологій і упр. - Кременчук, 2009. - 20 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 в641.0,022 + З843.332
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА363778 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
12. |
Мельник В. Формування прихованих шарів SiVB3DNVB4D в кремнії під дією гідростатичного тиску / В. Мельник, А. Місюк, В. Попов, О. Оберемок, Б. Романюк, Д. Гамов, П. Форманек // Укр. фіз. журн. - 2007. - 52, № 1. - С. 35-39. - Бібліогр.: 14 назв. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В367 + В379.221 + Ж68
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
13. |
Klad'ko V. P. Investigation of GaAs/AlAs short-periodic superlattices by high-resolution X-ray diffractometry = Дослідження короткоперіодних надграток GaAs/AlAs за допомогою високороздільної рентгенівської дифрактометрії / V. P. Klad'ko, L. I. Datsenko, A. V. Kuchuk, Ja. Domagala, A. V. Shalimov, A. A. Korchovyi // Укр. фіз. журн. - 2004. - 49, № 1. - С. 79-84. - Библиогр.: 10 назв. - англ.За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифрактометрії досліджено розсіяння рентгенівських променів у короткоперіодних надгратках (НГ) GaAs/AlAs. З використанням підгонки теоретичних кривих дифракційного відбиття до експериментальних одержано як параметри дифракції, так і структурні параметри НГ (товщини субшарів, рівень деформації в шарах). Установлено, що, незважаючи на значні величини деформацій у шарах НГ, їх когерентність і структурна досконалість є досить високою. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В372.134
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
14. |
Patskun I. I. Investigation of $E bold { beta - roman CdP sub 2} crystals by laser spectroscopy methods / I. I. Patskun, I. A. Slipukhina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 1. - С. 31-35. - Бібліогр.: 10 назв. - англ. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
15. |
Мамалуй А. А. Сверхструктуры $E bold {2 sqrt 2} ; $B 0 $E bold {times ~2 sqrt 2} ; $B 0 и перенос заряда в $E bold roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub {6~+~x} / А. А. Мамалуй, И. Н. Саблин // Физика низ. температур. - 2001. - 27, № 7. - С. 738-742. - Библиогр.: 20 назв. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221 + В379.271.51
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
16. |
Авраменко С. Ф. Исследование структурных дефектов в объемных кристаллах карбида кремния / С. Ф. Авраменко, М. Я. Валах, В. С. Киселев, М. Я. Скороход // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 3. - С. 33-39. - Библиогр.: 6 назв. - рус.За допомогою проекційної рентгенівської топографії та оптичної мікроскопії на проходження і відбиття досліджено структурні дефекти в об'ємних кристалах (булях) карбіду кремнію, вирощених сублімаційним методом Лелі. Було виявлено лінійні дислокації, дислокаційні петлі, проникнення сторонніх фаз, трубчасті пори (мікротрубки) та блоки. Проаналізовано причини виникнення більшості дефектів у SiC-булях. Дослідження показали, що модифікований метод Лелі дає можливість одержувати достатньо досконалі об'ємні кристали карбіду кремнію з низькою щільністю дислокацій та мікротрубок. Ключ. слова: карбид кремния, метод Лели, дислокация, дислокационная петля, микротрубка, рентгеновская топограмма Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
17. |
Kasimov F. D. Dependence of the polycristalline silicon film texture on technological conditions of the film formation / F. D. Kasimov, N. G. Dzhavadov, F. F. Kasimova, N. M. Muradov // Functional Materials. - 2000. - 7, № 1. - С. 114-117. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.За допомогою рентгенівської дифрактометрії та растрової електронної мікроскопії досліджено текстури плівок полікристалічного кремнію в залежності від технологічних режимів їх формування. Текстура та морфологія полікремнієвих плівок визначаються температурою та тривалістю нанесення затравочних шарів, на яких вони вирощуються. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
18. |
Михайлик Еліпсометрія надграток і розупорядкованих поверхонь монокристалів GaAs і Si : Автореф. дис...канд. фіз.-мат. наук:01.04.07 / Михайлик; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - Львів, 2000. - 18 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.225,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА309463 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
19. |
Мельник В. М. Рентгенодифрактометричні дослідження змін структурної досконалості бездислокаційних монокристалів кремнію під дією іонного опромінення, відпалу та гідростатичного тиску : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. М. Мельник; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 18 c. - укp. Скачати повний текст
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.227,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА309490 Пошук видання у каталогах НБУВ
|
| | | | |
20. |
Фодчук И. М. Влияние одномерных деформаций на формирование изображений микродефектов на рентгеновских секционных топограммах / И. М. Фодчук, Н. Д. Раранский, С. Н. Новиков, С. В. Бобровник // Металлофизика и новейшие технологии. - 2000. - 22, № 1. - С. 69-76. - Библиогр.: 6 назв. - рус.Числовим рішенням системи рівнянь Такагі досліджено вплив модельних спотворень вихідної та вхідної поверхонь на формування зображень мікродефектів на секційних топограмах у кристалах Si. У випадку слабкого експоненціального згину вхідної поверхні кристала відбувається підсилення прямої складової зображення, розмиття проміжної і підсилення або заглушення динамічної складової зображення - в залежності від місця знаходження мікродефекту. У разі експоненціального згину відбиваючих площин спостережено заглушення прямої складової зображення і перекидання інтенсивності в центр проміжної області зображення. Ключ. слова: рентгеновская топография, динамическое рассеяние рентгеновских лучей Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ
| | |
|
|