Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Автореферати дисертацій (41) | Книжкові видання та компакт-диски (186) |
Пошуковий запит: (<.>U=В379.222,022$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 69 Представлено документи з 1 до 20 |
||||
| ||||
| 1. | Фреїк А. Д. Атомні дефекти і фізико-хімічні процеси в епітаксійних плівках селеніду свинцю : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / А. Д. Фреїк; Волин. держ. ун-т ім. Л.Українки. - Луцьк, 2004. - 20 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА328613 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Стрільчук О. М. Вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. М. Стрільчук; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2001. - 20 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА314059 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Штим В. С. Вплив дефектів структури на магнітні властивості кремнію та германію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / В. С. Штим; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2000. - 16 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА307814 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Міщенко Л. А. Вплив домішки ванадію на дефектоутворення в телуриді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Л. А. Міщенко; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1998. - 16 c. - укp. - рус. Дисертацію присвячено вивченню дефектів ванадію у телуриді кадмію. Визначена конфігурація, енергія іонізації дефектів ванадію та їх вплив на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe. Досліджено концентраційний вплив ванадію у розплаві на властивості CdTe. Встановлено існування критичної концентрації ванадію у розплаві CdTe, при якій починається утворення комплексних дефектів з участю ванадію. Досліджено вплив різних обробок, таких як термічна та ультразвукова, на електричні та фотоелектричні властивості кристалів CdTe : V. Показано, що значний вклад у формування електричних та фотоелектричних властивостей кристалів після ультразвукової обробки вносить тонкий приповерхневий шар, збагачений електронами.  Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + З843.32 Рубрики: Шифр НБУВ: РА302578 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Гривул В. І. Вплив домішки олова на фізичні властивості широкозонних II - VI сполук : автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / В. І. Гривул; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2008. - 20 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА361467 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Грушка О. Г. Вплив домішок на електричні та оптичні властивості кристалів $Eroman bold {Hg sub 3 In sub 2 Te sub 6 } : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.10 / О. Г. Грушка; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2003. - 20 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА326807 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Дергачов М. П. Вплив легування та ізотопічного заміщення на оптичні явища в кристалі $Eroman bold {Li sub 2 B sub 4 O sub 7 } : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук: 01.04.07 / М. П. Дергачов; Дніпропетр. нац. ун-т. - Д., 2007. - 20 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА349232 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Верцімаха Г. В. Вплив магнітних іонів та неоднорідностей і флуктуацій їх просторового розподілу на екситонні спектри в напівпровідникових гетероструктурах : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / Г. В. Верцімаха; НАН України. Ін-т фізики. - К., 2000. - 19 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА313597 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Кобзар О. О. Дефектно-домішкова взаємодія в кремнії, легованому ізовалентними домішками : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук / О. О. Кобзар; НАН України. Ін-т фізики. - К., 2006. - 19 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА349019 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Кнорозок Л. М. Деформаційні зміни кристалічної гратки і енергетичного спектра електронної підсистеми антимоніду індію при подвійному легуванні : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Л. М. Кнорозок; Київ. ун-т ім. Т.Шевченка. - К., 1999. - 17 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА305716 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Клімов А. О. Домішкові центри в шаруватому селеніді галію, легованому гадолінієм : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. О. Клімов; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 18 c. - укp. - рус. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221,022 + В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА306130 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Биков І. П. Дослідження власних і домішкових дефектів у сегнетоелектричних матеріалах киснево-октаедричного типу : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / І. П. Биков; НАН України. Ін-т пробл. матеріалознавства ім. І.М.Францевича. - К., 2004. - 34 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.7,022 + В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА330629 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Івасів З. Ф. Дослідження впливу градієнта складу і дефектів гратки на оптичні, фотоелектричні властивості та механізми переносу заряду в твердих розчинах HgCdTe і фоточутливих структурах на їх основі : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / З. Ф. Івасів; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 2000. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + З854.22-01 Рубрики: Шифр НБУВ: РА310217 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 14. | Оберемок О. С. Дослідження механізмів дифузії імплантованих домішок в шаруватих структурах на основі кремнію в умовах нерівноважної концентрації точкових дефектів : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. С. Оберемок; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова. - К., 2005. - 16 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА337038 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 15. | Пузенко О. О. Дослідження процесів утворення та відпалу термодефектів в кремнії : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / О. О. Пузенко; НАН України. Ін-т фізики. - К., 1999. - 17 c. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25,022 + В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА306417 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 16. | Кислюк В. В. Електродифузія іонів як спосіб керування концентрацією мілких донорів у сульфіді кадмію : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / В. В. Кислюк; НАН України. Ін-т фізики напівпровідників. - К., 1999. - 16 c. - укp. - рус. Дисертацію присвячено теоретичному та експериментальному вивченню розподілу мілких донорів міжвузлового кадмію у CdS під дією електричного поля різної природи. На основі розглянутих теоретичних моделей розроблено та експериментально реалізовано: а) методи очищення об'єму сульфіду кадмію від рухомих донорів; б) метод визначення коефіцієнта дифузії міжвузлових іонів кадмію у CdS. Досліджено особливості електродифузії іонів кадмію у низькоомних нелегованих монокристалах CdS, вивчено вплив електродифузії донорів на властивості гетеропереходів. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.256,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА305820 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 17. | Пелещак Р. М. Електрон-деформаційні ефекти у кристалах зі структурними неоднорідностями та у напружених гетеросистемах : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Р. М. Пелещак; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2001. - 36 c. - укp. Висвітлено розвиток мікроскопічної самоузгодженої теорії електрон-деформаційних ефектів у кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах. На основі даної теорії розкрито механізм виникнення електрон-деформаційного диполя на напруженій гетеромережі, вздовж осі дислокації та дислокацій, що утворюють дислокаційну сітку. Наведено теоретичний опис з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії розсіяння Х-променів у напружених надгратках, зміни деформаційного стану гетеросистем з неузгодженими параметрами граток, дефектного кристала й енергетичного положення локалізованих станів електрона, зумовлених дислокацією під впливом зовнішніх полів (електричного або магнітного) та зміни ступеня заповнення електронної зони. Доведено, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до звуження області локалізації імплантованої домішки та пониження розмірності електронної підсистеми у структурах з неоднорідно напруженим шаром. Досліджено вплив поверхнево-деформаційних ефектів напівпровідника на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду Шотткі. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 + В379.371,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА313978 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 18. | Полигач Є. О. Зарядовий стан домішки гадолінію і власні дефекти у кристалах телуридів свинцю і олова : Автореф. дис... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.10 / Є. О. Полигач; Львів. нац. ун-т ім. І.Франка. - Л., 2003. - 20 c. - Бібліогр.: с.17. - укp. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА323818 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 19. | Таланін І. Є. Механізм утворення і властивості ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.07 / І. Є. Таланін; Чернів. нац. ун-т ім. Ю.Федьковича. - Чернівці, 2005. - 32 c. - укp. Розроблено новий загальний механізм утворення ростових мікродефектів, який грунтується на результатах численних експериментальних досліджень і концепції спільного існування вакансій та власних міжвузлових атомів кремнію поблизу температури кристалізації. За допомогою просвітлювальної електронної мікроскопії здійснено експериментальні дослідження знака деформації кристалічної гратки бездислокаційних монокристалів кремнію, яку викликають монокристали, що були вирощені за методами Чохральського та безтигельної зонної плавки за різних теплових умов росту. Вивчено процеси трансформації ростових мікродефектів у разі технологічних дій на кристали (термічної обробки, епітаксійного нарощування, іонної імплантації). Здійснено електрофізичні дослідження об'ємних кристалів та одержаних композицій. Показано, що агрегація точкових дефектів у вакансійно-міжвузловинному та міжвузловинному режимах росту кристалів за визначених теплових умов росту у процесі охолодження кристала може призводити до утворення вторинних дефектів - вакансійних октаедричних мікропор і міжвузловинних дислокаційних петель біля первинних киснево-вакансійних і вуглецево-міжвузловинних арегатів відповідно. Створено єдину класифікацію ростових мікродефектів, яка передбачає врахування картин їх розподілу залежно від швидкості росту кристалів малих діаметрів знака деформації кристалічної гратки, спричиненої певним дефектом. Скачати повний текстІндекс рубрикатора НБУВ: В379.222,022 Рубрики: Шифр НБУВ: РА334476 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 20. | Галущак М. О. Механізми дефектоутворення та модифікація властивостей напівпровідникових плівок сполук $Eroman {A sup IV B sup VI } : Автореф. дис... д-ра фіз.-мат. наук: 01.04.07 / М. О. Галущак; Сум. держ. ун-т. - Суми, 2004. - 36 c. - укp.
Шифр НБУВ: РА333740 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| ||||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського