Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: ДС47808 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: ДС47808 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25,022

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: ДС53270 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.256

Рубрики:

Дифузія і самодифузія в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено ряд гетеруючих обробок пластин Cz-Si. Виміряно характерні рекомбінаційно-чутливі параметри кремнієвих пластин. Із застосованих процедур віддано перевагу гетеруючій обробці, що включає нанесення плівки Ge, йонно-променеве перемішування та термообробку і дозволяє підвищити довжину дифузії нерівноважних носіїв струму з 25 - 30 до 100 - 300 mu м, причому наступні термообробки не приводили до деградації дифузійної довжини (як це спостерігається на пластинах без гетеруючої обробки).

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + К345.5

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Металургія напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251 + В368.31

Рубрики:

Фазові рівноваги. Фазові перетворення

Надпровідність. Надпровідники

Шифр НБУВ: Ж14388 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Методами електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) та фотолюмінесценції (ФЛ) досліджено процес зменшення інтенсивності ФЛ пористого кремнію при старінні. Підтверджено його зв'язок з десорбцією будь-якого об'єкту з поверхні пористого шару. Показано, що енергія активації набагато менше енергії зв'язків Si - Si та Si - H. Встановлено, що при десорбції утворюються два ЕПР-центри, які є поверхневими центрами кремнієвого окису. Показано, що зменшення інтенсивності ФЛ зумовлено не лише зростанням центрів безвипромінювальної рекомбінації, але і зменшенням концентрації центрів поглинання світла, яке збуджує люмінесценцію, та/або центрів випромінювання.

Методом 4-зондових вимірювань питомого електроопору досліджено вплив термообробки при 800 °C (ТО-800) на кінетику накопичення та відпалу кисневих термодонорів (КТД), що утворюються при 450 °C в монокристалах Si. Виявлено суттєве збільшення енергії активації КТД після ТО-800. Експериментальні результати проаналізовано з урахуванням ролі різних фазових станів кисню у вихідному Si. Запропонована інтерпретація враховує вплив внутрішніх пружних напружень кристалічної гратки Si, утворених мікрофлуктуаціями (МФ) концентрації кисню та КТД на дифузію атомів кисню. Кількісна оцінка розмірів МФ дає величину порядку сотен ангстремів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.251.4

Рубрики:

Кристалізація

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Дисертацію присвячено теоретичному та експериментальному вивченню розподілу мілких донорів міжвузлового кадмію у CdS під дією електричного поля різної природи. На основі розглянутих теоретичних моделей розроблено та експериментально реалізовано: а) методи очищення об'єму сульфіду кадмію від рухомих донорів; б) метод визначення коефіцієнта дифузії міжвузлових іонів кадмію у CdS. Досліджено особливості електродифузії іонів кадмію у низькоомних нелегованих монокристалах CdS, вивчено вплив електродифузії донорів на властивості гетеропереходів.

Для вивчення електронних властивостей гетеропереходів Si нанокристалічна (nc-Si) плівка / Si монокристал (c-Si) використано метод температурних залежностей поверхневої фото-ерс. Досліджено два типи зразків, одержаних лазерною абляцією c-Si мішені з осадженням nc-Si плівок на підкладки, віддалені від мішені, та на площину мішені. Розраховано температурні залежності концентрації носіїв заряду, захоплених на пастки межі поділу гетеропереходу, розподіл густини граничних електронних станів за енергією. З'ясовуються зв'язки між умовами одержання гетеропереходів та їх граничними електронними властивостями.

В процесі вирощування кремнію методом безтигельної зонної плавки використовуються різні види індукційних систем. Описано умови стійкого і відтворюваного процесу вирощування монокристалів кремнію у середовищі аргону. Розглянуто основні параметри, що характеризують процес індукційної безтигельної зонної плавки. Показано значний вплив форми та конструкції індуктора на відтворюваність вирощування монокристалів. Наведені найбільш оптимальні конструкції індукційних систем, що забезпечують відтворюваність вирощування у середовищі аргону монокристалів кремнію діаметром 100 мм і більше.

Дисертація присвячена питанням вирощування методом безтигельної зонної плавки високоякісних бездислокаційних монокристалів кремнію великого діаметра. Розглядаються нові напрямки щодо створення оптимальних теплових умов та режимів вирощування, запропоновані нові рішення теплових систем і пристрої для відтворюваного і стійкого вирощування та легування монокристалів кремнію. Встановлені числові методи визначення режимів очистки і легування стрижнів кремнію і розроблений критерій оцінки їх придатності для одержання монокристалів заданої якості. Запропонована нова теорія утворення мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію, основана на взаємодії точкових дефектів і атомів домішок. Встановлено, що мікродефекти A- і D-типу мають різну фізичну природу і їхнє утворення залежить від умов вирощування монокристалів. Представлено розробку технології бездислокаційних монокристалів кремнію діаметром 105 мм.

Дисертацію присвячено моделюванню деяких процесів, що відбуваються у приповерхневих шарах напівпровідників при їх взаємодії з атомарним воднем, а саме: дифузії атомарного водню в об'ємі напівпровідника з урахуванням поверхневих та об'ємних реакцій (хемосорбції і рекомбінації), внаслідок чого були одержані аналітичні вирази для швидкості їх протікання і показано (на прикладі системи водень-германій), що процеси рекомбінації атомів водню у приповерхневих шарах напівпровідників не впливають суттєво на дифузійні процеси в них; утворення точкових дефектів у напівпровідниках під дією енергії поверхневих хімічних реакцій, внаслідок чого були одержані аналітичні вирази для швидкостей утворення надлишкових вакансій і міжвузловинних атомів (і їх кількісні оцінки для кристалів германію та арсеніду галію); хемостимульованої дифузії (ХСД) у напівпровідниках, внаслідок чого були одержані аналітичні вирази для коефіцієнтів ХСД (і їх кількісні оцінки для індію, фосфору, алюмінію в арсениді галію та міді, золота у германії), за допомогою яких було визначено переважний механізм ХСД у вищевказаних системах в залежності від виду дифундуючої домішки та умов проведення експерименту. Одержані результати добре узгоджуються з існуючими експериментальними даними і можуть бути використані при подальших дослідженнях явища ХСД як для визначення кількісних характеристик цього процесу, так і для вибору оптимальних умов, за яких найбільш ефективно протікає хемостимульована дифузія.

Роботу присвячено комплексному дослідженню температурних нестабільностей фізичних властивостей (параметра елементарної комірки, КТР, електропровідності, коефіцієнта Холла, рухливості носіїв заряду) в об'ємних кристалах і плівках SnTe та надгратках SnTe/PbTe з метою встановлення впливу дефектів нестехіометрії та інших факторів на характеристики сегнетоелектричного фазового переходу (СФП), виявлення фазових переходів (ФП), зумовлених взаємодією дефектів нестехіометрії між собою, а також встановлення специфіки прояву ФП в тонких шарах SnTe і надгратках SnTe/PbTe. У кристалах та тонких плівках SnTe з високою концентрацією катіонних вакансій крім відомого СФП спостерігаються, принаймні, ще два ФП в інтервалах 135 і 150 та 200 - 215 К, які напевно, пов'язані з процесами перебудови дефектної підсистеми кристала. Характер прояву цих ФП залежить від концентрації власних дефектів та кінетичних факторів (швидкості нагріву-охолодження тощо). Показано, що прояв СФП, властивого SnTe, у надгратках SnTe/PbTe істотно залежить від орієнтації росту шарів. У надгратках SnTe/PbTe з напруженими шарами виявлено надпровідний перехід з критичною температурою ~ 3,4 К. Введення дислокацій невідповідності у міжфазну межу SnTe/PbTe призводить до пригнічення надпровідності.

Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем.