Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + В379.271.42

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Кінетику фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії залежно від глибини пор кожного макропористого шару розраховано за методом скінченних різниць. Стаціонарну фотопровідність у двосторонньому макропористому кремнії знайдено за допомогою системи рівнянь. У дослідженні було використано рівняння дифузії надлишкових неосновних носіїв заряду, початкову та граничну умови для розрахунку кінетики фотопровідності. Стаціонарну фотопровідність, яка збуджена світлом з довжинами хвиль 0,95 мкм та 1,05 мкм, використано як початкову умову. Автори врахували, що світло проходить через фронтальний та тильний макропористі шари, розповсюджуючись по кремнієвій матриці та порам. Граничну умову записано на межах кожного макропористого шару. Кінетику фотопровідності в двосторонньому макропористому кремнії товщиною 500 мкм розраховано за умови, коли глибина пор одного макропористого шару дорівнює 100 мкм, а глибина пор іншого шару макропористого кремнію змінюється від 0 до 400 мкм. Показано, що початковий період затухання фотопровідності збільшується, коли глибина кожного шару макропористого кремнію збільшується. В напівлогарифмічному масштабі, спад фотопровідності, який описується експонентним законом, змінює свій нахил, коли глибина пор фронтального або тильного шару макропористого кремнію більше 250 мкм або 200 мкм, відповідно. Експонентна частина фотопровідності змінює свій нахил незалежно від того, якою довжиною хвилі 0,95 мкм чи 1,05 мкм збуджувалася стаціонарна фотопровідність. Залежність кінетики фотопровідності від глибини пор фронтального та тильного шарів макропористого кремнію є майже ідентичною, коли фотопровідність збуджується світлом з довжиною хвилі 1,05 мкм. Зменшення фотопровідності в макропористому кремнії з наскрізними порами описується експонентним законом.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.271.4

Рубрики:

Оптичні властивості напівпровідників

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Установлено загальні закономірності й особливості впливу методів осадження та модифікування на структурно-морфологічні й оптоелектронні властивості плівок халькогенідів кадмію для збільшення ефективності приладних структур на їх основі. Проведено науковий аналіз морфології поверхні, структурних та оптичних властивостей плівок CdS, CdSe і CdTe залежно від методу осадження й умов відпалу. Встановлено, що фізичні методи осадження забезпечують досконаліші плівки, ніж метод хімічно-поверхневого осадження. На основі структурних характеристик проведено розрахунки електронної енергетичної структури. Встановлено, що для халькогенідів кадмію дисперсія енергетичних рівнів зменшується при переході від монокристалічного масивного зразка до тонкої плівки. Досліджено основні оптичні характеристики як функції довжини хвилі, одержані експериментально (метод обвідних) і розраховані теоретично з електронного енергетичного спектра з використанням співвідношення Крамерса-Кроніга. Одержано тонкі плівки CdS із вбудованим масивом наночастинок Au шляхом поєднання високочастотного (ВЧ) магнетронного напилення тонких плівок CdS та ультратонких плівок золота завтовшки 0,5; 1,0; 2,0 та 3,0 нм із подальшим їх термічним відпалом для формування сонячних елементів. Установлено, що введення масиву наночастинок Au у структуру сонячного елемента та наявність текстурованої поверхні приводить до покращення фотоелектричних параметрів сонячних елементів CdS / CdTe та збільшення їх коефіцієнта корисної дії (ККД).

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.14 + В379.271.4

Рубрики:

Твердіння. Кристалізація. Ріст кристалів

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.21 + В379.271.4

Рубрики:

Наноструктури

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42 + Л253.2-106

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Кремній

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У середовищі комп'ютерних симуляцій фотоелектричних комірок (ФЕК) SCAPS (Solar Cell Capacitance Simulator) виконано комплексне моделювання оптичних і фотоелектричних властивостей комірки на основі гетероструктури ZnO/CdS/CdTe/CuO. Обгрунтовано вибір високорезистивного прозорого оксидного матеріалу - для використання як фронтального контакту. Досліджено вплив товщини плівки на ефективність кінцевої комірки. Ефективність розглядуваної ФЕК склала 20,94 %. Структуру ФЕК обирали, виходячи з аналізу властивостей окремих шарів із товщиною. При цьому, додаючи кожен наступний шар, переглядалися властивості гетеросистеми. Таким чином, підібрано оптимальні товщини фотоелектричної гетеросистеми, які надають можливість отримати максимальну ефективність. Моделювання базується на основі експериментальних даних (товщина, оптичні характеристики, ширина забороненої зони) для кожної з плівкових систем, отриманих методом фізичного осадження у вакуумі.

На прикладі кристалів селеніду цинку (ZnSe) запропоновано систему визначення основних параметрів пасток. Спочатку за допомогою фотоелектричних досліджень, або досліджень термоемісійного струму, або термо- і фототермоерс, визначено характер провідності (електронний чи дірковий) в кристалофосфорі при збудженні. Далі визначено енергії термічної делокалізації електронів, наприклад, методом послідовного фракційного нагрівання термостимульованої люмінесценції. При цьому також визначено частотні фактори для відповідних пасток. Знаючи ефективну масу електрона легко вираховується ефективна густина станів електронів у зоні провідності. І в результаті з простого рівняння можна визначити перерізи локалізації вільних електронів на усі пастки та їх температурні залежності.

На прикладі кристалів селеніду цинку (ZnSe) запропоновано систему визначення основних параметрів пасток. Спочатку за допомогою фотоелектричних досліджень, або досліджень термоемісійного струму, або термо- і фототермоерс, визначено характер провідності (електронний чи дірковий) в кристалофосфорі при збудженні. Далі визначено енергії термічної делокалізації електронів, наприклад, методом послідовного фракційного нагрівання термостимульованої люмінесценції. При цьому також визначено частотні фактори для відповідних пасток. Знаючи ефективну масу електрона легко вираховується ефективна густина станів електронів у зоні провідності. І в результаті з простого рівняння можна визначити перерізи локалізації вільних електронів на усі пастки та їх температурні залежності.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.033.057.2 + В379.226 + В379.271.42

Рубрики:

Металізація металів з використанням плазмового струменя (плазмова металізація)

Тонкі шари напівпровідників

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.247 + В379.271.42

Рубрики:

Спектроскопія напівпровідників

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.033-18 + В379.271.4

Рубрики:

Металізація металів розпилюванням (шоопірування)

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Комплексно досліджено структуру - оптоелектронні властивості нових складних халькогенідних сполук, що знайдені шляхом підбору компонентів систем на базі подвійних та потрійних халькогенідів, які вже знаходять своє практичне використання. Висока спектральна прозорість об’єктів дослідження в робочому діапазоні лазера дає можливість розглядати їх як перспективні матеріали для застосувань в оптоелектронних пристроях, які працюють в середній ІЧ області. За результатами дослідження оптоелектронних властивостей показано, що змінюючи компонентний вміст сполук можна ефективно керувати як зміною ширини забороненої зони, так і положенням дефектних рівнів, які сприяють ефективній фотополяризації. Додаткові зміни досягаються за допомогою лазерного насвітлення. Виявлено, що в значення сприйнятливості другого порядку істотну роль вносить фононна підсистема. Цей факт може бути дуже важливим для подальшого пошуку матеріалів халькогенідів із покращеними нелінійно-оптичними властивостями та більшою прозорістю. Досягнуті параметри нелінійно-оптичних ефектів, дають змогу прогнозувати широке застосування досліджуваних кристалів як матеріалів для нелінійно-оптичного перетворення ІЧ лазерних променів. Проведені дослідження відкривають нові можливості для використання один раз синтезованого халькогенідного матеріалу у різних пристроях завдяки лазерно-керованим змінам відповідних оптичних констант.

Визначено: властивості гетероморфних напівпровідникових матеріалів на основі кристалічного та аморфного кремнію різного виду та ступеня аморфізації, суттєвих з точки зору застосування їх у фотоелектричних перетворювачах для сонячної енергетики і розподіл щільності електронних станів і спектр нормованої узагальненої функції розподілу щільності станів в гетероморфному кремнії з урахуванням ступеня розупорядкованості структури, розмірів та морфології включень. Представлено характеристики фотопровідності гетероструктури аморфного гідрогенізованого та монокристалічного кремнію як функції розмірів та морфології аморфних включень в кристалічному субстраті, які дозволили визначити основні шляхи підвищення ефективності сонячних елементів. Набули подальшого розвитку методи розрахунку впливу аморфних неоднорідностей на фотопровідність кристалічного кремнію в залежності від фізичних властивостей і геометрії цих неоднорідностей, що дозволило поглибити уявлення про фізичні процеси в гетероструктурах типу аморфний/кристалічний кремній.

Індекс рубрикатора НБУВ: Л719.2 + В379.271.4

Рубрики:

Шаруваті пластмаси

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження особливостей формування фотоакустичного відгуку в наноструктурованих системах на основі кремнію з розвиненою поверхнею. Зокрема, проведено вивчення впливу наявності інтерфейсу "наноструктуроване тверде тіло/рідина" на особливості енергоперетворення "електромагнітне випромінювання - звук". Для збудження інформативного відгуку використовувалося прямокутно-модульоване неперервне лазерне випромінювання з довжиною хвилі 532 нм. Реєстрація фотоакустичного сигналу відбувалася у п'єзоелектричній конфігурації. Експериментально одержано параметри фотоакустичного відгуку у випадках наявності та відсутності поверхневого шару рідини у контакті з наноструктурованою поверхнею. Встановлено та пояснено модифікацію форми такого відгуку під час створення інтерфейсу "наноструктуроване тверде тіло/рідина".

Наведено опис фотоіндукованих реакційно-дифузійних процесів в активних середовищах на основі дисперсних напівпровідників, іммобілізованих у полімерній матриці. Досліджено характер осциляції редокс-потенціалу і концентрацій окремих іонів в системі під дією випромінювання, показано роль подвійного електричного шару на поверхні мікрокомпартментів у підтримці концентраційних і електрохімічних градієнтів на поверхні мембранних структур. Доведено формування дисипативних мікроструктур в активному середовищі під дією випромінювання, що володіють структурною та фазовою неоднорідністю і суттєво відмінні за хімічним складом від навколишнього їх середовища за рахунок активного перебігу в них окисно-відновних процесів за участю компонентів полімерної матриці.