Викладено фізико-хімічні основи матеріалознавства основних кристалічних неорганічних речовин, які найбільше використовуються в електронній техніці. Розглянуто основні термодинамічні співвідношення, необхідні для вивчення властивостей розчинів та процесів фазових переходів у одно- і двокомпонентних системах, а також послідовно описано діаграми фазових рівноваг подібних систем.

Розкрито технологічні засади глибокої очистки речовин, одержання матеріалів для електронних пристроїв. Наведено основні методи вирощування монокристалів, очистки напівпровідникових матеріалів. Розглянуто місце та роль технології у створенні виробів електронної техніки. Запропоновано класифікацію матеріалів напівпровідникового виробництва, способів очистки матеріалів від домішок. Проаналізовано вплив різних факторів на швидкість процесів сублімації та дистиляції. З'ясовано суть поняття про коефіцієнт розподілу та розділу. Визначено рівноважний й ефективний коефіцієнт розподілу.

Раскрыты технологические основы глубокой очистки веществ, основы технологии получения материалов для электронных устройств. Приведены основные методы выращивания монокристаллов, очистки полупроводниковых материалов. Рассмотрены место и роль технологии в создании изделий электронной техники. Предложена классификация материалов полупроводникового производства, способов очистки материалов от добавок. Проанализировано влияние разных факторов на скорость процессов сублимации и дистилляции. Согласована сущность понятия о коэффициенте распределения и разделения. Определен равновесный и эффективный коэффициент распределения.

Розкрито фізичні основи перетворення енергії оптичного випромінювання в електричний струм з використанням явищ контактної різниці потенціалів напівпровідникових матеріалів, різних видів електронної емісії й електричного газового розряду. Наведено найбільш поширені схеми й описано фізичні принципи роботи фотоприймачів, випрямлячів, підсилювачів і пристроїв, які використовуються у системах оптико-електронних приладів. Наведено методи формування та керування електронними пучками.

Раскрыты физические основы преобразования энергии оптического излучения в электрический ток с использованием явлений контактной разницы потенциалов полупроводниковых материалов, разных видов электронной эмиссии и электрического газового разряда. Приведены наиболее распространенные схемы и описаны физические принципы работы фотоприемников, выпрямителей, усилителей и устройств, которые используются в системах оптико-электронных приборов. Приведены методы формирования и управления электронными пучками.

Висвітлено технологічні засади очистки та вирощування кристалів. Наведено загальну характеристику технології створення виробів електронної техніки. Розкрито фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників. Розглянуто основні методи очистки напівпровідникових матеріалів (через парову фазу, сублімація, дистиляція, кристалізація). Запропоновано технологію одержання монокристалів напівпровідникових і діелектричних матеріалів. Розглянуто основні технологічні операції виробництва напівпровідникових інтегральних мікросхем. Висвітлено фізико-хімічні основи технологій вирощування монокристалічного кремнію, а також створення напівпровідникових і гібридних інтегральних мікросхем. Описано фізико-хімічні процеси в металевих провідниках і контактах.

Освещены технологические основы очистки и выращивания кристаллов. Дана общая характеристика технологии создания изделий электронной техники. Раскрыты физико-химические основы материаловедения полупроводников. Рассмотрены основные методы очистки полупроводниковых материалов (через паровую фазу, сублимация, дистиляция, кристаллизация). Приведена технология получения монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов. Рассмотрены основные технологические операции производства полупроводниковых интегральных микросхем. Освещены физико-химические основы технологий выращивания монокристаллического кремния,а также создания полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Описаны физико-химические процессы в металлических проводниках и контактах.

Висвітлено питання виробництва елементних напівпровідникових матеріалів і з'єднань в контексті проблем експлуатації машин і механізмів, контролю виробничих процесів, вирощування кристалів. Розглянуто фізичні основи та технологічні прийоми обробки початкових матеріалів і виробництва готових продуктів. Наведено класифікацію напівпровідникових матеріалів. Розглянуто елементи зонної теорії твердого тіла. Описано методи вирощування кристалів. Увагу приділено одержанню високочистого селену, вирощуванню великогабаритних монокристалів германію, фізико-хімічним властивостям кремнію та технології отримання напівпровідникового кремнію. Охарактеризовано методи синтезу напівпровідникових з'єднань. Подано інформацію про термоелектричні матеріали та тверді розчини напівпровідникових з'єднань, що не розкладаються.

Розглянуто основні відомості про матеріали електронної техніки: провідникові, напівпровідникові й електродні матеріали. Досліджено хімічні матеріали для обробки напівпровідників. Увагу приділено пасивним та активним діелектрикам. Наведено матеріали фотолітографії та герметизації напівпровідників. Проаналізовано магнітні та допоміжні матеріали.

Розглянуто сучасні й перспективні надшвидкодіючі прилади електроніки: польові транзистори із затвором Шотткі, гетеробіполярні транзистори, транзистори з високою рухливістю електронів. Приділено увагу потужним НВЧ-транзисторам, резонансно-тунельним діодам і приладам, що містять в активній ділянці нові матеріали (графен, нанотрубки). Описано моделі перенесення заряду на макрорівні без урахування квантових ефектів (рівняння Больцмана, релаксаційні рівняння збереження, метод Монте-Карло) і з урахуванням ефектів розмірного квантування (метод обвідної хвильової функції). Надано опис матеріалів, які використовуються у галузі надвисоких частот, та ефектів перенесення гарячих електронів, що спостерігаються в сильному електричному полі за зменшення характерних розмірів приладів.

Викладено основні принципи функціонування напівпровідникових елементів і пристроїв, які використовуються в мікроелектроніці НВЧ, розглянуто особливості їх конструктивного виконання й технології виготовлення. Наведено основні співвідношення, які дають змогу виконувати розрахунок основних характеристик, розглянуто особливості їх технічного виконання та практичного застосування, напрями удосконалення та розвитку.

Подано інформацію про сучасні досягнення науки та техніки в царині створення новітніх напівпровідникових матеріалів та приладів на їх основі. Розкрито основи новітніх технологій, за допомогою яких створюються такі прилади. Розглянуто питання створення сучасних фотодіодів для ультрафіолетової та інфрачервоної області спектра, питання отримання фулеренів і графену та напівпровідникових приладів на їх основі. Увагу приділено явищу високотемпературної надпровідності та сенсорам на основі цього явища. Висвітлено актуальні питання сучасного космічного матеріалознавства та створення нанороботів для медичних цілей.