Комплексний інформаційно-бібліографічний сервіс Національної бібілотеки України імені В. І. Вернадського

Простий пошук

Розширений пошук

Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка

Тематичний інтернет-навігатор

Наукова електронна бібліотека

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

у знайденому

Сортувати знайдені документи за:
автором	назвою	роком видання

Формат представлення знайдених документів:
повний	стислий

Знайдено в інших БД:

Автореферати дисертацій (6)

Книжкові видання та компакт-диски (53)

Журнали та продовжувані видання (2)

Пошуковий запит: (<.>U=З852.5$<.>)

Загальна кількість знайдених документів : 56
Представлено документи з 1 до 20

...

Категорія:

Рапопорт А. Н.
Импульсные методы и средства диагностики дискретных СВЧ полупроводниковых приборов : Дис...канд.техн.наук:05.27.01 / А. Н. Рапопорт; Академия наук Украины, Институт физики полупроводников. - К., 1993. - 122 c. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.5-082.05

Рубрики:
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ДС41346сл Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Гусева Е. В.
Разработка математических моделей и исследование основных непериодических электрических систем электронных приборов СВЧ типа О и линейных ускорителей : Дис...канд.техн.наук:05.12.07 / Е. В. Гусева; КПИ. - К., 1993. - 151 с. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: з852.5-01 с + В381.130.44 в641

Рубрики:
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти
Прискорені системи < Лінійні прискорювачі >

Шифр НБУВ: ДС41746сл Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

Санин С. И.
Частотные возможности субмикронных полупроводниковых структур : Дис... канд. физ.- мат. наук:01.04.03; 01.04.10 / С. И. Санин; Харьковский гос. университет. - Х., 1995. - 220 с. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ДС50025 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

10.

Oleksenko P. Ph.
Electrophysical characteristics of LEDs based on GaN epitaxial films = Дослідження електрофізичних характеристик СВД на основі GaN епітаксійних плівок / P. Ph. Oleksenko, G. A. Sukach, P. S. Smertenko, S. I. Vlaskina, A. B. Bogoslovskaya, I. O. Spichak, D. H. Shin // Фізика напівпровідників, квантова та оптоелектроніка. - 1998. - 1, № 1. - С. 112-115. - Библиогр.: 12 назв. - англ.

Ключ. слова: gallium nitride, light emission, current-voltage characteristic, double injection
Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

11.

Ильченко М. Е.
Интегральные устройства СВЧ телекоммуникационных систем / М. Е. Ильченко, А. А. Липатов, Н. А. Могильченко, Т. Н. Нарытник, А. В. Савельев, Ю. И. Якименко. - К. : Техніка, 1998. - 110 c. - Библиогр.: 51 назв. - рус.

Викладено принципи дії, узагальнені характеристики і параметри напівпровідникових (монолітних) і гібридно-інтегральних схем, а також модулів НВЧ різного призначення. Розглянуто їх позитивні якості та недоліки; особливості конструкції, що впливають на експлуатаційні характеристики; вказані основні елементи та компоненти; наведені значення параметрів ІС різного призначення; вказані напрями їх удосконалення.

Індекс рубрикатора НБУВ: З970.3-043 + З852.5

Рубрики:

Системи передавання даних. Комп'ютерні комунікації

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ВА585566 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

12.

Ильин И. Ю.
Проблемы топологической привязки элементов полупроводниковых приборов / И. Ю. Ильин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 1998. - № 33. - С. 37-44. - Библиогр.: 17 назв. - рус.

Приведены данные по технологическим аспектам производства полупроводниковых приборов, обусловленные влиянием ориентационных характеристик материала. Предложены рекомендации по повышению качества топологической привязки в процессе технологического цикла изготовления полупроводниковых приборов. Описан простой, доступный, экспрессный метод формирования ориентационных меток на пластинах GaAs для топологической привязки элементов полупроводниковых приборов с использованием контактной фотолитографии.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

13.

Смуглий В. И.
Исследование фотокинетических явлений в полупроводниках на СВЧ / В. И. Смуглий, И. В. Сухоруков // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1999. - Вып. 111. - С. 50-53. - Библиогр.: 6 назв. - рус.

Розглянуто умови формування НВЧ сигналів фотопровідності високоомних напівпровідників у процесі імпульсної та гармонічної фотомодуляцій провідності, які виділяються за допомогою складового циліндричного РВП з Н012 видом коливань. Досліджено особливості вимірювання параметрів напівпровідників за високих рівнів фотозбудження. Доведено, що у більшості випадків фазовий метод вимірювання часу життя в напівпровідниках забезпечує високий ступінь адекватності досліджень.

Рассмотрены условия формирования СВЧ сигналов фотопроводимости высокоомных полупроводников при импульсной и гармонической фотомодуляции проводимости, выделяемых с помощью составного цилиндрического РИП с Н012 видом колебаний. Исследованы особенности измерения параметров полупроводников при высоких уровнях фотовозбуждения. Доказано, что в большинстве случаев фазовый метод измерения времени жизни в полупроводниках обеспечивает высокую степень адекватности исследований.

Conditions of hidht-ohmic semiconductior photoconductivity microwave signals formation with the pulse and harmonic photomodulation of conductivity, these signals being extract ed with oscillation mode composite cylindrical resonator, are considered. Recularities of seviconductors parameters measurement at high levels of photo excitation are studied. It is shown that the plase method of life-time measurement in semiconductors offer a high degree of the research adequacy in most cases.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-01

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

14.

Никонова З. А.
Аналогия между системами живых организмов и закономерностями работы технических устройств СВЧ диапазона / З. А. Никонова, О. Ю. Небеснюк, Е. В. Друзева // Радіоелектроніка. Інформатика. Управління. - 1999. - № 2. - С. 31-33. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Наведено принципи побудови багатостійкої логічної схеми на НВЧ мікроелектронних структурах, яка моделює КХЧ керуючу систему живої клітини.

Індекс рубрикатора НБУВ: ЕО*550*718.1,025 + З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16683 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

15.

Нікітенко О. М.
Вплив додаткових конструкційних параметрів на характеристики резонаторної системи приладів НВЧ / О. М. Нікітенко // Радиотехника / Харьк. гос. техн. ун-т радиоэлектрон. - 1999. - Вып. 112. - С. 75-76. - Бібліогр.: 13 назв. - укp.

Наведено результати теоретичних досліджень впливу додаткових конструкційних параметрів на важливі характеристики резонаторної системи: зсув частот коливань, розділення між модами коливань, вплив на вищі смуги пропускання. Базуючись на графічному матеріалі, можна визначати вищезгадані характеристики та за їх допомогою отримувати резонаторну систему таких приладів.

Представлены результаты теоретических исследований влияния дополнительных конструкционных параметров на важные характеристики резонаторной системы: сдвиг колебаний, разделение между видами колебаний, влияние на высшие полосы пропускания. Основываясь на графическом материале, можно определить вышеупомянутые характеристики и с их помощью оптимизировать резонаторную систему таких приборов.

Influence of complementary design parameters on microwave devices resonant system performances often arise. Results of theoretical research into the influence of the complementary desing parameters on such important resonant system performances as frequency shift, mode separation are presented. Based on a graphical material one can define the above mentioned characteristics and optimize such device resonant system using the characteristics.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж29221 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

16.

Карушкин Н. Ф.
Источники мощности миллиметрового диапазона на лавинно-пролетных диодах с распределенными параметрами / Н. Ф. Карушкин // Изв. вузов. Радиоэлектроника . - 1999. - 42, № 7. - С. 47-54. - Библиогр.: 4 назв. - рус.

Предложены твердотельные источники мощности с применением кольцевых лавинно-пролетных диодов с распределенными параметрами. Показана возможность значительного увеличения средней выходной СВЧ-мощности без использования алмазного теплоотвода. Конструкция диода позволяет создавать высокоэффективные сумматоры мощности и когерентные передающие устройства на их основе в диапазоне миллиметровых волн.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж27665 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

17.

Васильченко В. Ф.
Формирование электронных потоков заданной конфигурации для приборов СВЧ / В. Ф. Васильченко, Н. Ф. Купчинов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. - 1999. - 42, № 4. - С. 76-79. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5

Рубрики:
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж27665/рад.эл. Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

18.

Венгер Е. Ф.
Межфазные взаимодействия и механизмы деградации в структурах металл - InP и металл - GaAs / Е. Ф. Венгер, Р. В. Конакова, Г. С. Коротченков, В. В. Миленин, Э. В. Руссу, И. В. Прокопенко; ред.: Р. В. Конакова, Г. С. Коротченков; НАН Украины. Ин-т физики полупроводников. - К., 1999. - 233 c. - Библиогр.: 76 назв. - рус.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,021 + З852.5

Рубрики:
Тонкі шари напівпровідників
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: ВА594687 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

19.

Kosyachenko L. A.
Characterization of Hgsub1-x/subMnsubx/subTe single crystals and Hgsub1-x/subMnsubx/subTe photodiodes / L. A. Kosyachenko, I. M. Rarenko, O. O. Bodnaruk, V. M. Frasunyak, V. M. Sklyarchuk, Ye. F. Sklyarchuk, Sun. Sun Weiguo, Lu Zheng. Lu Zheng Xiong // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 1999. - 2, № 4. - С. 31-36. - Бібліогр.: 14 назв. - англ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4 + З852.5-03

Рубрики:
Фотоелектричні явища
Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

Категорія:

20.

Boltovets N. S.
Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals / N. S. Boltovets, V. V. Basanets, V. N. Ivanov, V. A. Krivutsa, A. V. Тsvir, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, V. G. Lyapin, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 3. - С. 359-370. - Бібліогр.: 12 назв. - англ.

Досліджено параметри кремнієвих і арсенід-галієвих НВЧ діодів різного функціонального призначення, термостійкі контакти яких виготовлено на базі фаз проникнення. Запропоновано уніфіковану технологічну схему виготовлення мікродіодів із об'ємними контактами. Випробуваннями даних діодів у форсованих режимах доведено їх високу термостійкість.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5-03

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ

...