Показана возможность создания кремния мультипористой текстуры как материала структуры фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). Рассмотрены морфологические элементы пористого кремния относительно разных параметров поры. Показано, что при использовании колоннообразного мультипористого кремния, выращенного химическим и электрохимическим методами, интегральный коэффициент отражения фронтальной поверхности ФЭП уменьшается.

Показано можливість створення кремнію мультипористої текстури як матеріалу структури фотоелектричних перетворювачів (ФЕП). Розглянуто морфологічні елементи пористого кремнію щодо різних параметрів пори. Показано, що під час використання колоноподібного мультипористого кремнію, який виростили хімічним і електрохімічним методами, інтегральний коефіцієнт відбивання фронтальної поверхні ФЕП зменшується.

The possibility of creation of porous siliconТs multitexture, as material of structure of photoelectric converter (FEC) is shown. The morphological elements of porous silicon are considered relative to different pore parameters. The integral coefficient of frontal surface reflection of FEC with using of columnar multitexture in the range from 400 nm up to 1150 nm decreased.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-03 + В379.251.4,022

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Кристалізація

Шифр НБУВ: РА307200 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено питання створення гетеропереходу алмазних (АП) та алмазоподібних плівок (АПП)/кремній, який має випрямні властивості та підвищену фоточутливість в ультрафіолетовій області випромінювання. Визначено метод осадження та технологічні режими, що дозволяє отримувати плівку АП або АПП з керованими властивостями. Установлено взаємозв'язок структури та фазового складу АП та АПП з умовами осадження. Визначено залежність між вмістом азоту в газовій суміші та електрофізичними, фотоелектричними властивостями гетеропереходу АПП/Si. На базі фотоємнісного ефекту розраховано параметри структури АПП/Si. З використанням АПП/Si розроблено новий тип фотоелектричного датчика, що працює в широкому спектральному діапазоні (200 - 1000 нм). Досліджено деградацію параметрів сонячних елементів із захисним покриттям із АПП під дією потоків високоенергетичних протонів і електронів. Доведено, що АПП, одержані плазмо-хімічним осадженням за високих напруг автозміщення (-300 В), забезпечують високу стабільність і радіаційну стійкість характеристик сонячних елементів, шо дозволяє використовувати дані АПП як захисні та просвітлювальні покриття фотоелектричних перетворювачів космічного призначення.

У дисертації методом комп'ютерного моделювання досліджено альтернативні моделі аморфізованого алмазоподібного напівпровідника на прикладі а-Si. Перша модель відповідає аморфній фазі, що виникає внаслідок іонної імплантації, друга - внаслідок вакуумного осаждування. Показано, що структурні і електронні характеристики аморфного напівпровідника істотно визначаються способом його одержання. Досліджено деградаційні процеси в аморфних напівпровідниках, які є базовими матеріалами опто- і фотоелектроніки. Зроблено співставлення з відомими експериментальними результатами.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-03

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854-03

Рубрики:

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: РА399355 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З854-03

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: РА446550 Пошук видання у каталогах НБУВ