Побудовано теорію еволюції електронного спектра від стаціонарного у тришаровій двоямній закритій сферичній квантовій точці (СКТ) за умов збільшення товщини зовнішнього шару-ями до фізичної безмежності до квазістаціонарного спектра, у простій відкритій СКТ. Показано, що за цього розподіл за енергіями ймовірностей знаходження електрона всередині тришарової закритої квантової точки має характер дискретної смуги, які за безмежної товщини зовнішнього шару-ями наближаються до резонансного рівня та півширини непреревної смуги квазістаціонарних станів простої відкритої СКТ. Побудовано теорію квазістаціонарних станів екситона та теорію електрон-фононної та екситон-фононної взаємодії. Показано, що невелике зміщення екситонного резонансного рівня головним чином формується кулонівською взаємодією електрона та дірки у внутрішньому шарі-ямі, зі збільшенням товщини бар'єра воно зростає за величиною. За методом функції Гріна показано, що довгохвильове зміщення резонансних рівнів електрона, дірки й екситона з рахунок взаємодії цих квазічастинок, з обмеженими поляризаційними фононами внутрішнього шару-ями тришарової закритої наносистеми має незначну величину, яка збільшується зі збільшенням товщини шару-бар'єра.

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Шифр НБУВ: Ж69219 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В379.24

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж67522 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В379.271

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Предложен метод определения рекомбинационных параметров из одного измерения в пластинах Si, таких как скорость поверхностной рекомбинации, "эффективное" и "объемное" время жизни носителей заряда. В основе метода лежит инжекция носителей заряда путем импульсного засвечивания локальной области светом из области фундаментального поглощения полупроводника и измерение временной зависимости изменения концентрации неравновесных носителей заряда. Метод тестировался в производственных условиях на технологических пластинах кремния и может использоваться для качественного контроля в процессе изготовления солнечных элементов.

Досліджено методологію побудови електронного енергетичного спектра квантової ями з нескінченно високими стінками, безмежно довгого циліндричного квантового дроту, надгратки з квантових ям і стеку квантових точок. Наведено конкретні приклади спектра для наноструктур на основі PbSe і PbS. Показано можливість використання результатів розрахунку енергетичного спектра простіших квантово-розмірних структур для аналогічних обрахунків у наноструктурах вищої складності. Виявлено спосіб керування властивостями стеку квантових точок за рахунок зміни його характерних геометричних розмірів.

Проведен расчет энергетического спектра электронов в широкой квантовой яме с различным количеством узких барьеров в области ямы. Показано, что уровни размерного квантования поднимаются по энергии при введении таких барьеров. При максимальном заполнении квантовой ямы узкими барьерами и образовании фрагмента короткопериодной сверхрешетки огибающие волновых функций электронов на уровнях размерного квантования близки по форме к огибающим для обычной квантовой ямы. При этом значительно увеличивается рассеяние на шероховатостях интерфейсов гетерограниц. Экспериментально исследована низкотемпературная латеральная проводимость по квантовой яме, туннельно-связанной с десятиямной короткопериодной сверхрешеткой, и отдельно по сверхрешетке. Полученные результаты хорошо согласуются с модельными расчетами и демонстрируют новую возможность создания параллельных каналов проводимости с различающейся подвижностью электронов.

We study the influence of polaron Rashba effect in an asymmetric quantum dot. Using variational method, we derive the expression of the polaron ground state energy. We also discuss the dependencies of the ground state energy on the wave vector and the transverse (longitudinal) effective confinement length. It is found that the ground state energy splits into two branches due to the Rashba effect. The spin splitting energy is an increasing function of the wave vector and the Rashba SO parameter.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В379.273

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В379.274

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Гальваномагнітні явища в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.212 в641 + В379.271.5

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Semiconductors of group have the structures very near to cubic close packed lattices. Their cation’s vacancies might be either in positional disorder or vice versa. This detail directly affects on so-called “structural factors” of the matrix elements of the Hamiltonian. The matrix elements change itself just depending on supposition about the degree of vacancies ordering. These investigations show that the part of energy levels is straightly depending on the degree of vacancies ordering, whereas other part of them is independent.

Зазначено, що напівпровідники групи мають структури, сильно наближені до кубічних щільно упакованих кристалічних граток. Їхні катіонні вакансії можуть знаходитися у відносному безладі і навпаки. Ця деталь безпосередньо впливає на так звані “структурні фактори” елементів матриці гамільтоніана. Елементи матриці змінюються в залежності від припущення про ступінь впорядкування вакансій. Дослідження показують, що частина енергетичних рівнів знаходяться в прямій залежності від ступеня впорядкування вакансій, тоді як друга їхня частина незалежна.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В371.35 + К234.104

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Плазмові коливання

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати комплексного дослідження парофазних конденсатів на основі PbTe, осаджених на підкладках із слюди за допомогою методу відкритого випаровування у вакуумі. В результаті обробки та аналізу АСМ-зображень побудовано гістограми розподілу наноструктур на поверхні плівки за нормальними та латеральними розмірами. Визначено залежності середніх розмірів нанокристалітів у нормальному та латеральному напрямках до поверхні підкладки від часу осадження. Підтверджено кореневу залежність середніх розмірів від тривалості осадження. Проаналізовано характер зміни фактора форми об'єктів на поверхні від технологічних параметрів.

We have investigated the influence of solution pH on the formation of nanocrystals and their size in the process of synthesis. We have analyzed the optical absorption spectra and luminescence of colloidal solutions of NC CdS. Nanocrystals of cadmiumsulphide were obtained by sol-gel technology in gelatin solution which has different pH values (6 - 10). A decrease was observed in the average size of the nanocrystals from 8 till 3,5 nm while reducing pH from 10 to 6. There has been established the dependence of the contour of luminescence spectra from pH values.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + В377.3

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.21 + Л719.2

Рубрики:

Квантування в напівпровідниках, квантові ями

Шаруваті пластмаси

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К390.1-1 + К391.91-1 + В379.211

Рубрики:

Виробництво металевих порошків

Виробництво композитних металокерамічних матеріалів і виробів

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ