Розроблено епоксидні заливальні та герметизувальні компаунди з широким спектром технологічних та експлуатаційних властивостей. За результатами реологічних досліджень розроблених композицій запропоновано автоматизовану систему управління та контролю за процесом заливання та герметизації у розливній машині з використанням мікропроцесорної техніки.

Показана можливість одержання в умовах мікрогравітації методом електронно-променевої безтигельної зонної плавки досконалих напівпровідникових монокристалів, а також вивчення ряду фундаментальних проблем фізики кристалізації.

Рассмотрен алгоритм расчета оптических и терморадиационных характеристик ультрадисперсных селективных покрытий согласно теории эффективной среды оптических свойств тонких пленок.

Получены и проанализированы уравнения прямого пьезоэффекта при прогибе круглой биморфной пластины с опертой границей и равномерно распределенным давлением на одной поверхности. Разработаны эквивалетные электрические схемы.

Розглянуто взаємодію нестаціонарної циліндричної акустичної хвилі та циліндричного п'єзоперетворювача з секціонованими електродами. Розв'язок отримано, використовуючи інтегральне перетворення Лапласа за часом, у вигляді рядів за власними формами коливань. При переході в простір оригіналів задачу зведено до інтегральних рівнянь Вольтерра. Наведено результати розрахунків за умови різних кутових розмірів електродних секцій та відстаней між джерелом хвилі і п'єзоперетворювачем.

Досліджено вплив термічної обробки на електрофізичні та механічні властивості кремнієвих пластин. Наведено результати термообробок, запропоновано режим обробки, який покращує службові характеристики пластин кремнію, що застосовуються у виробництві напівпровідникових приладів.

Наведено результати вивчення кількісних характеристик, що дозволяють описати поширювання плоскої електромагнітної хвилі на поверхні плівки, зробленої з високотемпературного надпровідника. Глибину проникання магнітного поля та поверхневий імпеданс викорастано в якості даних характеристик.

У межах феноменологічного підходу для матеріалів, що містять підсистему магнітних гранул, розглянуто умови виникнення різноманітних магнітних структур з феро- та антиферомагнітним упорядкуваннями. У такій моделі передбачено, що магнітна структура формується під впливом магнітостатичного поля в комплексі з обмінною взаємодією між електронами провідності та магнітними іонами.

Побудовано енергетичні діаграми нових наноструктурних матеріалів - допованих іонами срібла наночастинок CdS, інкорпорованих у силікатні матриці. Показано вплив кількості введеного срібла на ефективність фотокаталітичного виділення водню з водних сульфід-сульфітних розчинів та встановлено взаємозв'язок між фотокаталітичною активністю досліджених матеріалів та їх енергетичними характеристиками.

Рассмотрена физическая модель для расчета полескоростной характеристики основных полупроводниковых материалов (Si, Ge, GaAs), основанная на уравнениях сохранения импульса и энергии, расчете времен релаксации импульса. Показано влияние на степень насыщения упругости рассеяния на оптических фононах.

Досліджено похибку розрахунків елементів матриць, що наближує інтегральні оператори рівнянь густини струму в провідниках. Запропоновано просту методику визначення діагональних елементів.

Предложен и проанализирован комплексный метод вычисления оптических потерь в тонкопленочных солнечных элементах, включающий: определение оптических констант тонких металлических пленок и (или) пленок прозрачных проводящих окислов на спутниковых прозрачных подложках в режимах обычной отражательной многоугловой эллипсометрии и эллипсометрии с возбуждением поверхностных плазменных поляритонов, измерение относительных спектров отражения света для тех же пленок на полупроводниковой подложке, расчет спектров пропускания света в фотоактивную область тонкопленочного элемента с плоскими или микрорельефными границами раздела со специальным видом микрорельефа.

Проведена оптимизация расчета сигнала отклика сенсорной емкостной структуры типа электролит - диэлектрик - полупроводник (ЭДП) с ионочувствительным слоем нитрида кремния, работающей по принципу измерения высокочастотных вольт-фарадных характеристик такой структуры. Проанализированы физические ограничения, возникающие при построении интегральных сенсорных ЭДП-массивов на основе единой кремниевой подложки. Показано, что оптимальный выбор как конструктивных, так и электрических параметров сенсорного массива позволяет получить независимые выходные сигналы для всех сенсорных каналов массива, обеспечивая его корректную работу.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843-047

Рубрики:

Радіотехнічні матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Описано применение пористого кремния (ПК) в различных областях полупроводниковой микроэлектроники. Рассмотрено использование ПК для создания фильтров и газовых сенсоров, для формирования высокопроводящих слоев, контактов и соединительных элементов ИС, резисторов, фотоэлектродов, волноводов, тонких пленок нитрида, оксида или карбида кремния, а также для формирования светоизлучающих структур, антиотражающих покрытий, фотоприемников и солнечных элементов, преобразователей излучения. Проанализированы механизмы электролюминесценции и проблемы, стоящие перед разработчиками оптоэлектронных приборов и возможные пути их решения.

Наведено результати числових розрахунків наведених імпульсних напруг і струмів в екранованих коаксіальних кабелях зв'язку (ЕККЗ) з круглою циліндричною суцільною немагнітною ізотропною провідною оболонкою, що зазнає прямого впливу першої компоненти імпульсного струму блискавки 2/50 мкс. Досліджено вплив нестаціонарного поверхневого ефекту в оболонці ЕККЗ на зниження в кабелях зв'язку атмосферних перенапруг, що викликані прямим ударом блискавки в їх оболонку. Подано рекомендації з раціонального вибору постійної часу оболонки ЕККЗ, що забезпечує підвищення їх блискавкостійкості.

Уперше методом імпульсного електролітичного осаджування з одного електроліту на підкладках арсеніду галію одержано ультратонкі багатошарові Co/Cu- та CoNi/Cu-плівки з кількістю періодів 5 і 3, оптично прозорі у видимій області спектра, що виявляють властивості справді мультишарової структури - ефект гігантського ізотропного магнітоопору.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.2

Рубрики:

Провідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

На прикладі титанатів рідкісноземельних елементів з перовскітною структурою встановлено закономірності впливу гетеровалентних заміщень у катіонних підгратках, які дозволяють у межах одного структурного типу керувати в широких межах електрофізичними властивостями - від НВЧ-діелектриків до катіонних провідників і напівпровідників.

Висвітлено питання синтезу та вирощування халькогенідних напівпровідникових матеріалів систем Sn(Pb) - P - S(Se), As - S, As - Se, Ge - As - S, Ge - As - Se, As - S - Se. Наведено результати експериментальних досліджень основних параметрів і характеристик, що визначають перспективи створення активних середовищ з використанням досліджуваних сполук, описано методи їх оптимізації.