Ключ. слова: структура, фоточувствительность, двухбарьерный, кремний.
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:

Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-01

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: двухбарьерная структура, примесная фоточувствительность, туннельно-инжекционный, генерационно-инжекционный, показатель степени
Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: устройство, способ, структура, режим, эпитаксия, гетерослой
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395

Рубрики:

Тонкі плівки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Приведены результаты исследования процессов насыщения тока стока полевого транзистора с р-n-переходом. Показано, что при анализе процессов насыщения тока стока в схеме с общим истоком или в режиме автоматического смещения необходимо учитывать различный характер зависимости напряжений, падающих на переходах "сток - затвор" и "затвор - исток", для каждого случая. Полученные результаты представляют интерес для проектирования различных схем на основе полевых транзисторов.

The results of research of processes of saturation of a current of a drain of the field transistor with р-n-junction are given. Is shown, that it is necessary to take into account various character of dependence of voltage falling on drain-gate and gate-source transitions for each case at the analysis of processes of saturation of a drain current in the circuit with a general source or in a mode of automatic displacement. The received results are of interest for designing the various circuits on the basis of field transistors.

Экспериментально показано, что в полевом фототранзисторе с каналом, легированным оловом, участок с высоким динамическим сопротивлением является протяженным, в отличие от транзистора, легированного теллуром, что связано с особенностями процессов запирания канала в каждом случае. Выяснены механизмы фоточувствительности и установлена прямая зависимость процессов внутреннего усиления фототока от крутизны передаточной характеристики и выходного динамического сопротивления. Результаты могут быть использованы при конструировании оптоэлектронных схем на основе полевых фототранзисторов.

Is experimentally shown, that in the field phototransistor with the channel alloyed by tin, the site with high dynamic resistance is extended as against the transistor alloyed by tellurium. It is connected to features of processes of lockout of the channel in each case. The mechanisms of photosensitivity are found out. The direct dependence of processes of internal amplification of a photocurrent on a steepness of the transfer characteristic and target dynamic resistance is established. The results can be used at designing of opto electronic scheme on the basis of field phototransistors.

На основе экспериментальных данных вольт-амперной характеристики по зависимости сопротивления от напряжения в двухбарьерных m-рGaAs-nGdS- и модернизированных m-рGaAs-рGaAs-nGdS-структурах проведен расчет перераспределения напряжения между прямо- и обратносмещаемыми переходами. Полученные данные могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами.

On dependence of resistance on a voltage the account of redistribution of a voltage between directly and back by movable transitions is carried out on the basis of experimental data voltampere of the characteristic two-barrier m-рGaAs-nGdS- and modernized m-рGaAs-рGaAs-nGdS-structures. The received data could be used for a rating frequency of a range, dependence of photosensitivity on a field, to reveal mechanisms of photosensitivity of two-barrier structures with metal-semiconductor by transitions.

Модифицировано поршневое устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых соединений типа АIIIВV. Показана возможность управления градиентом концентрации примесей, создающим внутренние электрические поля в фотоприемной и активной областях полупроводниковых структур, путем выбора закономерности выдавливания раствора-расплава.

A device has been modified for liquid epitaxy of semiconductor compositions of the АIIIВV. It is shown a possibility of management of the impurity concentration gradient by selection on appropriate rule of extrusion molding of the solution - melt froma chamber by a bucket, creating inner electrical fields in foto-detecting and active regiong of semi-conductor structures.

Приведены результаты исследования особенностей фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательной структуры на основе изотипного NGaAs-nGaInAs-гетероперехода с потенциальными барьерами из Ag. Проанализированы физические процессы, протекающие в потенциальных барьерах при воздействии оптического излучения. Структуры обладают большей фоточувствительностью (2,2 А/Вт) при малых интенсивностях светового излучения. Фототок в примесной области поглощения охватывает широкий диапазон, вплоть до 1,7 мкм.

The results of research of features of the photo-electric characteristics of photoelectric converter of structure on a basis isotype NGaAs-nGaInAs-heterojunction with potential barriers from Ag are given. On the basis of settlement and experimental data the physical processes proceeding in potential barriers at influence of optical radiation are analysed. Is shown, that Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-structure has the greater photosensitivity (2,2 A/Wt) at small intensity of light radiation. The photocurrent inimpurity of area of absorption covers a wide range, down to 1,7 microns.

Ключ. слова: трехбарьерная структура, фоточувствительность, токоперенос, точка перегиба, показатель степени

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: резкий p-n-переход, жидкостная эпитаксия, промежуточный слой, раствор-расплав, охлаждение

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: механизм токопереноса, p+GaAsЦnGaAsЦp+GaAs-структура, модуляция, дефекты, ограничитель
Індекс рубрикатора НБУВ: З843.33

Рубрики:

Індій, галій та їхні сполуки

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в pAlGaInAs-nGaAs-гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. Показано, что модификация гетероперехода путем создания последовательно соединенного барьера к подложке и к гетерослою приводит к переводу пассивной паразитной части подложки в категорию активной и к ее модуляции с двух сторон, а сформированный к гетерослою третий барьер исключает инжекцию носителей в базовую область и существенно уменьшает емкость структуры. В результате увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон.

Досліджено вплив послідовно з'єднанних потенційних бар'єрів на фізичні процеси, що відбуваються в p-n-гетеропереході на прикладі одно- і багатобар'єрних структур. Показано, що модифікація гетеропереходу шляхом створення послідовно з'єднанного бар'єру до підкладки і гетерошару призводять до переводу пасивної паразитної частини підкладки в категорію активної та до її модуляції з двох боків, а сформований до гетерошару третій бар'єр виключає інжекцію носіїв у базову область й істотно зменшує ємність структури.

There have been researched how the consistently connected potential barriers influence on physical processes running in p-n-heterojunction on an example of one- and multibarrier structures. It is shown, that updating of the heterojunction by creation of the consistently connected barrier to a substrate and to heterolayer result in convertion of a passive parasitic part of a substrate to the active category and its modulation from the two-parties. The third barrier generated to heterolayer excludes the injection of carriers to the base area and essentially reduces capacity of structure.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.395

Рубрики:

Польові тріоди

Шифр НБУВ: Ж27665/рад. эл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Экспериментально установлена корреляция подвижности и концентрации носителей заряда и условий выращивания методом жидкофазной эпитаксии арсенид-галлиевых слоев. Отмечено, что при изменении параметров технологического процесса выращивания, можно получить слои с требуемой подвижностью и концентрацией носителей заряда.

Експериментально встановлено кореляцію рухливості та концентрації носіїв заряду й умов вирощування методом рідкофазної епітаксії арсенід-галієвих шарів. У разі зміни параметрів технологічного процесу вирощування, можна одержати шари з необхідною рухливістю та концентрацією носіїв заряду.

The correlation between mobility and carriers concentration and growthТs conditions of gallium arsenic layers by liquid phase epitaxy is established. It is possible to obtain layers with required mobility and concentration of charge carriers by changing of technology parameters of growthТs process.

Предложен новый метод измерения напряжения ограничения, предназначенный для измерения параметров мощных импульсных токов ограничителей напряжения. Погрешность метода в два раза меньше погрешности известного метода прямого измерения. Исследованы зависимости допустимой мощности одно- и двухкристальных ограничителей напряжения и импульсной наработки от длительности импульса.

Запропоновано новий метод вимірювання напруги обмеження, призначений для вимірювання параметрів потужних імпульсних струмів обмежувачів напруги. Похибка методу в два рази менше похибки відомого методу прямого вимірювання. Досліджено залежності допустимої потужності одно- та двокристальних обмежувачів напруги та імпульсного наробку від тривалості імпульсу.

A new method for measuring the voltage limit is offered. It has been designed to measure high-power pulsed current of voltage limiters. The error of this method is half as much as the error of the known method of direct measurement. The investigation of dependence of power capability of single-crystal and double-crystal voltage limiters and of the pulsed operation time on pulse duration.

Исследования показали, что при уменьшении толщины базовой области пропорционально уменьшается тепловое сопротивление структуры, а зависимость перегрева p–n-перехода от импульсной мощности приближается к экспоненциальной, что увеличивает выдерживаемую мощность. Так, например, для заданной температуры перегрева уменьшение толщины базовой области от 500 до 250 мкм может значительно (до 30%) повысить допустимую мощность диодной структуры.

Дослідження показали, що зі зменшенням товщини базової області пропорційно зменшується тепловий опір структури, а залежність перегріву p–n-переходу від імпульсної потужності наближається до експоненційної, що збільшує ви¬тримувану потужність. Так, наприклад, для заданої температури перегріву зменшення товщини базової області від 500 до 250 мкм дозволяє значно (до 30%) підвищити припустиму потужність діодної структури.

The conducted researches of the thermal parameters of the silicon p+–p–n+-structure under the influence of the pulse signal have shown that the structure thermal resistance decreases in proportion to the decrease in the thickness of the base region and the dependence of the superheating temperature of the pulsed power is close to exponential, which increases the withstanding capacity. A decrease in the thickness of the base region from 500 to 250 microns for a given temperature overheating can improve power handling diode p+–p–n+-structure by 30%.

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл - полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов.

Наведено результати досліджень двобар'ерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямними переходами «метал - напівпровідник» за фотодіодного та фотовольтаїчного режимів включення. Такі структури можуть використовуватись для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів.

The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions «metal - semiconductor» in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals.