З використанням методів мас-спектрометрії нейтральних частинок з пошаровим аналізом і спектроскопії поверхневої фотоелектрорушійної сили досліджено процеси гетерування рекомбінаційно-активних домішок у мультикристалітному (крупнозернистому полікристалічному) кремнії. Використано швидкий термічний відпал (the rapid thermal annealing (RTA)) в ізохронному й ізотермічному режимах. Дозовані концентрації домішок заліза та міді введено в зразки шляхом іонної імплантації. Гетерний шар формувався на тильному боці зразка та складався з шару алюмінію, напиленого на модифіковану хімічним травленням розвинуту поверхню Si. Оцінено енергії активації та коефіцієнти дифузії міді та заліза в імплантованих зразках, підданих RTA. Запропоновано оптимальні температури та час RTA для одержання гетеруючого ефекту. Спостережено прискорену (аномальну) дифузію заліза в гетерний шар, у той час як коефіцієнт дифузії міді був близький до літературних даних для монокристалічного кремнію. Обговорено можливі механізми виявлених ефектів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В378.26 + Г128.23-27

Рубрики:

Тонкі шари металів

Паладій

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г583.2

Рубрики:

Адсорбція

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2 + В379.222

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + В377.12

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1

Рубрики:

Електричні властивості твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

  Скачати повний текст

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226,022 + В379.25,022

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: РА328765 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Висвітлено сутність, особливості будови та галузі застосування інтелектуальних вимірювально-інформаційних систем. Охарактеризовано мікроелектронні датчики нового покоління. Розкрито особливості побудови інтелектуальних вимірювальних систем на основі мікроелектронних датчиків. Висвітлено принципи й основні положення сканувальної мікрохвильової мікроскопії. Розглянуто інтелектуальні системи (ІС) з напівпровідниковими датчиками механічних і теплових величин, а також ІС і пристрої на основі мікроелектронних напівпровідникових газових датчиків, біодатчиків, акустоелектронних датчиків на поверхневих акустичних хвилях. Увагу приділено можливостям використання ІС для діагностування стану рослин.

Розглянуто питання дослідження, розробки та організації виробництва мікроелектронних датчиків (МЕД) нового покоління (НП) різних типів і призначення, інтегрованих в інтелектуальні системи (ІС). Описано напівпровідникові датчики механічних і теплових величин, мікроелектронні напівпровідникові газові, акустоелектронні на поверхневих акустичних хвилях, мікрохвильові датчики, біодатчики та системи, ІС з МЕД. Особливу увагу приділено вивченню і використанню нових фізичних, хімічних, біофізичних ефектів під час створення нових класів МЕД НП. Висвітлено проблеми забезпечення ІС якісною первинною інформацією, створеними датчиками та їх використанням у різних галузях народного господарства, медицини. Викладено підходи до вирішення проблем інтеграції датчиків з засобами обчислювальної техніки, побудови мультисенсорних вимірювальних приладів і забезпечення високої чутливості, вибірковості та метрологічної надійності ІС. Визначено перспективні напрями розвитку датчиків на основі нових функціональних матеріалів, перспективних технологій та ІС з їх використанням.

Рассмотрены вопросы исследования, разработки и организации производства микроэлектронных датчиков (МЭД) нового поколения (НП) разных типов и назначения, интегрированных в интеллектуальные системы (ИС). Описаны полупроводниковые датчики механических и тепловых величин, микроэлектронные полупроводниковые газовые, акустоэлектронные на поверхностных акустических волнах, микроволновые датчики, биодатчики и системы, ИС с МЭД. Внимание уделено изучению и использованию новых физических, химических, биофизических эффектов при создании новых классов МЭД НП. Освещены проблемы обеспечения ИС качественной первичной информацией, созданными датчиками и их использованием в разных отраслях народного хозяйства, медицине. Изложены подходы к решению проблем интеграции датчиков со средствами вычислительной техники, построения мультисенсорных измерительных приборов и обеспечения высокой чувствительности, выборочности и метрологической надежности ИС. Определены перспективные направления развития датчиков на основе новых функциональных материалов, перспективных технологий и ИС с их использованием.

Висвітлено результати в області дистанційної експрес-діагностики біологічних об'єктів. Обгрунтовано і показано доцільність в розробці бездротових інтелектуальних портативних приладів і сенсорів і побудові на їх основі промислової системи збору і обробки даних.

Наведено відомості про віртуальну лабораторію автоматизованого проектування приладів та інтелектуальних систем. Описано важливу функцію віртуальної лабораторії - інформаційне забезпечення. Показано, що у тісній співпраці науково-дослідних інститутів та університетів можливо розробити та реалізувати бази даних, які становитимуть ядро інформаційного забезпечення такої складної системи, як віртуальна лабораторія автоматизованого проектування. Увагу зосереджено на розробленій бібліотеці готових рішень, яка містить інформацію про розроблені та реалізовані вітчизняними фахівцями датчики, прилади та інтелектуальні системи.

Розглянуто особливості гетерування рекомбінаційно-активних домішок у полікристалічному кремнії за допомогою методу, що включає послідовне формування шару пористого кремнію товщиною 0,5 - 2 мкм на зворотному боці кремнієвої пластини, осадження шару алюмінію товщиною 0,5 - 1 мкм і термічний відпал за температури 700 - 950 за Цельсієм протягом від 30 до 60 хв. Запропоновано модель гетерування даним методом, яка включає дифузію атомів заліза по двох найбільш імовірних незалежних каналах - в об'ємі пластини та по межах зерен. Із зіставлення результатів моделі з експериментальними даними встановлено, що 30 % атомів відгетерованої домішки дифундують прискорено по межах зерен, а 70 % - в об'ємі зерен.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розв'язано комплексну проблему створення мікроелектронних датчиків нового покоління на основі нових принципів, функціональних матеріалів і структур для забезпечення інтелектуальних систем первинним сигналом високої якості в режимі on-line та інтеграції їх в інтелектуальні системи широкого народногосподарського призначення.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619

Рубрики:

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж364.2

Рубрики:

Наноматеріали

Шифр НБУВ: Ж29109 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто фізичні та хімічні процеси, характерні для адсорбційних, каталітичних та п'єзоелектричних ефектів, на яких базується робота напівпровідникових сенсорів газів. Наведено інформацію про основи фізики поверхні й адсорбційних процесів. Детально проаналізовано адсорбоелектричний ефект та викладено експериментальні результати дослідження дії газів на шаруваті системи діелектрик-напівпровідник. Особливий акцент зроблено на використання наноструктур та наноструктурованих матеріалів. Описано квантовий механізм адсорбокаталітичної активності наноструктурованої поверхні. Наведено результати розроблення мікроелектронних напівпровідникових газових датчиків і проаналізовано створення інтелектуальних систем на їх основі. Значну увагу приділено фізичним та хімічним процесам, а також розробленню акустоелектронних сенсорів газів на поверхневих акустичних хвилях.