Запропоновано спосіб стабілізації характеристик магнітометрів на перетворювачах Холла, який базується на вимірюванні диференціального поля підмагнічування. Розглянуто принцип корекції, його похибки, структуру та вузли магнітометрів.

Висвітлено фізичні основи функціонування, первинні перетворювачі та принципи побудови сенсорів магнітного поля. Проаналізовано сучасний стан розвитку, параметри та застосування пристроїв вимірювання магнітного поля. Особливу увагу приділено сенсорам, які виготовляються на базі мікроелектронних технологій, зокрема, магнітосенсорним інтегральним схемам.

Описано вплив поверхнево-активних функціональних олігопероксидів на властивості колоїдних частинок магнетиту, одержаних із водних розчинів солей за їх присутності, та залежність колоїдно-хімічних властивостей магнітних рідин від вмісту адсорбованого полімеру на поверхні частинок.

Ключ. слова: мікрокристали, сенсори магнітного поля, радіаційні дефекти, опромінення електронами, концентрація носіїв заряду
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + З843.3

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано проблеми вимірювання магнітного поля в реакторах термоядерного синтезу (РТЯС) з магнітним утриманням плазми (типу ТОКАМАК). Показано, що нове покоління РТЯС потребуватиме апаратури для діагностики магнітного поля (МП), яка відповідає критеріям довготривалої експлуатації за екстремальних умов експлуатації. Розглянуто принципи побудови такої апаратури, нові конструкції інтегрованих перетворювачів, елементну базу схем обробки сигналу тощо. Наведено результати виконаних у кінці 2004 року експериментів з вимірювання МП в реакторі TORE SUPRA (Кадараш, Франція).

Досліджено вплив електронного опромінення при 300 К на параметри тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів на основі легованого InSb. Одержано концентраційні та дозові залежності відносної зміни концентрації носіїв заряду в досліджуваних матеріалах під дією електронного опромінення. Обговорено особливості зміни параметрів тонкоплівкових та монокристалічних мікросенсорів під дією опромінення. Проведеним ізохронним відпалом досліджено стійкість радіаційних дефектів в InSb.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.147

Рубрики:

Вирощування кристалів. Вирощування монокристалів

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано задачу картографування магнітного поля (МП) в циклотронних магнітах. Особливістю цієї задачі є високопрецизійне вимірювання неоднорідного МП багатоканальними магнітометрами на базі матриць радіаційностійких холлівських сенсорів (похибка - не більше 0,01 %). Наведено нові розв'язки щодо побудови таких вимірювальних пристроїв, а також структуру та результати апробації розробленого картографа Mapper-MSL.

Індекс рубрикатора НБУВ: З222-5

Рубрики:

Магнітні вимірювання

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто питання створення апаратури для дослідження гальваномагнітних сенсорів в процесі їх опромінення в нейтронних реакторах. Дослідження параметрів сенсорів проведено безпосередньо під час їх опромінення (real-time) і за дуже високих рівнів радіаційного випромінювання. Розроблену апаратуру успішно апробовано та використано в експериментах з дослідження радіаційної стійкості гальваномагнітних сенсорів Лабораторії магнітних сенсорів (Національного університету "Львівська політехніка") в реакторі ИБР-2 (ОІЯД, Дубна, Росія) у жовтні 2006 р.

Індекс рубрикатора НБУВ: В375.143.1

Рубрики:

Ріст кристалів із розплавів. Плавлення твердих тіл, кристалів

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено принципи побудови сенсорних пристроїв магнітного поля на сенсорах Холла з розщепленою структурою. Показано, що шляхом відповідної конструктивної модифікації сенсорів Холла з розщепленою структурою вдається одержати нові функціональні можливості, зокрема, щодо підвищення просторової роздільної здатності та інтегрування декількох сенсорів в дво- та тривимірні структури.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: РА351279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено залежність стабільності параметрів плівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs і InSb від температури опромінення. Наведено результати досліджень впливу спектра нейтронів на величину зміни чутливості сенсорів. Показано особливості поведінки параметрів сенсорів на базі багатошарових гетероструктур, опромінених електронами та реакторними нейтронами.

Досліджено вплив нейтронного опромінення на параметри тонкоплівкових сенсорів магнітного поля на основі InAs та InSb. Визначено вплив спектра нейтронів на величину зміни параметрів сенсорів. Наведено результати відпалу радіаційних дефектів опромінених зразків. Показано, що зміна параметрів сенсорів на основі багатошарових структур визначається не тільки поведінкою матеріалу робочого шару, а також впливом нейтронного опромінення на властивості буферних шарів цієї структури.

Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов одержання мікрокристалів InAs - GaAs за допомогою методу хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначено оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs - GaAs.

Проаналізовано характеристики сканерів магнітного поля (МП) на базі лінійок розщеплених холлівських структур (ЛРХС). На відміну від традиційних лінійних сканерів МП, конструкція ЛРХС надає змогу істотно підвищити роздільну здатність двокоординатного вимірювання просторового розподілу МП. Однак, відсутність симетрії потенціальних виводів у таких структурах потребує використання нових підходів у побудові схем формування сигналів і детальнішого аналізу залежності їх вихідних напруг від вектора індукції МП. Запропоновано параметричну модель сенсорів МП на базі ЛРХС, спосіб їх калібрування та основні підходи в побудові просторових структурних моделей засобами FEMLAB і MATLAB.

Наведено аналіз польової характеристики сенсорів магнітного поля на розщеплених холлівських структурах (РХС). Характеризуючись рядом принципових переваг, зокрема, можливістю інтегрування у трикомпонентні (BX, BY, BZ) зонди магнітного поля з високою просторовою роздільною здатністю, такі РХС вимагають глибшого аналізу залежності вихідної напруги сенсора від вектора індукції магнітного поля. Запропоновано модель РХС, що описує паразитну магніторезистивну модуляцію польової характеристики, методику дослідження цієї модуляції та її кількісні параметри. Наведено приклад застосування одержаних результатів під час калібрування трикомпонентних вимірювальних зондів магнітного поля.

Наведено технологію одержання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дозволяє контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара - рідина - кристал і конкуруючий ріст нанодротин.