Викладено основні елементи сучасної теорії термодинамічних і кінетичних властивостей кристалів, зокрема, зонної теорії твердого тіла. Наведено важливі алгоритмізовані висновки з фізики напівпровідників і фізики твердого тіла, що дають змогу визначити кінетичні властивості кристалів. Розглянуто домішкові енергетичні рівні в кристалах, методику розрахунку величин, що описують кінетичні властивості кристалів, а також локальні енергетичні рівні домішкових атомів.

Розглянуто вплив високотемпературного відпалу в парах компонент на електрично активні центри в дифосфіді цинку, електропровідність і теплопровідність у низькорозмірних квазідвовимірних електронних системах, нестійкості плоского фронту кристалізації у разі лазерної епітаксії та легування напівпровідників. Описано математичну модель дифузії в неформованій гратці, високочутливі перетворювачі для однокристальних термосенсорних інтегральних схем, електрооптичне частотно-амплітудне перетворення сигналів. Проаналізовано дифракцію світла на періодичних структурах методом зв'язаних хвиль, масопереносу селеніду цинку в квазізакритій системі.

Викладено основні елементи теорії термодинамічних і кінетичних властивостей кристалів, розглянуто методи вимірювання їх параметрів. Наведено варіанти завдань для курсової та дипломної робіт з фізики напівпровідників та фізики твердого тіла.

Розглянуто питання теорії фізики напівпровідників та напівпровідникових приладів, теоретичні та практичні проблеми мікроелектроніки та сенсорної техніки. Висвітлено особливості термодинаміки та кінетики інтеркалювання природного шаруватого тальку, перспективи застосування некогерентних оптичних випромінювачів у низькоінтенсивних фотомедичних технологіях. Описано методи та алгоритми підвищення точності та інформативності аналізу кардіосигналів.

Рассмотрены вопросы теории физики полупроводников и полупроводниковых приборов, теоретические и практические проблемы микроэлектроники и сенсорной техники. Освещены особенности термодинамики и кинетики интеркалирования природного слоистого талька, перспективы применения некогерентных оптических излучателей в низкоинтенсивных фотомедицинских технологиях. Описаны методы и алгоритмы повышения точности и информативности анализа кардиосигналов.

Проаналізовано параметри кола первинного перетворювача ємнісних сенсорів вологості. Висвітлено особливості термодеградаційних ефектів у товстих плівках змішаних оксиманганітів перехідних металів.

Проанализированы параметры круга первичного преобразователя ёмкостных сенсоров влажности. Освещены особенности термодеградационных эффектов в толстых плёнках смешанных оксиманганитов переходных металлов.

Наведено математичні моделі зростання шарів арсеніду галію у хлоридній газотранспортній системі в режимах, за яких швидкість зростання визначається швидкістю масодоставки реагентів шару, що вирощується на підкладці. Досліджено газодинамічні процеси у реакторах та зростання шарів. Розглянуто питання про новий метод у теорії кінетичних властивостей кристалів. Наведено комп'ютерну модель процесів, які відбуваються у сенсорі гідростатичного тиску на основі ефекту п'єзо-термо-електрорушійних сил у мікрокристалах кремнію р-типу провідності за нестаціонарних температур і тиску. Висвітлено вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Розглянуто еволюцію дефектів структури в кристалах червоного дифосфіду цинку за умов опромінення та відпалу методом анігіляції позитронів та ідентування. За допомогою сучасної кінетичної теорії визначено природу важливих параметрів напівпровідникових терморезисторів. Наведено результати досліджень оптико-механічних властивостей селеніду цинку.

Описано основні елементи сучасної теорії термодинамічних та кінетичних властивостей кристалів. Проаналізовано термодинамічні властивості газу носіїв зарядів у кристалах. Особливу увагу приділено висновкам теорії, які дозволяють алгоритмізувати важливі задачі фізики твердого тіла та фізики напівпровідників, що дозволяють моделювати та прогнозувати кристали і структури приладів із заданими властивостями. Наведено моделювальні комп'ютерні програми, розроблені на базі програмного пакета MathCAD.

Викладено теорію фізики напівпровідників і напівпровідникових приладів, мікроелектроніки та сенсорної техніки. Проаналізовано особливості багатофункціональних сенсорів для вимірювання індукції магнітного поля, температури та потужності НВЧ-випромінювання. Розглянуто вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів на вихідний сигнал хімічних сенсорів. Наведено алгоритм визначення власної та взаємної індуктивності для систем з взаємнопаралельними провідними доріжками необмеженої довжини, а також математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів.

Рассмотрены вопросы теории физики полупроводников и полупроводниковых приборов, микроэлектроники и сенсорной техники. Проанализированы особенности многофункциональных сенсоров для измерения индукции магнитного поля, температуры и мощности НВЧ-излучения. Рассмотрено влияние потенциала подкладки ионно-селективных полевых транзисторов на выходной сигнал химических сенсоров. Предложены алгоритм определения собственной и взаимной индуктивности для систем с взаимопараллельными ведущими дорожками неограниченной длины, а также математическая модель для расчета высокочастотных вольфарадных характеристик МОН-конденсаторов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З85 я54(4УКР)3

Рубрики:

Електроніка

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

В роботі обгрунтовано критерій просторового квантування спектра носіїв струму в тонких провідних плівках. У зв'язку з цим кінетичні властивості тонких плівок та концентрація носіїв зарядів в них корелюють з їхніми товщинами. Показано, що додаткове розсіювання на поверхні плівок теж може призводити до такої кореляції

The criterion of spatial quantification of charge carriers of spectrum on thin conduction films is established. Therefore both the kinetic properties of thin films and the carrier concentration on theirs are correlation from thickness. Is shown, that additional scattering on films surface may be lead to that correlation

Проаналізовано кінетику оптичного відгуку під час адсорції аміаку в плівці поліаніліну. Висвітлено кінетичні та фотоелектричні властивості шаруватих напівпровідників, лазерно інтеркальованих нікелем. Розглянуто питання моделювання просторових характеристик керованих оптичних потоків некогерентних випромінювачів для фотомедичних технологій, математичного моделювання процесів струмоперенесення та хвилеутворення в тонких плівках. Описано пристрій картографування магнітного поля циклотронних магнітів на основі матриць холлівських сенсорів. Розкрито структуру та вивчено електрофізичні властивості аморфних і кристалічних плівок селеніду ртуті.

Проанализирована кинетика оптического отклика при адсорбции аммиака в пленке полианилина. Освещены кинетические и фотоэлектрические свойства слоистых полупроводников, лазерно интеркалированных никелем. Рассмотрены вопросы моделирования пространственных характеристик управляемых оптических потоков некогерентных излучателей для фотомедицинских технологий, математического моделирования процессов токопереноса и волнообразования в тонких пленках. Представлено описание устройства картографирования магнитного поля циклотронных магнитов на основе матриц холловских сенсоров. Раскрыта структура и изучены электрофизические свойства аморфных и кристаллических пленок селенида ртути.

Відзначено, що для модельного напівпровідника з ймовірними параметрами розраховано термоелектричну ефективність напівпровідникових матеріалів, показано залежність максимального значення ефективності від закону дисперсії носіїв струму та механізмів їх розсіювання на дефектах кристалічної гратки.

Виміряно коефіцієнт Зеєбека в деформованих і недеформованих ниткоподібних кристалах твердих розчинів Si-Ge в інтервалі температур 4,2 - 200 K. Надано аналіз одержаних результатів вимірювань з урахуванням процесу екранування потенціалів домішкових атомів носіями зарядів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В379.271.51

Рубрики:

Структура напівпровідників

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Показано вплив ефекту екранування на коефіцієнт ефекту Зеебека та концентрацію носіїв струму в кристалах. Вияснено умову делокалізації валентних електронів домішкових атомів за умов слабкої взаємодії між іонізованими домішками та умову виникнення домішкової енергетичної зони.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.4 + В317.16

Рубрики:

Теплоелектричні генератори. Термопари

Термодинаміка нерівноважних процесів

Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено елементи статистичної теорії властивостей плівкових кристалів, яка є альтернативною до кінетичної теорії і грунтується на кінетичному рівнянні Больцмана.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.32 + В379.2

Рубрики:

Селен, телур, сірка та їхні сполуки

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вияснено вплив ефекту екранування домішкових центрів з малими енергіями активації на значення хімічного потенціалу та значення коефіцієнта ефекту Зеєбека. Показано, що за відсутності ефектів екранування в домішкових кристалах експериментальні значення коефіцієнта Зеєбека дозволяють розрахувати всі важливі внутрішні характеристики таких кристалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.33 + В377.3

Рубрики:

Тверді розчини

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ