Досліджено вплив циклічного навантаження з амплітудою, співмірною з пороговим коефіцієнтом інтенсивності напружень, на діаграму статичного розтягу та повзучість зразків із тріщинами зі сплаву АМг6. Проаналізовано вплив частоти та розмаху коефіцієнта інтенсивності напружень на величину розкриття вістря тріщини, зумовлену повзучістю.

Исследовано влияние комбинированного нагружения на динамическую ползучесть сплава АМг6 и проанализировано достоверность описания этого процесса в рамках известных моделей. Обнаружено, что эти модели не позволяют достоверно описать процесс динамической ползучести. Предложен подход к прогнозированию влияния уровня напряжений на динамическую ползучесть сплава АМг6, основанный на теории Работнова и зависимости приведенной динамической ползучести от коэффициента ассиметрии цикла, который удовлетворительно согласуется с результатами экспериментов.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.144

Рубрики:

Дифракція електронів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.12

Рубрики:

Електропровідність. Електричний опір

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати експериментальних і теоретичних досліджень впливу технологічних факторів вирощування, легування, окислення, термічного відпалу та радіаційного опромінення на процеси дефектоутворення в кристалах і тонких плівках халькогенідів свинцю та телуриду олова.

Досліджено вплив низькоамплітудної циклічної складової напруження на дислокаційну структуру сплаву АМг6 за умов динамічної повзучості. Виявлено, що за динамічної повзучості густина дислокацій більша у порівнянні зі статичною за однакових рівнів максимальних напружень. Циклічна складова повзучості збільшує дислокаційну густину за рахунок зменшення кроку дислокаційної сітки, а також шляхом утворення вторинної дислокаційної сітки на фоні наявної. Інтенсифікація динамічної повзучості у порівнянні з статичною пояснюється підвищенням термічних флуктуацій у мікрооб'ємах матеріалу, а також активізацією розмноження дислокацій за механізмом багаторазового поперечного ковзання.

Розкрито суть основних фундаментальних понять і законів квантової фізики атомів, молекул і конденсованих систем. Розглянуто питання атомної фізики, фізики молекул, кристалічних твердих тіл і квантових рідин, а також когерентні прояви квантових ефектів у макроскопічних масштабах (когерентне випромінювання, надтекучість і надпровідність). На підставі досягнень сучасної квантової теорії конденсованих систем запропоновано концепцію квазічастинок. Викладено суть поняття симетрії.

Раскрыта сущность основных фундаментальных понятий и законов квантовой физики атомов, молекул и конденсированных систем. Рассмотрены вопросы атомной физики, физики молекул, кристаллических твердых тел и квантовых жидкостей, а также когерентные проявления квантовых эффектов в макроскопических масштабах (когерентное излучение, сверхтекучесть и сверхпроводимость). На основе современной квантовой теории конденсированных систем предложена концепция квазичастиц. Изложена сущность понятия симметрии.

Розглянуто вплив внутрішніх механічних напружень, а також залишкового кисню на процеси дефектоутворення у плівках халькогенідів свинцю, осаджених на різні підкладки. З'ясовано механізм утворення металічної фази за умов вирощування плівок з парової фази. Розглянуто кінетику поверхневої концентрації електронів з врахуванням комплексоутворення власних дефектів з киснем.

Influence of inlying mechanical tensions, and also remaining oxygen on processes of defect formation in films of lead chalkogenides, grown on different substrates is considered. It is cleared up mechanism of formation of metallic phase in case of films growing from the vapour phase. A kinetics of surface concentration of electrons taking into account the complex formation of own defects with oxygen is considered

Висвітлено основні питання кристалохімії та кристалографії, розглянуто механічні, теплові, електронні властивості твердих тіл, а також оптичні та магнітні властивості речовин. Описано електронну будову атомів і типи хімічного зв'язку, визначено особливості формування кристалічних структур. Розглянуто періодичну гратку, близький і далекий порядок, атомний радіус, координаційне число, упакування атомів, явища полі- й ізоморфізму. Охарактеризовано різні види твердих тіл (аморфні тіла, стекла, полімери, композиційні матеріали, рідкі кристали, скритокристалічні та кристалічні тверді тіла) й основні елементи кристалографії. Розглянуто дефекти кристалічної структури й експериментальні методи її дослідження. Наведено класифікацію твердих тіл з урахуванням основних положень зонної теорії. Висвітлено теоретичні засади фізики металів, запропоновано методи вивчення твердих тіл.

Освещены основные вопросы кристаллохимии и кристаллографии, рассмотрены механические, тепловые, электронные свойства твердых тел, а также оптические и магнитные свойства веществ. Описано электронное строение атомов и типы химической связи, определены особенности формирования кристаллических структур. Рассмотрены периодическая решетка, ближний и дальний порядок, атомный радиус, координационное число, упаковывание атомов, явления поли- и изоморфизма. Охарактеризованы различные виды твердых тел (аморфные тела, стекла, полимеры, композиционные материалы, редкие кристаллы, скрытокристаллические и кристаллические твердые тела) и основные элементы кристаллографии. Рассмотрены дефекты кристаллической структуры и экспериментальные методы ее исследования. Приведена классификация твердых тел с учетом основных положений зонной теории. Освещены теоретические основы физики металлов, приведены методы изучения твердых тел.

Запропоновано модель дефектної підсистеми у плівках PbS, яка передбачає існування різних зарядових станів вакансій і міжвузлових атомів у катіонній підгратці. Одержано аналітичні вирази для залежності концентрації носіїв струму та дефектів від технологічних факторів у методі гарячої стінки. Визначено умови реалізації p - n-інверсії провідності.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.6

Рубрики:

Тонкі шари твердих тіл

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.5 + В371.331

Рубрики:

Напівпровідникові пристрої надвисокої частоти

Фонони

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Установлены микромеханизмы деформирования сплава АМг6 в условиях краткосрочной ползучести и растяжения под действием комбинированного нагружения (статического с наложением низкоамплитудной циклической составляющей) при 293 К. Предложен механизм, согласно которому измельчение зерен и возрастание их количества приводит к увеличению центров зарождения пор в материале. Влияние циклической составляющей проявляется в увеличении плотности и размеров пор по сравнению с ползучестью и кратковременным растяжением при статическом нагружении.

Досліджено розподіл за товщиною напрямлених неоднорідностей у тонких плівках халькогенідів свинцю за участю кисню в разі їх відпалу на повітрі. Запропоновано дифузійно-рекомбінаційний механізм процесу, який містить дифузію іонів кисню та їх рекомбінацію з вакансіями халькогену. Визначено просторово-часовий розподіл концентрації носіїв заряду.

Описано й обгрунтовано гіпотезу взаємозв'язку стрибкоподібної деформації під час статичного розтягу у м'якому режимі навантажування сплаву АМг6 з руйнуванням дисперсних включень другої фази. Виявлено залежність величини стрибкоподібних приростів деформації від розміру дисперсних фаз і розподілу їх у даному сплаві. Запропоновано методику прогнозування стрибкоподібної деформації сплаву на основі гістограми розподілу дисперсних частинок у первинному матеріалі.

На основі квазіхімічного підходу проаналізовано механізми процесу легування індієм кристалів і плівок PbTe, збагачених телуром. Встановлено основні закономірності процесів, що відбуваються при легуванні кристалів телуриду свинцю і при вирощуванні легованих епітаксійних плівок телуриду свинцю. Визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій та ентальпії власних і домішкових дефектів.

Виконано квазіхімічний розрахунок рівноважної концентрації дефектів у кристалах PbSe та PbTe, легованих талієм. Проаналізовано механізми процесу легування талієм кристалів PbSe та PbTe. На основі порівняння експериментальних даних із результатами розрахунків визначено константи рівноваги квазіхімічних реакцій і ентальпії утворення для вакансій халькогену та міжвузлового талію.

Наведено результати досліджень хімічного і фазового складу, а також електричних властивостей тонких полікристалічних плівок селеніду свинцю, підданих впливу атмосферного кисню. Запропоновано механізми взаємодії кисню із матеріалом плівок.

Досліджено хімічний і фазовий склади, кристалічну структуру, електричні параметри плівок телуриду свинцю, відпалених на повітрі і вакуумі. Встановлено, що складний характер зміни цих властивостей пов'язаний з процесами взаємодії із атмосферним киснем на повітрі та десорбцією телуру і кисню у вакуумі.