Простий пошук
|
Розширений пошук
|
Алфавітні покажчики
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Віртуальна довідкаТематичний інтернет-навігаторНаукова електронна бібліотекаАвтореферати дисертаційРеферативна база данихКнижкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані видання
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
| Сортувати знайдені документи за: | ||
| автором | назвою | роком видання |
| Формат представлення знайдених документів: | ||
| повний | стислий | |
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (4) |
Пошуковий запит: (<.>A=Данильченко Б$<.>) | ||||
|
Загальна кількість знайдених документів : 13 Представлено документи з 1 до 13 |
||||
| 1. | Данильченко Б. О. Фононна спектроскопія двовимірного газу електронів у delta-легованому GaAs / Б. О. Данильченко, О. П. Клімашов, Д. В. Поплавський, О. Г. Сарбей // Укр. фіз. журн. - 1999. - 44, № 1-2. - С. 205-213. - Бібліогр.: 29 назв. - укp. Наведено результати експериментальних досліджень непружного розсіяння двовимірних носіїв, просторово локалізованих у самоузгодженому потенціалі мілких донорних домішок, розташованих у межах атомного шару кристалічної гратки GaAs. За допомогою методу часопролітної спектроскопії довгохвильових акустичних фононів отримано інформацію про енергетичні втрати гарячих електронів, зумовлені непружним розсіянням носіїв з випромінюванням фононів. Встановлено, що ефективність емісії акустичних фононів двовимірним електронним газом зменшується із зростанням електричного поля розігріву носіїв. Генерація оптичних фононів експоненціально швидко зростає з досягненням критичного значення поля розігріву носіїв. Розроблено новий метод вимірювання температури двовимірного електронного газу в разі його розігріву зовнішнім електричним полем шляхом вивчення ефекту фононостимульованої провідності. Вивчено явище слабкої локалізації в таких структурах. Вперше показано, що явище фононостимульованого струму пов'язано з руйнуванням квантової інтерференції носіїв, яка зумовлює явище слабкої локалізації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 2. | Федотов Ю. В. Радиационные эффекты в тонких пленках ВТСП $E bold {roman {YBa sub 2 Cu sub 3 O} sub 7-x}, облученных малыми дозами электронов с энергией 1 МэВ / Ю. В. Федотов, Б. А. Данильченко, И. С. Рогуцкий // Физика низ. температур. - 2002. - 28, № 10. - С. 1033-1040. - Библиогр.: 21 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 3. | Данильченко Б. О. Балістичні фонони в експериментах по дослідженню слабкої локалізації носіїв в $E bold delta-легованому GaAs / Б. О. Данильченко, О. Г. Сарбей // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2004. - 2, Вип. 2. - С. 339-387. - Бібліогр.: 21 назв. - укp. Викладено оригінальні результати експериментальних досліджень явища слабкої локалізації двовимірних носіїв у дельта-легованих структурах на основі арсеніду галію. З результатів магнето-транспортних вимірювань встановлено польову залежність температури носіїв, на підставі чого одержано кількісну інформацію про характер енергетичних втрат гарячими носіями. Запропоновано та розвинуто новий експериментальний метод фононної спектроскопії для досліджень ефектів слабкої локалізації носіїв. Доведено, що збільшення провідності дельта-легованих шарів під час поглинання потоків нерівноважних акустичних фононів обумовлено руйнуванням квантової інтерференції носіїв, що має місце у "брудному" Фермі газі. Запропоновано модель цього механізму, що полягає у підвищенні середньої температури електронів під час поглинання енергії акустичних фононів. За допомогою розвиненої моделі вдається повністю описати експериментальні результати поведінки фононопровідності у слабких електричних і магнітних полях. На підставі обчислень енергетичних спектрів носіїв у самоузгодженій квантовій ямі, притаманній дельта-легованим шарам, розраховано електрон-фононну взаємодію для різних зон просторового квантування носіїв. Шляхом обчислення показано, що левова частка поглиненої енергії акустичних фононів пов'язана зі взаємодією носіїв верхньої, менш заселеної підзони просторового квантування. Ключ. слова: дельта-структури, слабка локалізація, електрон-фононна взаємодія, фононна спектроскопія Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.222 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 4. | Данильченко Б. О. Природа радіаційної стійкости GaAs сонячних елементів / Б. О. Данильченко, Л. І. Шпінар, А. П. Будник, К. Барнхем, Н. Екінс-Дьюкс // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2005. - 3, вип. 3. - С. 755-772. - Бібліогр.: 22 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 5. | Данильченко Б. О. Надшвидка фотопровідність гетероструктур AlGaN/GaN широкозонних напівпровідників / Б. О. Данильченко, С. Є. Зеленський, Є. А. Дрок, О. О. Войціховська, А. Є. Бєляєв // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2007. - 5, вип. 1. - С. 91-103. - Бібліогр.: 26 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 6. | Данильченко Б. О. Визначення часу життя LO-фонона в GaN / Б. О. Данильченко // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 1/2. - С. 142-148. - Библиогр.: 15 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 7. | Лісовський І. П. Дослідження процесу відпалу радіаційних дефектів у плівкових структурах nc-Si/SiOVB2D / І. П. Лісовський, М. В. Войтович, В. Г. Литовченко, І. М. Хацевич, В. В. Войтович, Б. О. Данильченко // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 10. - С. 1038-1043. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 8. | Бондар В. М. Радіаційно наведена зміна поляризації терагерцового випромінювання в IBnD-Ge / В. М. Бондар, Б. О. Данильченко, А. М. Крайчинський // Укр. фіз. журн. - 2009. - 54, № 5. - С. 491-493. - Бібліогр.: 3 назв. - укp.
Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 9. | Литовченко Н. М. Анализ фотолюминесценции кристаллов IBpD-CdVBI1-xDZnVBIxDTe, облученных gamma-квантами / Н. М. Литовченко, Ю. Н. Насека, А. В. Прохорович, Л. В. Рашковецкий, О. Н. Стрильчук, Ф. Ф. Сизов, О. О. Войциховская, Б. А. Данильченко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2010. - Вып. 45. - С. 54-60. - Библиогр.: 14 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 10. | Долбин А. В. Сорбция водорода и радиальное тепловое расширение жгутов односменных углеродных нанотрубок, облученных гамма-квантами в среде водорода / А. В. Долбин, В. Б. Есельсон, В. Г. Гаврилко, В. Г. Манжелий, Н. А. Винников, С. Н. Попов, Б. А. Данильченко, Н. А. Трипачко // Физика низ. температур. - 2011. - 37, № 7. - С. 744-751. - Библиогр.: 34 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 11. | Данильченко Б. А. Разогрев пучков металлических углеродных нанотрубок в режиме проводимости жидкости Латтинжера / Б. А. Данильченко, Н. А. Трипачко, Е. А. Войциховская, И. А. Обухов, И. И. Ясковец, B. Sundqvist // Физика низ. температур. - 2011. - 37, № 8. - С. 892-902. - Библиогр.: 29 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 12. | Долбин А. В. Сорбция водорода жгутами одностенных углеродных нанотрубок, радиационно-модифицированных в различных газовых средах / А. В. Долбин, В. Б. Есельсон, В. Г. Гаврилко, В. Г. Манжелий, Н. А. Винников, И. И. Ясковец, И. Ю. Уварова, Н. А. Трипачко, Б. А. Данильченко // Физика низ. температур. - 2013. - 39, № 7. - С. 790-800. - Библиогр.: 28 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
| 13. | Долбин А. В. Кинетика низкотемпературной сорбции $Ebold {nothing sup 3 roman He,~nothing sup 4 roman {He,~H} sub 2 ,~roman D sub 2 }, Ne и NVB2D жгутами одностенных углеродных нанотрубок. Квантовые эффекты / А. В. Долбин, В. Б. Есельсон, В. Г. Гаврилко, В. Г. Манжелий, Н. А. Винников, Р. М. Баснукаева, И. И. Ясковец, И. Ю. Уварова, Б. А. Данильченко // Физика низ. температур. - 2014. - 40, № 3. - С. 317-323. - Библиогр.: 43 назв. - рус.
Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ | |||
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського