Ключ. слова: плівки, гетероструктури, дислокації, розсіювання, рухливість
Індекс рубрикатора НБУВ: К232.406.33

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, сульфід свинцю, дислокації, розсіювання, рухливість
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено залежність рухливості носіїв струму від товщини у тонких мозаїчних плівках PbTe, вирощених на сколах слюди. Виділено внесок розсіювання на поверхні і міжзеренних межах.

Досліджено вплив поверхні і міжкристалічних меж на електричні параметри як свіжовирощених плівок РbTе, так і витриманих на повітрі і відпалених у вакуумі. Результати пояснено у межах моделі Петріца і бар'єрної моделі.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: плівки, халькогеніди свинцю, розсіювання, модель Петріца
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто роботи з питань кристалохімічного аналізу домінуючих точкових дефектів у кристалах і плівках халькогенідів свинцю. Особливу увагу звернено на технологічні аспекти інженерії формування і взаємодії точкових дефектів, що визначають тип провідності і концентрацію носіїв заряду матеріалів.

Індекс рубрикатора НБУВ: К663.030.022 + В379.271

Рубрики:

Металізація металів у вакуумі

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено залежність провідності і рухливості носіїв струму від температури в тонких полікристалічних плівках p-CaTe i р-PbTe, вирощених на скляних підкладках. Встановлено механізми перенесення носіїв струму на міжзеренних межах, пов'язані із термоелектронною емісією.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.395 + В379.226

Рубрики:

Тонкі плівки

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено механізми розсіювання носіїв струму в епітаксійних плівках PbTe, осаджених на свіжі сколи (111) кристалів NaCl. Показано, що домінуючу роль відіграє розсіювання на дислокаціях невідповідностей на межі плівка - підкладка.

Досліджено механізми розсіювання носіїв струму в полікристалічних плівках PbTe, осаджених на скляні підкладки. Показано, що домінуючу роль відіграє розсіювання на міжзеренних межах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 + Ж619

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати дослідження топологічних типів наноструктур телуриду свинцю, осаджених із газодинамічного потоку пари на поліровані скляні підкладки. За допомогою методів статистичної теорії багатократного розсіяння хвиль числово розраховано спектри послаблення та поглинання, а також кутового розподілу інтенсивності світла, розсіяного наногранульованими плівками. Виявлено спектрально-селективний характер послаблення випромінювання видимого діапазону.

На підставі проведених комплексних експериментальних досліджень і теоретичних розрахунків виконано розділення внеску окремих механізмів розсіювання носіїв струму в кінетичні явища тонких плівок халькогенідів свинцю різної структурної досконалості. Установлено закономірності у спрямованих неоднорідностях профілів електричних параметрів у свіжовирощених та відданих відпалу у вакуумі й атмосфері кисню плівок халькогенідів свинцю. У межах двошарової моделі Петріца визначено кінетичні параметри приповерхневих шарів. На основі електротехнічної моделі провідності полікристалічних плівок установлено закономірності у змінах лінійних розмірів кристалітів від часу у плівках PbTe і механізми перенесення струму міжзеренними межами, зумовлені термоелектронною емісією. Визначено вплив дифузного та дзеркального механізмів розсіювання на міжфазних межах, а також розсіювання носіїв заряду на межах зерен і дислокаціях невідповідностей. Розраховано поверхневу густину та радіус дислокацій.

Розглянуто основні фізичні процеси у напівпровідниках, які є важливими для конструювання та функціонування активних елементів електроніки. Увагу приділено фізичним процесам роботи діодів, транзисторів, елементів інтегральних схем магніторезисторів, магнітодіодів, сенсорів вологості, тензосенсорів, світлодіодів, фоторезисторів. Висвітлено нові досягнення в сфері нанотехнологій наноматеріалів, наноелектроніки та створення сонячних елементів. Наведено інформацію про структуру енергетичних зон, статистику носіїв заряду, гальваномагнітні ефекти, процеси поглинання світла, елементи інтегральних схем, нанолазери, сонячні елементи на основі сенсибілізованих барвниками напівпровідників.

Рассмотрены основные физические процессы в полупроводниках, которые являются важными для конструирования и функционирования активных элементов электроники. Уделено внимание физическим процессам работы диодов, транзисторов, элементов интегральных схем магниторезисторов, магнитодиодов, сенсоров влажности, тензосенсоров, светодиодов, фоторезисторов. Освещены новые достижения в сфере нанотехнологий наноматериалов, наноэлетроники и создания солнечных элементов. Дана информация о структуре энергетических зон, статистике носителей заряда, гальваномагнитных эффектах, процессах поглощения света, элементах интегральных схем, нанолазерах, солнечных элементах на основе сенсибилизированных красителями полупроводников.

Досліджено товщинні залежності ефективних і локальних значень електричних параметрів епітаксійних плівок PbTe, вирощених із парової фази. Показано, що окиснення плівок на повітрі вже за кімнатних температур призводить до знакової інверсії типу провідності з n на p.

Наведено аналіз електричних схем-аналогів для визначення кінетичних параметрів поверхонь міжфазних меж та об'єму тонких плівок у межах двошарової моделі Петріца. Досліджено електричні властивості приповерхневих шарів для свіжовирощених, відпалених у вакуумі та атмосфері кисню, а також за тривалої витримки на повітрі тонких плівок халькогенідів свинцю. Одержані результати пояснено на базі фізико-хімічних процесів, пов'язаних із фракціюванням наважки, ревипаровуванням халькогену та акцепторним впливом кисню.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ