Індекс рубрикатора НБУВ: В368.313

Рубрики:

Магнітні властивості надпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3 + В377.3

Рубрики:

Кристалічний стан твердого тіла

Магнітні властивості твердих тіл. Магнетики

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.273 + В379.25

Рубрики:

Магнітні властивості напівпровідників

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проанализирована возможность появления аномальной структуры в дифференциальной проводимости туннельных контактов на основе высокотемпературных сверхпроводников в результате деградации их приповерхностного слоя. Обсуждаемая особенность представляет собой 2 максимума в районе энергетической щели, разделенных областью подавленной проводимости. Один из них обычно является высоким и острым, а второй гораздо более размытым. Рассчитаны и сравнены спектры дифференциальной проводимости и дробового шума в контактах нормального инжектора со сверхпроводниками s- и d-типа. Показано, что совместные измерения этих двух характеристик позволят получить новую информацию относительно кинетики транспортных процессов в подобных структурах.

Обсуждена физическая природа гистерезисных транспортных характеристик 2-х твердотельных структур. Для гетероконтактов металлического инжектора со сложным оксидом переходных металлов показано, что двузначные вольтамперные зависимости возникают вследствие миграции кислородных вакансий под действием внешнего электрического поля, в то время как мемристорное поведение наноструктурированных углеродных пленок обусловлено наличием ловушек для носителей тока. В последнем случае обнаружено, что после нескольких периодов изменения тока, пропускаемого через углеродную пленку, в ней формируется состояние с экстремально высокой проводимостью. Найденная экспериментально асимметрия вольтамперных характеристик углеродных пленок открывает возможность использования их в качестве элемента интегрированной мемристорной схемы, способного устранить паразитную связь между соседними коммутационными узлами.

Проанализирована частотная зависимость двузначных вольтамперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и пленкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью определяет электрические характеристики металлооксидного соединения. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отношение его максимального сопротивления к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является существенным в случае, когда характерное время релаксации заметно превосходит период переменного тока.

Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольтамперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедренными в нее примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.

Обсужден теоретически зарядовый транспорт в слоистых структурах, образованных металлическим инжектором, наноразмерным изолятором, нормальной металлической прослойкой и исследуемым сверхпроводником. Показано, что измерения дифференциальной проводимости таких структур могут служить однозначным доказательством наличия в сверхпроводнике двух энергетических щелей.