Досліджено режими електрохімічного формування пор у структурах макропористого кремнію за умов лінійнійної зміни прикладеної напруги. У межах дифузійно-дрейфової моделі визначено співвідношення між параметрами електрохімічного процесу (інтенсивність освітлення, густина струму, прикладена напруга). Експериментальні залежності режимів формування макропор відповідають дифузійно-дрейфовій моделі переносу нерівноважних дірок, якщо товщина анода перевищує довжину дифузії дірок і за порівняно великих радіусів макропор.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г57

Рубрики:

Електрохімія

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: макропористий кремній, електрохімічне травлення, параметри електрохімічного процесу
Індекс рубрикатора НБУВ: Ж68

Рубрики:

Обробка окремих матеріалів

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ю704.54

Шифр НБУВ: Ж61798 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: макропористый кремний, электрохимическое травление, параметры электрохимического процесса
Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2 + Ж68

Рубрики:

Силіцій (кремній)

Обробка окремих матеріалів

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено хімічний стан і структуру поверхні макропор залежно від режимів електрохімічного процесу. Мікропористі шари на стінках макропор вміщують оксиди й органічні сполуки подібно до плоских мікропористих шарів. Зазначено, що структури макропористого кремнію, виготовлені за напруг 1-го піку вольтамперної характеристики, вміщують додаткові гібридні піки.

Ключ. слова: твердофазные реагенты, парофазная реакция, пористый кремний, механизм, нанонити, карбид кремния
Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2-27 + Г124.1-27

Рубрики:

Силіцій (кремній)

Вуглець

Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: макропористий кремній, фотопровідність, поверхневі електромагнітні хвилі
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлены результаты по получению двумерных структур макропористого кремния с нанопокритиями. Приведены исследования фотофизических процессов в таких структурах, в частности фотопроводимости и поглощения в ближней ИК-области спектра, которые определяют функциональные возможности материала для формирования фотоприемных и болометрических элементов.

Досліджено експериментальні та теоретичні температурні залежності фотоерс у макропористому кремнії для енергій фотонів, сумірних із енергією непрямого зона-зонного переходу в кремнії. Встановлено, що фотоерс у діапазоні температур, менших за 130 K, насичується або змінює знак на від'ємний, що пов'язано з поглинанням світла за участі фотопереходів через поверхневі стани, близькими до зони провідності кремнію. У цьому випадку зростає поверхневий вигин зон за рахунок збільшення від'ємного заряду поверхні напівпровідника. Рекомбінація рівноважних електронів в об'ємі зі збудженими освітленням дірками на поверхні макропор відбувається по каналу багатоступінчастої тунельної рекомбінації між зоною провідності та валентною зоною.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.321

Рубрики:

Надплинність

Шифр НБУВ: Ж14063 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.15 + Г124.15Кб + Л252 + Л253

Рубрики:

Сполуки вуглецю з іншими елементами

Вуглець (карбон) та його сполуки

Кремній (силіцій) та його сполуки

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

The theoretical investigations of the photonic band structure of two-dimensional photonic crystals for the off-plane propagation of electromagnetic waves and the influence of a surface layer on the position and width of photonic band gaps are carried out. The experimentally measured width of a photonic band gap and the dispersion for two-dimensional silicon structures at the off-plane propagation of an electromagnetic wave correlate with the theoretical band gap position and width. The silicon oxide layer on the surface of air cylinders stabilizes and strengthens a silicon photonic crystal under the insufficient reduction of the photonic band gap width in comparison with a photonic crystal without a surface layer.

Індекс рубрикатора НБУВ: Г124.2-1

Рубрики:

Силіцій (кремній)

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розглянуто проблему суб’єктивності в контексті критичних досліджень філософії М. Гайдегера. Розкрито нові теоретичні ресурси поняття "суб’єкт", а також обгрунтовано значимість концепту суб’єктивності для розв’язання філософсько-антропологічних завдань, зокрема для з’ясування сутності людини. Наведено критичні аргументи, які з різних позицій підважують логічну послідовність Гайдегерової феноменологічної деструкції суб’єкта. Окремо розглянуто поняття трансцендентальної уяви з погляду її десинтезуючої функції, що надає підстави по-новому висвітлити проблематику синтезу Я та сформувати новий погляд на людину як складну та розщеплену дійсність. Увагу приділено вченню про етичний суб’єкт Е. Левінаса - важливій складовій постгайдегерівського дискурсу. Відстежено послідовність обгрунтування філософом таких понять, як "гіпостазис" (подія суб’єктивації суб’єкта), "відділення" (психічний первінь людської інтеріорності), а також "субституція" (підстановка Іншого на моє місце). Розглянуто етичну суб’єктивність у контексті часової проблематики та з’ясовано значення несинтезованих або нетемпоральних часових вимірів, узагальнених у понятті "діахронія".

Наведено систему рівнянь, яка визначає ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії. Систему рівнянь виведено з рівняння дифузії неосновних носіїв заряду, записаного для макропористого шару та монокристалічної підкладки. Розв'язок нестаціонарного рівняння дифузії, записаного для макропористого шару та монокристалічної підкладки, доповнюються граничними умовами на поверхнях зразка макропористого кремнію та на межі між макропористим шаром і монокристалічною підкладкою. Ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії на монокристалічній підкладці залежить від таких величин як: об'ємний час життя неосновних носіїв заряду, коефіцієнт дифузії носіїв заряду, товщина монокристалічної підкладки, середній діаметр макропор, середня відстань між центрами макропор, швидкість поверхневої рекомбінації, об'ємна частка макропор. Ефективна рекомбінація нерівноважних носіїв заряду в макропористому кремнії визначається рекомбінацією нерівноважних носіїв заряду на поверхні макропор та обмежується дифузією носіїв заряду з монокристалічної підкладки до рекомбінаційних поверхонь у макропористому шарі. Використовуючи систему рівнянь, розраховано та показано на рисунку ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії залежно від глибини макропор. Для перевірки точності розрахунків виконаних за допомогою системи аналітичних рівнянь, яка визначає ефективний час життя неосновних носіїв заряду в макропористому кремнії на монокристалічній підкладці, використано числовий метод. Числовий метод показав збіг розрахунків ефективного часу життя неосновних носіїв заряду. За глибини макропор близьких до розмірів зразка макропористого кремнію, спостерігається розбіжність результатів розрахунків.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.42 + Л253.2-106

Рубрики:

Фотопровідність (внутрішній фотоефект)

Кремній

Шифр НБУВ: Ж100480 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Представлено ідеї відомого польського філософа Романа Інґардена, представника феноменології і засновника так зв. "другої феноменології". Проаналізовано погляди Романа Інґардена, які стосуються проблем зі сфери онтології, епістемології, антропології, естетики, аксіології, філософії літератури. Крім того, підкреслено значення Романа Інґардена для сучасної філософії та здійснено порівняння його поглядів з іншими сучасними філософами - представниками феноменології, Львівсько-Варшавської школи, сучасної семіотики, філософії діалогу та ін.

Наведено результати дослідження оптичних спектрів відбивання та пропускання монокристалу кремнію p-Si (100) із кремнієвими нанонитками, вирощеними з обох сторін і пористого кремнію p-Si (100) на монокристалічній підкладці в спектральному діапазоні 0,2 - 1,7 мкм. Шари нанониток мали товщину 5,5, 20, 50 мкм і пористість 60 %. Шари пористого кремнію мали товщину 5, 50 мкм і пористість 45, 55 % і 65 %. Показано зміну енергетичної зонної структури в монокристалічних кремнієвих нанонитках і монокристалічній матриці пористого кремнію.