Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.347

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: гетерофотоелемент, комплексне легування, гетероструктура, рекомб?нац?йн? центри
Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4

Рубрики:

Фотоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж28852/Фіз Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: внутрішні напруження, тонкі плівки міді, кремнійова підкладка, поверхнева і міжфазна енергії
Індекс рубрикатора НБУВ: К663.232.1-18

Рубрики:

Мідніння металів

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Ключ. слова: термодинамический подход, физика поверхности, нанокристаллический интерметаллид, поверхностная энергия, температура отжига
Індекс рубрикатора НБУВ: К230.436.2

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Теоретично, із застосуванням макроскопічних методів фізики поверхні, досліджено зміни енергії адгезійних зв'язків у наношарах поблизу межі розділу між тонкими плівками міді та кремнієвими монокристалічними підкладками при різних швидкостях осадження. Виявлено, що енергія адгезійних зв'язків і робота адгезії на порядок більші міжфазної енергії та натягу відповідно. На основі термодинамічного підходу розроблено методику оцінки співвідношення між електричною і механічною складовими міжфазної енергії.

Увагу приділено дослідженю залежності електропровідності матеріалу варистора від напруженості електричного поля та визначенню критичних значень полів. Розкрито ймовірні механізми провідності та розраховано основні параметри досліджуваних варисторів. Визначено властивості електронно-діркових переходів і напівпровідникових діодів на їх основі. Досліджено вольтамперні характеристики (ВАХ) тунельних діодів на базі різних напівпровідникових материалів і визначено їх характерні параметри. Проаналізовано особливості неоднорідностей p-n-переходів у стабілітронах різного типу та лавинно-прольотних діодах на основі аналізу ВАХ. Вивчено властивості запірного контакту метал-напівпровідник на прикладі діода Шоткі. Показано особливості схем під'єднання біполярних транзисторів, досліджено родини вхідних і вихідних ВАХ транзистора в схемі зі спільним емітером. Увагу приділено розрахуванню основних малосигнальних параметрів. Розглянуто вхідні (стоково-затворні) та вихідні (стокові) характеристики польових транзисторів, розраховано їх головні малосигнальні параметри та визначено їх температурні залежності. Досліджено будову, фізичні принципи роботи, основні характеристики та схеми під'єднання напівпровідникових тиристорів. Проаналізовано ВАХ тиристорів і визначено їх параметри. Увагу приділено питанням напівпровідникової термометрії.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3-03

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26 + В379.271

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.25

Рубрики:

Термодинаміка напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Експериментально досліджено зовнішній і внутрішній розмірні ефекти, що реалізуються у внутрішніх (власних) і термічних напруженнях мідних конденсатів на підложжях монокристалічного кремнію. Вивчено поведінку максимальних внутрішніх напружень зі зміною товщини плівки та швидкості осадження. Формування внутрішніх напружень пояснюється з позиції міжфазної взаємодії в системі конденсат - підложжя та у структурі конденсату. Показано, що процес конденсації металу на підложжя супроводжується орієнтаційною зміною енергетичних параметрів міжфазної взаємодії: міжфазної енергії, міжфазного натягу, енергії адгезійних зв'язків і роботи адгезії на стадіях наноконденсату (поверхня кремнію - металічний наноконденсат) і суцільної плівки (попередній шар - наступний шар). Досліджено вплив розмірної залежності механічних параметрів плівки на термічну компоненту механічних напружень.

За результатами атомно-силової мікроскопії досліджено топологію поверхні та структуру конденсатів міді, алюмінію та хрому на підложжях монокристалічного кремнію площини (111) для характерних товщин d: 2, 5, 10, 50, 100 нм. Виконано кластерну статистичну аналізу поверхні одержаних конденсатів з використанням алгоритму Хошена - Копельмана, визначено характерні геометричні параметри кластерних наноутворень. Для досліджуваних металів з використанням макроскопічного підходу, що базується на співвідношеннях нерівноважної термодинаміки та фізики поверхні, оцінено енергетичні параметри міжфазової взаємодії у системі "металічний конденсат - кремній": енергію міжфазової взаємодії, міжфазовий натяг, енергію адгезійних зв'язків та роботу адгезії. Обгрунтовано відмінності морфології металічних конденсатів на кремнії.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Досліджено проблему детектування горючих і токсичних газів, а також їх попарного розпізнавання на основі вимірювання зміни технічних параметрів ПК, зокрема, досліджено концентраційні залежності опору, ємності та частотної залежності імпедансу сенсорів ПК. Для розпізнавання газів запропоновано обробляти дані сенсорів ПК за допомогою мікрокомп'ютерних систем.

Розмірні залежності електропровідності плівок хрому товщиною, меншою за 50 нм, сформованих за умов надвисокого вакууму на поверхні скла та поверхні скла, попередньо покритій підшарами германію, кількісно описано за допомогою теорій квазікласичного та квантового розмірних ефектів. Експериментальні дані добре узгоджуються з результатами теоретичних розрахунків, під час проведення яких враховано особливості структури плівок і морфології їх поверхні. Розраховано параметри перенесення заряду в досліджуваних зразках.

На базі персонального комп'ютера розроблено автоматизований комплекс для дослідження параметрів електроактивних центрів у високоомних напівпровідниках і діелектриках з використанням методики термостимульованої деполяризації (ТСД). Розроблене оригінальне програмне забезпечення надає змогу повністю автоматизувати поляризацію та деполяризацію зразка у встановленому температурному діапазоні, його нагрів зі заданою швидкістю, вимірювання з високою точністю струмів ТСД та здійснювати кількісну оцінку параметрів центрів: частотного фактора, енергію активації та густину електронних станів, зумовлених дефектами структури.

Запропоновано методику градуювання діодних сенсорів температури, яка базується на комбінації двох узагальнених методів: сплайн-інтерполяції та апроксимації з використанням ортогональних поліномів Чебишова. Розроблено програму її реалізації в ОС Android. Встановлено вимоги до градуювання з одержанням у кінцевому результаті термометричної кривої з максимально можливою точністю. Це надає змогу автоматизувати процес одержання інтерполяційної таблиці та оптимізувати процедуру градуювання. Запропоновано методику апробовано для апроксимації характеристики термодіодного сенсора типу DT-471 фірми Lake Shore.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Встановлено механізми міжфазової взаємодії в металічних конденсатах (Сu, Аl, Аu, Сr) у процесі їх осадження на підкладки монокристалічного кремнію. Розраховано енергетичні параметри: енергію міжфазової взаємодії, міжфазовий натяг, роботу адгезії та енергію адгезійних зв'язків. Виявлено самоорганізуючу роль підкладки у формуванні напружень та типу хімічних зв'язків у системі "підкладка - металічний конденсат". Запропоновано механізми формування внутрішніх напружень у системі "підкладка - металічний конденсат" і в межах самого конденсату. Розкрито вплив фазових переходів у підкладці (кварц) на поведінку енергетичних параметрів міжфазової взаємодії в системі "метал - кварц". Простежено закономірності зміни енергетичних параметрів міжфазової взаємодії у системах "напівпровідник (Sі, Gе) - (Fе, Со, Сu, Аl, Аu, Сr, W, Рb)" та "графен - (Sі, Сu, Fе, Со, Аu, Аg, Аl, Ru, Нf, Рb)". З'ясовано умови формування структур з наперед заданим типом хімічного зв'язку. З’ясовано особливості міжфазової взаємодії в системі "монокристалічний кремній - власний окисел (Si - SiO{\dn\fs9 2})". Виявлено кореляцію між енергетичними параметрами міжфазової взаємодії та рівнем механічних напружень на межі фаз. Встановлено закономірності перерозподілу зарядів на міжфазових межах структур Si - SiO{\dn\fs9 2}, як структурних елементів кремнієвих МОН-транзисторів, під дією \i Х \i0-, альфа-, (\i Х+ІЧ \i0), (\i X+λ\i0когер.) та \i Х \i0-польових обробок. Виявлено параметри цих впливів для досягнення термодинамічно-рівноважних значень параметрів міжфазової взаємоді. Запропоновано способи виготовлення кремнієвих МОН-транзисторів з керованим розподілом зарядової ситуації у приповерхневих шарах межі фаз Sі - SіО{\dn\fs9 2}. Виявлено температурну селективність впливу \i X \i0-опромінення на закономірності розподілу зарядів у міжфазовій межі кремнієвих МОН-транзисторів. Встановлено фізичні умови опромінення, за яких забезпечується їх підвищена радіаційна стійкість.