Досліджено взаємодію електромагнітного випромінення мікрохвильового діапазону (1,5 - 2 ГГц) зі структурами вуглецевих нанотрубок в діелектричних (фторопласт-4) матрицях. Виявлено, що величина згасання А мікрохвильового сигналу суттєво немонотонно залежить від концентрації нанотрубок. У діапазоні концентрацій нанотрубок 5 - 10 % ваг. спостерігається гігантське (більше ніж в 400 разів) зростання величини згасання А.

Проаналізовано особливості використання тонких плівок YBCO в селективних мікрохвильових пристроях. Досліджено мікросмужкові смугопропускні фільтри (СПФ), виготовлені на основі тонких плівок нормальних металів (Cu), двошарових плівок YBCO/Au і тонких плівок YBCO. Проаналізовано природу мікрохвильових втрат в мікросмужкових провідниках СПФ та їх вплив на амплітудно-частотну характеристику. Описано особливості конструкції СПФ на основі плівок YBCO. Створений ВТНП-фільтр має електродинамічні характеристики (втрати в смузі пропускання, крутизну перехідної області від смуги пропускання до смуги загородження та ін.), недосяжні для фільтрів на основі плівок нормальних металів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372 + В368.3

Рубрики:

Структура твердих тіл

Фізика низьких температур

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The plant for ionic-plasma formation carbon nanotubes and other nanostructures is created. The plant contains highvacuum-pump system, working gases letting system, helicon discharge chamber, drift chamber, vacuum-arc sources, power sources and monitoring system with a small-sized optical spectrometer. The plant integrates processes plasma-enhanced chemical vapour-phase deposition, plasma clearing and activation of a substrate surface, deposition of transitive adhesive layers and metal-catalyst, direct formation process of carbon nanostructure.

Індекс рубрикатора НБУВ: В368.2,022

Рубрики:

Високотемпературна надпровідність. Високотемпературні надпровідники

Шифр НБУВ: РА333141 Пошук видання у каталогах НБУВ 

The vacuum-plasma module - specialized technological unit of precision size etching and multifunction ion-plasma treatment is created. It is based on the two-figure system, consisting of high selective plasma-chemical and high anisotropic reactively-ionic etch sources. The module is intended for element base structures forming of nanoelectronics and nanodevice topology, thermal emission sources, elements converting sun and thermal energy into electrical energy.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.7

Рубрики:

Радіаційні ефекти у твердих тілах

Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Вивчено вплив спін-поляризованої струмової інжекції (СПСІ) на критичний струм і резистивний стан мікромістків свинцю під час пропускання по плівці Pb транспортного струму за відсутності зовнішнього магнітного поля. Виявлено, що СПСІ ефективно впливає на величину критичного струму надпровідних мікромістків Pb. Виявлено ефект підвищення критичного струму надпровідних мікромістків Pb. Встановлено, що СПСІ є зручним зовнішнім чинником, який змінює величину струму відсічки. Встановлено, що динамічний опір ліній проковзування фази у разі підвищення рівня СПСІ зростає.

Обговорено використання полімерних плівок як фільтрів інфрачервоного (ІЧ) випромінювання. Виконано числові розрахунки теплофізичних характеристик полімерних плівок, розміщених на перерізі круглого хвилеводу. Показано, що для створення ефективних квазіоптичних фільтрувальних пристроїв ІЧ діапазону є необхідним додаткове покриття таких плівок шаром із високим коефіцієнтом теплопровідності. Реалізація цих композиційних структур забезпечила ефективне загородження від шкідливого теплового випромінювання в ІЧ діапазоні спектра та пропускання з найменшими втратами інформаційного сигналу в робочому мікрохвильовому діапазоні 2 - 36 ГГц.

Вивчено особливості тиреоїдного гомеостазу у хворих на хронічні дифузні захворювання печінки залежно від A/C поліморфізму гена DIO1. Встановлено залежність показників тиреоїдного гомеостазу у хворих на хронічні дифузні захворювання печінки від дистрибуції A/C поліморфізму гена DIO1, а також відсутність звіязку титру антитіл до тканини щитоподібної залози з даним поліморфізмом.

Досліджено ефективність використання плівок нітриду алюмінію як термічного інтерфейсу. Показано, що такі плівки, отримані в гібридному геліконно-дуговому іонно-плазмовому реакторі, значно поліпшують відвід тепла від кристалів електронних пристроїв, зокрема, від потужних світлодіодів або світлодіодних збірок і таким чином істотно підвищують стабільність їх світіння, надійність і довговічність.

Проведено аналіз досліджень зі зміцнення металевих поверхонь шляхом формування дифузійних покриттів, виділено найбільш перспективні технології для підвищення зносостійкості деталей тертя. Наведено загальний вигляд установки для іонного азотування у геліконному розряді та принципові схеми основних її вузлів, описано принципи їх роботи. Експериментально досліджено зміцнення сталевих зразків за допомогою методу іонного азотування у геліконному розряді. Доведено перспективність впровадження цього методу зміцнення шляхом порівняння одержаних результатів із результатами сучасних традиційних методів азотування.

Проаналізовано ефективність двох методів контролю нелінійної динаміки квантових топологічних структур (вихорів) у довгому Джозефсоновому контакті: (а) за допомогою крайової струмової інжекції та (б) за наявності стопки з двох довгих Джозефсонових переходів. В першому випадку розроблено та реалізовано нову, більш стійку й добре відтворювану методику одержання відповідних гетероструктур із додатковою плівкою надпровідного стопу молібдену з ренієм і більш якісним діелектричним прошарком з оксиду олова. Експериментально показано, що за зростання струмової інжекції на вольтамперній характеристиці з'являється ділянка від'ємного диференційного опору. В другому випадку теоретично продемонстровано появу на вольтамперній кривій ділянки "зворотнього вигину" та перехід у резистивний стан з напругою, близькою до щілинної, через виникнення в сусідньому переході пари флюксон-антифлюксон.

Проникнення куперівських пар з надпровідного шару до феромагнітного у контактах надпровідник-феромагнетик, відоме як ефект близькості, є предметом інтенсивних досліджень протягом декількох останніх десятиліть. На початку цього сторіччя стало зрозумілим, що ефект близькості супроводжується зворотною дією магнітного матеріалу на електронну підсистему надпровідника, яка проявляє себе у дифузії намагніченості через інтерфейс двох металів. Згідно із тодішньою теорією зворотного ефекту близькості глибина такого проникнення мала бути порядку довжини когерентності у надпровіднику. Цей феномен спостерігався експериментально, проте детальні експерименти, зокрема, за допомогою нейтронного і мюонного розсіювання виявили магнітні кореляції на суттєво більших відстанях. Для їх пояснення запропоновано теорію електромагнітного ефекту близькості, згідно з якою диспропорція між електронами з різними напрямами спінів поширюється у надпровідник другого роду на відстані порядку лондонівської глибини проникнення. У даній роботі наведено експериментальні виміри вольтамперних характеристик джозефсонівських переходів феромагнетик/надпровідник-бар'єр-надпровідник, які підтверджують існування електромагнітного ефекту близькості у контактах надтонкої плівки свинцю - надпровідника другого роду з феромагнітним нікелем. Вперше спостерігали коливну залежність критичного струму переходу Ni/Pb/Sn-оксидний бар'єр-Pb від товщини Ni, яка свідчить про наявність у плівці Pb просторових коливань параметра надпровідного порядку, передбачених FFLO-теорією ще у середині 60-х рр. минулого сторіччя.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + К233.102.6

Рубрики:

Одержання плівок

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ