Наведено результати досліджень переносу електронів і дірок біля поверхні напівпровідників - як ефектів, зумовлених рухом і розсіюванням поверхневих носіїв заряду одного знака, так і ефектів, до яких приводить одночасне існування поблизу поверхні електронів і дірок (нерівноважної електронно-діркової плазми). Розглянуто випадки власної плазми напівпровідників та електричної і світлової інжекції електронів і дірок. Концентрація плазми змінювалась у широких межах - від гранично малої до такої, що забезпечує формування електронно-діркової рідини. Поряд з традиційними для цієї області електрофізичними методами використано оптичні методи (фотолюмінесценцію (ФЛ), оптичне підсилення тощо).

Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

В огляді розглянуто питання, пов'язані з теорією випромінювання світла в кремнієвих нанокристалах (НК), а саме - з механізмом випромінювальних екситонних переходів. Проаналізовано випадок, коли під дією лазерного збудження в нанокристалах генеруються електронно-діркові пари, які потім зв'язуються в екситони. Продемонстровано важливу роль ефекту "діелектричного підсилення" в кремнієвих НК, що знаходяться в оболонці з діоксиду кремнію. Показано, що поряд з енергією екситонних переходів залежним від розміру НК є і характеристичний час випромінювальної екситонної рекомбінації, причому ця залежність має немонотонний характер. Одержано співвідношення між нерівноважними концентраціями екситонів та електронно-діркових пар у кремнієвих НК. Розглянуто механізм оже-рекомбінації екситонів у кремнієвих НК з участю поверхневих центрів, що дає змогу пояснити лінійну залежність інтенсивності фотолюмінесценції (ФЛ) в кремнієвих наноструктурах (НС) від інтенсивності збудження. Показано, що особливості, які спостерігаються в експериментально одержаних спектрах ФЛ пористого кремнію та кремнієвих структур з квантовими точками, можна пояснити, враховуючи такі ефекти: ефект квантового обмеження, що призводить до квантування енергетичного спектра НК; ефект, пов'язаний з непрямозонністю вихідного кремнієвого матеріалу, який призводить до виникнення осциляцій на залежності випромінювального часу життя екситонів від розміру НК; квантовий мезоскопічний ефект, який призводить до сильного розширення області оптичних переходів в енергетичному спектрі кремнієвих НК найменших розмірів (~ 1 - 2 нм).

Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98

Рубрики:

Фотолюмінесценція. Електролюмінесценція

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

У наближенні локальної діелектричної проникності розраховано дисперсію поверхневих електромагнітних хвиль (поверхневих плазмових поляритонів (ППП)) в просторово неоднорідній твердотільній плазмі з гауссовим розподілом концентрації електронів. Досліджено трансформацію спектрів ППП зі зміною параметрів гауссового розподілу. Одержано просторовий розподіл полів хвиль ППП у приповерхневій області, що дозволило ідентифікувати їх природу. Розрахований спектр ослабленого внутрішнього відбиття складається з трьох поляритонних мінімумів, які можна спостерігати в експерименті.

Розглянуто модель сферичної напівпровідникової квантової точки (КТ) у діелектричному середовищі. Знайдено енергетичний спектр електрон-діркових пар у таких нанокристалітах і характеристичний час їх випромінювальної рекомбінації. Розрахунок проведено в наближенні ефективної маси та параболічних законів дисперсії для носіїв заряду з урахуванням як скінченності висоти оточуючого потенціального бар'єра для носіїв заряду, так і проникнення силових ліній електричного поля кулонівської взаємодії між зарядами в діелектричне середовище. Показано, що поляризація гетеромежі може призвести до значного збільшення (а в деяких випадках зменшення) внеску кулонівської енергії взаємодії в повну енергію електрон-діркового переходу в КТ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988/огл. Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.225 + З852.2

Рубрики:

Поверхневі явища в напівпровідниках

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: Ж619 + В379.24

Рубрики:

Одержання плівок

Оптичні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26618 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Числово розраховано фотоелектрорушійну силу (ФЕ) та фотопровідність (ФП) у квазімонополярних напівпровідниках із виснажуючими згинами зон на поверхні. Враховано вплив швидкості поверхневої рекомбінації та поверхневого прилипання на формування ФЕ і ФП. Побудовано залежності ФЕ і ФП від коефіцієнта поглинання світла.

Індекс рубрикатора НБУВ: В371.211

Рубрики:

Консолідовані наноструктури <Тіла тверді >

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано сучасний стан створення різноманітних гібридних напівпровідниково-металевих наноструктур і дослідження їх люмінесцентних властивостей. Такі структури демонструють незвичайні оптичні характеристики внаслідок можливості одночасного існування локалізованих поверхневих плазмонів у металевих наночастинках та екситонів у напівпровідникових квантових точках та їх резонансної взаємодії. Описано сучасний стан досліджень характеристик мерехтіння окремих квантових точок і квантових точок в околі металевих наночастинок.