Індекс рубрикатора НБУВ: В376.1

Рубрики:

Твердість. Пружність. Поширення звуку (пружних коливань) в монокристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.134

Рубрики:

Дифракція рентгенівських променів в кристалах

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Наведено результати теоретичних і експериментальних досліджень дифракції Х-променів складними багатошаровими структурами (з квантовими ямами, точками) на підставі узагальнення наукових праць вітчизняних і зарубіжних учених, які займаються даною проблемою. Уперше в Україні встановлено значні можливості рентгеновської дифрактометрії в процесі дослідження напівпровідникових квантово-розмірних структур, зокрема, надгратки, одно- та багатошарових структур з квантовими точками (КТ) і ямами. Розкрито засади теорії дифракції випромінювань у структурах з КТ і дротами в одно- та багатошарових системах.

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований дифракции Х-лучей сложными многослойными структурами (с квантовыми ямами, точками) на основе обобщения научных трудов отечественных и зарубежных ученых, связанных с данной проблемой. Впервые в Украине установлены значительные возможности рентгеновской дифрактометрии при исследовании полупроводниковых квантово-размерных структур, в частности, надрешетки, одно- и многослойных структур с квантовыми точками (КТ) и ямами. Раскрыты основы теории дифракции рассеяния в структурах с КТ и проволокой в одно- и многослойных системах.

Наведено результати структурного аналізу кристалічних речовин, проведеного за допомогою дифракції X-променів. Основну увагу приділено динамічній теорії дифракції в багатошаровых структурах. Описано найбільш важливі алгоритми розрахунку динамічної дифракції у випадку двох і більше сильних хвиль. Розглянуто застосування динамічної теорії для таких випадків: нерізкі межі між шарами, анізотропні спотворення структури, побудова карт оберненого простору. Проаналізовано поняття оберненего простору та його зв'язок з явищем дифракції. Розкрито проблеми визначення параметрів досліджуваної структури з експерименту.

Приведены результаты структурного анализа кристаллических веществ, проведенного при помощи дифракции X-лучей. Основное внимание уделено динамической теории дифракции в многослойных структурах. Описаны наиболее важные алгоритмы расчета динамической дифракции в случае двух и более сильных волн. Рассмотрены применения динамической теории для таких случаев: нерезкие границы между слоями, анизотропные искажения структуры, построение карт обратного простанства. Проанализированы понятие обратного пространства и его связь с явлением дифракции. Раскрыты проблемы определения параметров исследованной структуры из эксперимента.

Освещены принципы, достижения и перспективы нанофотоники. Охарактеризованы теплофизические процессы при получении чистого кремния, поли- и монокристаллов кремния. Проведено сопряженное моделирование тепловых процессов и дефектообразования при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния методом Чохральского. Описаны магниторезонансные, транспортные и магнитооптические свойства осажденных из лазерной плазмы наноразмерных слоев магнитных полупроводников на основе Si, Ge и соединений III - V. Внимание уделено квантово-химическому исследованию возможности накопления водорода поверхностью графина, механизму управления электропроводностью кремния, легированного галлием, бором или индием. Проанализированы особенности получения крупногабаритных кремниевых пластин для оптико-электронных систем методом литья.

Освещены особенности применения углеродных наноматериалов в микроэлектронной технике, исследования природы релакционных колебаний в кремневых диодах в криогенной области температур, формирования глубоких уровней в процессе производства силовых полупроводниковых приборов. Приведены спектральные характеристики шумового тока дрейфового магнитотранзистора. Описан механизм формирования пленки нитрида алюминия на поверхности сапфира при высокотемпературном отжиге в восстановительной среде. Проанализировано влияние внутренних механических напряжений на релакцию упругих параметров пьезокерамики, толщенных неоднородностей оптических констант тонких пленок на достоверность их определения фотометрическим методом. Выявлены электрические свойства вольфрам-оксидной керамики с различными добавками. Проведено компьютерное моделирование конденсационного фазообразования полупроводникового диоксида ванадия в пересыщенных растворах.

Проведено комплексне дослідження самоіндукованих SiGe-наноострівців на кремнієвій підкладці, сформованих за різних температур молекулярно-променевої епітаксії. У результаті досліджень з допомогою атомно-силової мікроскопії встановлено залежності щільності, об'єму та форми наноострівців від температури епітаксії. З використанням спектроскопії комбінаційно розсіюваного світла та високороздільної рентгенівської дифрактометрії визначено усереднені величини пружних деформацій та компонентного складу острівців залежно від температури їх зростання. Показано, що під час збільшення температури епітаксії значно зростає дифузія Si в острівці і, як наслідок, розширюється область стабільності пірамідальних острівців з різними об'ємами.

З аналізу розподілу інтенсивності дифузно розсіяних рентгенівських променів в оберненому просторі одержано інформацію про перехід від 2D- до 3D-структур у багатошарових зразках SiGe. Показано, що слабкоскорельовані квантові точки, що дають внесок у формування латеральних сателітів, мало впливають на формування когерентної сателітної структури. При цьому істотним залишається їх вплив на розподіл полів деформацій у шарах надгратки. Це проілюстровано застосуванням методу двовимірних карт розподілу інтенсивності навколо вузла оберненої гратки до періодичних Si/SiGe-надграток з різною товщиною шару германію (4 або 7 моношарів), а також до періодичних SiGe-точок, вбудованих у кремній.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.22

Рубрики:

Фотоелементи з замикальним шаром (вентильні фотоелементи)

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

За допомогою методу високороздільної рентгенівської дифрактометрії встановлено ефект зміни величини періоду багатошарової періодичної структури у разі зміни її радіуса кривизни. Спостережене явище проявляється як зміна положень піків сателітної структури у спектрах дифракції X-променів. Ефект пояснено впливом зміни деформації вздовж напрямку росту структури, викликаної дифузією компонент в процесі термовідпалу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22

Рубрики:

Структура напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проаналізовано взаємозв'язок між теорією та практикою завадостійкого кодування (ЗСК). Описано особливості арифметики полів Галуа, теорію лінійних блокових і циклічних кодів, а також практичні процедури виявлення помилок та визначення їх місцезнаходження. Викладено основи ЗСК та побудови коригувальних кодів Хемінга, Боуза - Чоудхурі - Хоквінгема. Увагу приділено декодерам й алгоритмам декодування.

Проанализирована взаимосвязь между теорией и практикой помехоустойчивого кодирования. Описаны особенности арифметики полей Галлуа, теория линейных блочных и циклических кодов, а также практические процедуры выявления ошибок и определения их местонахождения. Изложены основы помехоустойчивого кодирования и построения корректировочных кодов Хеминга, Боуза - Чоудхури - Хоквингема. Внимание уделено декодерам и алгоритмам декодирования.

Наведено методи створення та практичні схеми декодування циклічних кодів з використанням різних принципів декодування. Проаналізовано методи кодування й декодування ефективних і зручних у реалізації недвійкових циклічних кодів Ріда - Соломона. Вміщено алгоритм Берлекемпа - Мессі розв'язку ключового рівняння. Описано методи виправлення помилок і стирань. Наведено основні принципи реалізації кодера та декодера Ріда - Соломона.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372.3

Рубрики:

Кристалічний стан твердого тіла

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Розкрито основні поняття сигналу. Розглянуто види моделей сигналів. Увагу зосереджено на цифровій обробці зображень шляхом поелементних перетворень. Подано інформацію про фільтрацію зображень. Розглянуто елементи систем транспортування інформації. Наведено математичні моделі каналів транспортування інформації. Обгрунтовано подання дискретних сигналів.

Розроблено новий підхід до розв'язання проблеми керування параметрами напівпровідникових матеріалів у межах кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління характеристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (акустоіонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п'єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акустоіонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформаційних технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науково-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оптоелектроніка.

Індекс рубрикатора НБУВ: Ч210.5

Рубрики:

Наука як суспільне явище

Шифр НБУВ: Ж20611 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: В379 е(4УКР) л2

Рубрики:

Фізика напівпровідників та діелектриків

Шифр НБУВ: Ж20611 Пошук видання у каталогах НБУВ